Minulý týden se firmy Intel a Micron pochlubily, že již umí ve svém podniku IM Flash Technologies vyrobit první paměti NAND Flash pomocí 20nm procesu, a to konkrétně 8GB čipy s buňkami MLC. Nyní však přispěchala firma Toshiba s prohlášením, z nějž nemohou mít velkou radost. Toshiba totiž využila pro své nejnovější NAND Flash 19nm výrobní proces, který se tak stal světově nejvíce pokročilým. Využila jej pro výrobu prvních vzorků 64Gb (8GB) pamětí, a to rovněž typu MLC (2 bity na buňku - 2 bpc), přičemž chystá i 19nm paměti se 3 bity na buňku. První vzorky 8GB NAND Flash (2 bpc) budou partnerům firmy k dispozici na konci tohoto měsíce a výroba ve velkém se má rozjet ve třetí čtvrtině tohoto roku, tedy zhruba ve stejném období, které plánuje i Intel a Micron. Mezi konkrétní aplikace budou patřit i moduly využívající šestnáct 8GB pamětí s celkovou kapacitou 128 GB, které si najdou cestu do chytrých telefonů a tabletů. Navíc nabídnou rozhraní "Toggle DDR2.0" dosahující pro
Minulý týden se firmy Intel a Micron
, že již umí ve svém podniku IM Flash Technologies vyrobit první paměti NAND Flash pomocí 20nm procesu, a to konkrétně 8GB čipy s buňkami MLC. Nyní však přispěchala firma Toshiba s prohlášením, z nějž nemohou mít velkou radost.
Toshiba totiž využila pro své nejnovější NAND Flash 19nm výrobní proces, který se tak stal světově nejvíce pokročilým. Využila jej pro výrobu prvních vzorků 64Gb (8GB) pamětí, a to rovněž typu MLC (2 bity na buňku - 2 bpc), přičemž chystá i 19nm paměti se 3 bity na buňku.
První vzorky 8GB NAND Flash (2 bpc) budou partnerům firmy k dispozici na konci tohoto měsíce a výroba ve velkém se má rozjet ve třetí čtvrtině tohoto roku, tedy zhruba ve stejném období, které plánuje i Intel a Micron. Mezi konkrétní aplikace budou patřit i moduly využívající šestnáct 8GB pamětí s celkovou kapacitou 128 GB, které si najdou cestu do chytrých telefonů a tabletů. Navíc nabídnou rozhraní "Toggle DDR2.0" dosahující propustnosti až 400 Mbps, které Toshiba vyvíjí společně s firmou Samsung.
Zdroj:
,
