Zpět na článek

Diskuze: Výzkumníci vytvořili jen 2,5 nm široké tranzistorové žebro pomocí "thermal ALE"

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

martaus
martaus
Level Level
13. 12. 2018 12:48

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@martaus A pardón, nie je to rozmer hradla ale kanálu. Mea culpa.

Blaazen
Blaazen
Level Level
12. 12. 2018 14:59

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@ ... typu GAA - Gate All Aroud. Máme to správně?

Nemáte. Správně je Around. :)

Jan Vítek
Jan Vítek
Level Level
12. 12. 2018 19:01

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@Blaazen Tak teď.

Reklama
wrah666
wrah666
Level Level
12. 12. 2018 11:19

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Nechci rýpat, ale pokud to co na fotce ukazují je celý tranzistor, tak má rozměr tak 8*30 nm. Podle ukázaného rozměru 3 nm mezi šipkami.

Jan Vítek
Jan Vítek
Level Level
12. 12. 2018 11:31

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@wrah666 Vycházím z textu, v něm se uvádí 2,5 nm pro celý tranzistor a v popisku obrázku s příčným řezem pak 3 nm, ale opět pro celý tranzistor.

Takže nevím, buď je to správně na fotce, nebo v textu. Ještě se na to podívám.

Jan Vítek
Jan Vítek
Level Level
12. 12. 2018 11:46

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@Jan Vítek Bude to opravdu jen 2,5 až 3 nm tlusté žebro tranzistoru, takže oněch 2,5 nm můžeme brát spíš jako 2,5nm technologii/rozlišení. Opraveno.

Reklama
Reklama