Společnost HP oznámila, že ve spolupráci s Hynixem se chystá uvést na trh nový prvek paměťových obvodů, který vyvinula ve svých HP Labs a nazývá jej memristor. Ten se objeví v nových rezistivních pamětech s libovolným přístupem, čili Resistive Random Access Memory (ReRAM). fotografie memristoru Memristor neboli „paměťový odpor“ postuloval jako čtvrtý základní prvek obvodů profesor Leon Chua z University of California v Berkeley v roce 1971 a poprvé jej experimentálně prokázali vědci z HP Labs v roce 2006. Takové paměti slibují nižší spotřebu energie a především stálost, tedy schopnost uchovat informace i bez nepřetržitého napájení. V porovnání se současnými paměťmi mají být ReRAM také rychlejší a mají ještě jednu výhodu. Memristor může řešit i logické funkce, takže je možné aby paměti prováděly i výpočty. K takovým produktům ale musí obě firmy urazit ještě kus cesty, a tak se zatím nedá říci, že by hotové ReRAM klepaly na dveře. Zdroj: TZ HP
Společnost HP oznámila, že ve spolupráci s Hynixem se chystá uvést na trh nový prvek paměťových obvodů, který vyvinula ve svých HP Labs a nazývá jej memristor. Ten se objeví v nových rezistivních pamětech s libovolným přístupem, čili Resistive Random Access Memory (ReRAM).
fotografie memristoru
Memristor neboli „paměťový odpor“ postuloval jako čtvrtý základní prvek obvodů profesor Leon Chua z University of California v Berkeley v roce 1971 a poprvé jej experimentálně prokázali vědci z HP Labs v roce 2006.
Takové paměti slibují nižší spotřebu energie a především stálost, tedy schopnost uchovat informace i bez nepřetržitého napájení. V porovnání se současnými paměťmi mají být ReRAM také rychlejší a mají ještě jednu výhodu. Memristor může řešit i logické funkce, takže je možné aby paměti prováděly i výpočty. K takovým produktům ale musí obě firmy urazit ještě kus cesty, a tak se zatím nedá říci, že by hotové ReRAM klepaly na dveře.
Zdroj: TZ
