Společnost Hynix Semiconductor představila paměťový modul o kapacitě 1 GB v provedení DDR2 SO-DIMM (pro výrobu se využívá 110 nm technologie). Vzorky pracují na frekvencích 400 a 533 MHz a jejich hromadná výroba začne ve druhém čtvrtletí. S oficiálním uvedením se však čeká na uvedení odpovídající čipové sady od společnosti Intel.
Reklama
Společnost Hynix Semiconductor představila paměťový modul o kapacitě 1 GB v provedení DDR2 SO-DIMM (pro výrobu se využívá 110 nm technologie). Vzorky pracují na frekvencích 400 a 533 MHz a jejich hromadná výroba začne ve druhém čtvrtletí. S oficiálním uvedením se však čeká na uvedení odpovídající čipové sady od společnosti Intel.
Reklama
Reklama
