První vzorky PCM (Phase-Change Memory) pamětí jsou již na cestě. PCM paměti mají být největším vývojovým skokem v oblasti non-volatilních pamětí za posledních 40 let. Předpokládá se, že z mnoha pokusů o vývoj pamětí těchto vlastností, má právě technologie PCM největší šanci na úspěch. Vývoj začal v roce 2003, kdy společnosti Intel a STMicroelectronics vytvořily joint-venture program. Na VLSI konferenci v roce 2004 představily první vzorky s kapacitou 8Mb, které byly vyrobeny 180nm technologií. V roce 2006, opět na VLSI konferenci, představily již 90nm 128Mbit čipy Alverstone. Ty jsou nyní dodávány jako testovací vzorky partnerům, přešlo se však ze SLC (single-level cell) technologie na MLC (multi-level cell). Výsledkem je vyšší hustota a nižší výrobní náklady na megabit. Díky vlastnostem pamětí DRAM (vysoká rychlost) i vlastnostem flash pamětí (jsou non-volatilní - nepotřebují napájení pro zachování informace) se předpokládá, že PCM nahradí paměti téměř všech typů.
První vzorky PCM (Phase-Change Memory) pamětí jsou již na cestě. PCM paměti mají být největším vývojovým skokem v oblasti non-volatilních pamětí za posledních 40 let. Předpokládá se, že z mnoha pokusů o vývoj pamětí těchto vlastností, má právě technologie PCM největší šanci na úspěch.
Vývoj začal v roce 2003, kdy společnosti Intel a STMicroelectronics vytvořily joint-venture program. Na VLSI konferenci v roce 2004 představily první vzorky s kapacitou 8Mb, které byly vyrobeny 180nm technologií. V roce 2006, opět na VLSI konferenci, představily již 90nm 128Mbit čipy Alverstone.
Ty jsou nyní dodávány jako testovací vzorky partnerům, přešlo se však ze SLC (single-level cell) technologie na MLC (multi-level cell). Výsledkem je vyšší hustota a nižší výrobní náklady na megabit. Díky vlastnostem pamětí DRAM (vysoká rychlost) i vlastnostem flash pamětí (jsou non-volatilní - nepotřebují napájení pro zachování informace) se předpokládá, že PCM nahradí paměti téměř všech typů.
Zdroj:
,
