Výrobní procesy Intelu jsou po létech strádání konečně plně konkurenceschopné. Kde je ale potřeba pořádně zabrat, je výrobní kapacita.
Intel se v oblasti výroby čipů snaží dohnat konkurenci a ideálně před ní získat náskok. V tomto ohledu sází především na výrobní proces Intel 14A. Podle viceprezidenta Chrise Autha má Intel díky své architektuře lepší předpoklady pro nasazení litografie High-NA EUV než společnost TSMC. Zásadním faktorem je zde technologie zadního napájení, která umožňuje přenést napájecí obvody na zadní stranu čipů. Tím se uvolní místo na přední straně pro výpočetní tranzistory a datové spoje, což v praxi znamená jednodušší výrobu.
V případě High-NA EUV litografie toto umožňuje k výrobě obvodů využít jen jeden průchod. Zatímco TSMC musí kvůli absenci zadního napájení využívat tzv. double patterning EUV, tedy osvit ve více fázích, Intel může proces zjednodušit. To s sebou přináší rovněž vyšší toleranci chyb a nižší nároky na přesnost při výrobě. Intel potvrzuje, že tato technologie je již nyní součástí PDK pro proces 14A, přičemž konkrétní implementace se řeší individuálně s každým zákazníkem.
Pokud jde o celkový souboj s tchajwanským gigantem, CTO Pushkar Ranade přiznává, že dohnat TSMC v otázce kapacity výroby bude pomalý a postupný proces. Z hlediska samotné technologie se však Intel považuje za vyrovnanou konkurenci. Rozdíly v parametrech, jakými jsou výkon, spotřeba nebo hustota plochy, se pohybují jen v řádu jednotek procent, což není zásadní propast mezi ním a TSMC. Kde ale Intel má velký problém, a sám to i přiznává, je právě ona nedostatečná výrobní kapacita. A to je nyní oblast, na kterou se chce soustředit.
