Seznam kapitol
Nemáte-li čas neustále sledovat dění v oblasti IT, ale přesto chcete být v obraze, pak vám pomůže přehled toho nejdůležitějšího, co se v oblasti hardware za právě uplynulý měsíc květen stalo.
Paměti DRAM, flash čipy
OCZ uvedlo Low-Voltage DDR2-1066 až DDR2-1200 paměti
Nové
4GB
dual channel kity
OCZ PC2-8500 Low-Voltage Blade Series
a
OCZ PC2-8500 Platinum Low Voltage Dual Channel
pracují na frekvenci 1066, 1150 MHz nebo 1200 MHz s napětím 1,8 V. Obě série se od sebe liší chladičem, první používá chladiče Blade, druhá pak XTC Platinum. Díky EVP jsou moduly v záruce i při běhu s napětím 1,85 V. Časování všech verzí činí CL5-5-5-18. Cena byla stanovena na €64 za řadu XTC PLatinum a €75 za Blade.
Samsung má 30nm 32Gb NAND flash čipy
Nové
32GB moviNAND
paměťové karty
Samsung
jsou složeny z osmi 32Gb čipů vyráběných nově
30nm
technologií. Právě tato výrobní technologie umožnila zvýšit kapacitu čipů na dvojnásobek. Dosud byly nejpokrokovějšími výrobky 16Gb 40nm čipy. Novinky budou k dispozici jako moviNAND i v kapacitách 16 GB, 8 GB a 4 GB. Předpokládá se využití v netboocích, hudebních přehrávačích, paměťových kartách (např. SDHC) a také v SSD discích.
Rychlé DDR2 paměti GOODRAM
GOODRAM
představil nové DDR2 paměti řady
PRO
, které jsou nabízeny s frekvencemi 1150 MHz nebo dokonce 1200 MHz, přičemž mají podporovat přetaktování až do 1400 MHz. Takový takt mají dosáhnout s napětím 2,4 V. Tyto novinky jsou k dispozici jako 2×1 GB dual channel kity a disponují latencemi CL5-5-5-15.
Micron začíná s výrobou grafických pamětí
Třetím největším výrobcem DRAM pamětí je společnost
Micron
. Ta nyní rozšiřuje nabídku svých produktů o
grafické paměti
. Micron by tak mohl snížit své ztráty, které za poslední kvartál dosáhly 751 milionů dolarů. Jako první by se měly ukázat DDR3 paměti vyráběné 50nm procesem s taktem 1,6 GHz. Micron doufá, že zaujme především nízká spotřeba daná napětím 1,35 V proti 1,8 V u GDDR3 pamětí. Výrobce by se chtěl věnovat i pamětem GDDR5.
Patriot uvedl paměťové kity DDR2 i DDR3
Pro Core i7 byly uvedeny nové kity pamětí
DDR3-1600
s kapacitou
3 GB
a pak
DDR3-1333
s kapacitou
6 GB
. Mají časování CL9-9-9-24 při napětí 1,65 V. Dále to jsou
DDR3-1600
a
DDR3-1333
dual channel kity s kapacitou
4 GB
s napětím 1,8 V. Další dva kity jsou rovněž dual channel v celkové kapacitě
4 GB (2×2 GB)
, jde o
DDR2-1066
s časováním CL7-7-7-20 a napětím 2,1 V a pak
DDR2-800
moduly s časováním CL5-5-5-12 a napětím 1,9 V.
A-Data přichází se 4GB DDR2-800 moduly
Platforma Intel CULV bude moci využít nové paměťové moduly
A-Data DDR2-800
. Využívají osmivrstvé PCB a díky napětí 1,5 V až 1,8 V se mohou chlubit i nízkou spotřebou, tak žádanou u mobilních zařízení.
