Galerie 35
Přehled dění v oblasti hardware za srpen 2008
Článek Ostatní Události

Přehled dění v oblasti hardware za srpen 2008 | Kapitola 3

Milan Šurkala

Milan Šurkala

6

Seznam kapitol

1. Přehled dění v oblasti hardware za srpen 2008 2. Grafické karty 3. Paměti DRAM 4. Základní desky, chipsety 5. Ukládání dat, disky, mechaniky, paměťové karty 6. Další postřehy

Nemáte-li čas neustále sledovat dění v oblasti IT, ale přesto chcete být v obraze, pak vám pomůže přehled toho nejdůležitějšího, co se v oblasti hardware za právě uplynulý měsíc srpen stalo.

Reklama

Paměti DRAM

OCZ P45 Special paměti

Přehled dění v oblasti hardware za srpen 2008

Především pro chipset Intel P45 jsou určeny nové paměti společnosti

OCZ

. Jedná se o

DDR2-800

paměti o opravdu vysokých kapacitách. Základem je

OCZ PC2-6400 Vista Upgrade

kit s kapacitou 8 GB (2×4GB moduly). Má časování CL 5-6-6-18 při napětí 1,8 V. Dále je zde

OCZ PC2-6400 Gold

s časováním CL 5-5-5-15 při napětí 1,8 V. Nabídku 8GB kitů uzavírá

OCZ PC2-6400 Platinum

s časováním CL 5-4-4-15 a taktéž napětím 1,8 V.

OCZ PC2-6400 Vista Upgrade

kit je rovněž k dispozici v konfiguraci 4×4 GB.

Elpida uvedla 2,5Gbps DDR3 čipy

Přehled dění v oblasti hardware za srpen 2008

Společnost

Elpida

uvedla první

1Gbit DDR3

čipy s přenosovou rychlostí

2,5 Gbps

. Při tom i s touto přenosovou rychlostí jsou schopny pracovat se základním napětím

1,5 V

.

1,8Gbps

verze budou k dispozici i v low-voltage verzích, kterým bude stačit napětí

1,2 V

a

1,35 V

. K dispozici však budou i 667Mbps verze. Elpida použila měděné propojení v obvodech místo hliníkových. Výsledkem je o 25 % vyšší výkon a o 22 % nižší spotřeba.

A-Data má cenově přijatelné DDR3-1333 moduly

Přehled dění v oblasti hardware za srpen 2008

S příznivým poměrem ceny a výkonu chce společnost

A-Data

bojovat o zákazníky v segmentu

DDR3-1333

pamětí se svými novými moduly s šestivrstvým PCB. Ty jsou nabízeny ve 2GB a 4GB dual-channel kitech s časování

CL 9-9-9-24.

S napětím 1,75 V však zvládly na desce Asus P5E3 Premium X48 časování CL 7-7-7-20.

IBM předvedla 22nm paměťovou buňku SRAM

Přehled dění v oblasti hardware za srpen 2008

V Albany ve státě New York má

IBM

své výzkumné zařízení, kde s pomocí

300mm

waferů vyrobili první

22nm

paměťovou buňku

SRAM

. Jediná buňka s šestitranzistorovým návrhem má plochu pouze 0,1 čtverečního mikrometru. Byla použita high-NA imerzní litografie.


Předchozí
Další
Reklama
Reklama

Komentáře naleznete na konci poslední kapitoly.

Reklama
Reklama