Seznam kapitol
Nemáte-li čas neustále sledovat dění v oblasti IT, ale přesto chcete být v obraze, pak vám pomůže přehled toho nejdůležitějšího, co se v průběhu minulého měsíce září stalo.
Operační paměti RAM
Corsair a Asus: první plody spolupráce
Tyto dvě firmy již nějakou dobu spolupracují a v důsledku toho
Corsair
představil nové paměti
XMS1024-3500LLPRO
a
TWINX2048-3500LLPRO
speciálně optimalizované pro základní desku
A8N32-SLI Deluxe
.
Moduly o kapacitě 1GB mají
18 LED
indikujících vytížení, časování
CL2 3-2-6 1T
zaručuje vysoký výkon, hliníkové chladiče pak lepší odvod tepla.
GeIL: 667MHz Ultra a 800MHz Value moduly
Společnost
GeIL
známá svými kvalitními a rychlými paměťovými moduly představila
800MHz
verzi
DDR2
pamětí řady
Value
, tedy pamětí za přijatelnou cenu, ale stále mající vysokou kvalitu. Časování činí
CL5 5-5-15
při napětí
1,8-2,4V
. Je otázkou co provedou poměrně vysoké latence s výkonem paměti.
667MHz DDR2
moduly řady
Ultra
sice nemají tak vysokou frekvenci, ale zase disponují o poznání nižšími latencemi,
CL3 4-4-8
při napětí
2,1-2,4V
. Jsou to paměti určené speciálně pro chipset
nVIdia nForce4 Intel Edition
. Bohužel není známá cena ani jedné z nově uvedených pamětí.
Infineon a Nanya pracují na 60nm technologii
Tyto dvě společnosti se rozhodly prohloubit svoji spolupráci. Vývoj 90nm a 70nm technologií tak bude rozšířen i o
vývoj 60nm technologie
. Ta by měla přinést další významné
snížení nákladů na výrobu
a v neposlední řadě také schopnost dosahovat vyšších frekvencí při pravděpodobně nižší spotřebě.
Vývoj probíhá v Mnichovu u Infineonu. Zaměstnáno je zde kolem 100 lidí,
první 60nm čipy
by se měly objevit v roce
2008
.
512Mbit DDR čipy pro spotřební elektroniku
Elpida uvedla na trh
512Mbit paměťové čipy DDR
pro spotřební elektroniku. Ty se využívají například v digitálních televizích, set-top boxech či DVD rekordérech.
Poptávka po pamětech se zvyšujícím se zastoupeních této elektroniky logicky stoupá. Elpida vyrábí moduly
32M×16bit
nebo
64M×8bit
, oba s časováním
CL3
a přenosovou rychlostí
400Mbps
.
Splňují
RoHS normu
, jsou dodávány v
66 pinovém pouzdře TSOP II
.
256Mbit pseudo-SRAM (UtRAM)
Společnost Samsung je první výrobce
256Mbit
paměti
UtRAM
(Uni-Tranzistor Random Access Memory). Tu vyrábí
90nm procesem
. Pracuje na frekvenci
133MHz
což zaručuje více než dost výkonu pro mobilní telefony, počítače do ruky a jim podobnou malou elektroniku. Velkým lákadlem je také
"near-zero-power"
, tedy prakticky nulová spotřeba.
Epson TFT-SRAM
Znáte-li zkratku TFT z oblasti LCD monitorů, pak vězte, že jde v tomto případě o velmi podobnou věc. Společnost
Epso
n vyvinula paměť
SRAM
(nepotřebuje se obnovovat jako DRAM), která je za pomoci technologie
SUFTLA
umístěna na plastickém substrátu. LCD má tranzistory na skleněném substrátu.
Nová paměť má nalézt uplatnění v malých, lehkých a flexibilních elektronických zařízeních. Kapacita prototypu činí
16kbit
, pracuje s napětím
3V-6V
, velikost čipu je
10,77×8,28mm
při tloušťce
200 mikrometrů
.
Samsung: NAND paměti převálcují všechno
Firma
Samsung
to s
NAND Flash pamětmi
myslí opravdu vážně. Už je protlačila nejen do Apple iPod nano, kde nahrazují miniaturní harddisky, ale plánuje s nimi další ofenzivu. Pomocí
50nm výrobního procesu
vytvořila
2GB čip s 16,6 miliony tranzistorů
.
Pomocí
16-ti
těchto čipů vytvořila
32GB Flash paměť
. Nízká cena tak umožňuje směle věřit plánům, kdy se mají nahradit pevné disky notebooků právě Flash pamětmi (což by ze čtyř takových pamětí nebyl problém), dokonce to jde tak daleko, že by měly být nahrazeny pevné disky s točícími se plotnami úplně. Ty sice v dnešní době procházejí velkým zdokonalením v podobě kolmého zápisu (přibližně o polovinu větší kapacita), ale nízká spotřeba a vlastně téměř neomezená životnost Flash pamětí má také něco do sebe, už se nebudete muset bát házet harddiskem. I když bych to přesto nedoporučoval.
GDDR4 se už blíží
Grafické paměti GDDR si našly u grafických karet své oprávněné zastoupení. Poskytují skvělé frekvence a tím i výkon. Jenže i tak aktuální GDDR3 dříve nebo později přestane stačit. Na jejich místo se plánují paměti
GDDR4
, které by měly být poprvé použity u grafických karet s čipem n
Vidia G80
, nástupcem dnešní GeForce 7800. Tak by se mělo stát v roce
2006
. Od nových pamětí se slibují vysoké frekvence, GDDR4 by měly začít na efektivních
1600MHz
(toho nedosahují ani dnešní GDDR3), dále by díky lepšímu výrobnímu procesu měly být levnější při nižší spotřebě elektrické energie.
3 paměti v jedné? U Samsungu žádný problém
Samsung vyvinul
10-čipový package
pamětí, který obsahuje nejen čipy
DRAM
, ale i
Flash
pamětí a to jak
NAND
tak i
NOR
. Obsahuje
2×4GB NAND Flash
čipy,
4×512MB DRAM
čipy a
4×256MB NOR Flash
čipy. Celková kapacita činí
11GB
.
Tyto paměti by měly najít uplatnění v mobilních telefonech či jiných přenosných zařízeních, kde se hraje na malý prostor, ale i vysokou rychlost a v neposlední řadě i funkčnost.
