Společnost Samsung již nějaký ten pátek vyrábí vlastní paměti 3D V-NAND, které nyní použila ke stvoření 3,2TB modelu SSD vybaveného rozhraním NVMe. Můžeme tedy očekávat především vysoký výkon.
Novinkou tedy je Samsung SM1715 jako vylepšená verze dříve představených
. Jde ale o kompletně odlišný formát v podobě karty s fyzickým rozhraním PCI Express, zatímco XS1715 byly 2,5" SSD. Nicméně obě verze ve skutečnosti pro komunikaci využívají stejné rozhraní, a to NVMe, takže obě mohou nabídnout vysoký výkon.
Paměti 3D V-NAND (Vertical NAND) mají tu výhodu, že díky navrstvení několika čipů na sebe mohou poskytnout vysokou kapacitu a dle Samsungu mají vertikálně propojené paměťové čipy také velmi vysoký výkon. To se odráží v celkovém výkonu a konkrétně nové 3,2TB NVMe SSD nabídne propustnost až 3000 MB/s, což platí pro sekvenční čtení. Sekvenční zápis je už pomalejší, ale stále jde o slušných 2200 MB/s. Náhodné čtení (4K) je velmi vysokých 750.000 IOPS a pro zápis platí 130.000 IOPS.
Samsung SM1715 přichází ještě také ve verzi s kapacitou 1,6 TB, takže se tato řada částečně kryje s 2,5" XS1715, která nabízí 800GB a 1,6TB model. Výrobce se také zmínil o výdrži svého nového SSD, která je velmi důležitá, protože jde o model, jehož nasazení se předpokládá především u velmi vytížených datových serverů. Model SM1715 s 3,2TB kapacitou může být denně desetkrát kompletně přepsán, a to po dobu pěti let, což je tedy minimum, co by měl zvládnout. Každá jeho paměťová buňka by tedy měla zvládnout více než 18.000 mazacích a zapisovacích cyklů.
Zdroj:
