Společnost Samsung poodhalila technologie pamětí blízké budoucnosti. Jde o koncept paměti zHBM a také novou technologii V10 BV-NAND, která se objeví už zanedlouho.
Na Future of Memory and Storage (FMS) 2026 v Santa Claře v Kalifornii ukázala společnost Samsung technologie pro budoucnost několika druhů pamětí. Zajímavá byla zejména architektura 3D pamětí HBM. Jmenuje se zHBM a jde o to, že se vrstvy HBM paměti dají přímo na výpočetní AI čip, ne vedle něj. To zkracuje dráhy mezi čipem a pamětí, což má ve výsledku zvýšit rychlost (tedy propustnost), zároveň se má 3násobně zvýšit efektivita. Nová technologie spojování waferů má navíc do budoucna 10násobně navýšit hustotu ve srovnání s pamětmi HBM5, které ještě ani pořádně neexistují (dodávají se akorát první vzorky HBM4E). Je tedy jasné, že zHBM je něco, co tu ještě pár let nebude. Tepelný odpor tohoto řešení by pak měl být poloviční.
Vedle toho ukázal i technologii zNAND-O, která bude ve 4 a 8vrstvých variantách s optimalizací I/O pro edge AI nasazení. Míří tak především na úlohy, kde je kritické real-time zpracování dat.
Pro běžné spotřebitele tu máme V10 BV-NAND (Bonding V-NAND), která přichází 13 let po uvedení první generace V-NAND pamětí. Má přes 400 vrstev a díky spojování waferů pro vrstvení paměťových buněk dosahuje oproti předchozí generaci V9 o 58 % větší hustoty dat. Samozřejmostí je vylepšení rychlosti čtení, zápisu a I/O operací obecně.
V roadmapě Samsungu jsou dále i paměti HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM. Společnost zde podotýká, že HBM4 se velkosériově začala vyrábět v únoru pomocí 1c procesu pro DRAM a 4nm procesu pro základní obvody, HBM4E se v prvních vzorcích dodává od května. LPDDR5X-PIM potom má přinést výpočty přímo v paměti (Processing-In-Memory), což má zvýšit efektivitu některých výpočtů.
