Technologie TSV (Through Silicon Via) zasáhla nyní už i do oblasti paměťových modulů. Samsung už podruhé pro výrobu RDIMM modulů využil vrstvené 3D paměti, které jsou vertikálně propojeny právě pomocí TSV.
Odměníme každého! Vyplňte komunitní průzkum a získejte luxusní ceny
Kdo jste, na čem a co hrajete, jaký obsah konzumujete a jaký vztah máte k AI? Věnujte nám pár minut a jako dárek za vyplnění získáte slevu na nákup a šanci získat také další luxusní ceny.
TSV (Through Silicon Via) můžeme tedy označit za vertikální datové spoje propojující jednotlivé vrstvy paměťového čipu. Ten tak již není jen jednovrstvý a rovinný jako doposud, ale v tomto případě čtyřvrstvý. To znamená, že na stejné místo se vejde čtyřnásobný objem paměti, a právě díky tomu může Samsung nabídnout moduly DIMM s kapacitou 128 GB. Navazuje tak na 64GB moduly 3D TSV DDR4 DRAM využívající první generaci těchto čipů, jež byly představeny již v minulém roce. Nové 128GB moduly mají vynikat nejen kapacitou, ale také vysokou energetickou efektivitou. To je zvláště důležité pro jejich plánované nasazení v serverech a datových centrech. Na jejich využití v osobních počítačích můžeme zatím zapomenout.
Dle více zdrojů je jeden 128GB TSV DDR4 RDIMM složen z celkem 144 čipů DDR4 s kapacitou 8 Gb, které jsou vyrobeny 20nm technologií a uspořádány do 36 čtyřvrstvých pamětí. To tedy dává hrubou kapacitu 144 GB na oboustranném modulu. Každá vrstvená paměť má tzv. master čip, který slouží i jako buffer pro celkovou optimalizaci výkonu a spotřeby paměťového modulu.
Díky tomu mohou nové paměti pracovat na rychlosti až 2400 Mb/s, což je asi dvojnásobek oproti 64GB LRDIMM, a to při snížení spotřeby na polovinu. Na obzoru jsou přitom další moduly s rychlostmi 2667 Mb/s a 3200 Mb/s a navíc se dočkají i běžní zákazníci, kterým chce Samsung také přinést paměťové moduly s TSV čipy DDR4 a podobnou technologii použije také pro výrobu nové generace pamětí HBM pro grafické karty.
Zdroj:
