Firma Samsung Electronics Co. Ltd. oznámila, že vyvinula 32-Mbit SRAM paměťový čip s nejnižší spotřebou energie, který hodlá směřovat do mobilních zařízení. Čip je vyráběn 0,11 mikronovým výrobním procesem a je o 33% menší než předcházející výrobky firmy Samsung. Přístupová doba je 55 ns a čip používá napětí 3.0 nebo 1.8 V při spotřebě proudu méně než 1 mA. Podle společnosti Samsung se také chystá přechod 8 a 16 Mbit čipů na 0,11 mikronový výrobní proces.
Firma Samsung Electronics Co. Ltd. oznámila, že vyvinula 32-Mbit SRAM paměťový čip s nejnižší spotřebou energie, který hodlá směřovat do mobilních zařízení. Čip je vyráběn 0,11 mikronovým výrobním procesem a je o 33% menší než předcházející výrobky firmy Samsung. Přístupová doba je 55 ns a čip používá napětí 3.0 nebo 1.8 V při spotřebě proudu méně než 1 mA. Podle společnosti Samsung se také chystá přechod 8 a 16 Mbit čipů na 0,11 mikronový výrobní proces.
