Včera firma Samsung Electronics, jeden z předních výrobců pamětí, oznámila vyvinutí prvního 50nm DRAM čipu typu DDR2. Efektivnost výroby by se tak měla v porovnání s původní 60nm technologií zvednout o 55 procent. Nové čipy mají velikost 1Gb a zahrnují trojdimenzionální tranzistorový design a vícevrstvou dielektrickou technologii, což by mělo dle Samsungu markantně zvýšit výkon a kapacitu budoucích paměťových modulů. 3D tranzisory SEG Tr mají širší elektronové kanály, čímž snižují spotřebu a poskytují vyšší výkon. Paměťové obvody jsou totiž kvůli pokračující miniaturizaci stále obtížněji vyrobitelné a zvláště těžké je zajistit bezproblémový tok elektronů. Nová technologie se plánuje pro široké spektrum produktů včetně grafických a mobilních DRAM pamětí. Start výroby ve velkém byl stanoven na rok 2008. Zdroj: DailyTech
Včera firma Samsung Electronics, jeden z předních výrobců pamětí, oznámila vyvinutí prvního 50nm DRAM čipu typu DDR2. Efektivnost výroby by se tak měla v porovnání s původní 60nm technologií zvednout o 55 procent. Nové čipy mají velikost 1Gb a zahrnují trojdimenzionální tranzistorový design a vícevrstvou dielektrickou technologii, což by mělo dle Samsungu markantně zvýšit výkon a kapacitu budoucích paměťových modulů.
3D tranzisory SEG Tr mají širší elektronové kanály, čímž snižují spotřebu a poskytují vyšší výkon. Paměťové obvody jsou totiž kvůli pokračující miniaturizaci stále obtížněji vyrobitelné a zvláště těžké je zajistit bezproblémový tok elektronů. Nová technologie se plánuje pro široké spektrum produktů včetně grafických a mobilních DRAM pamětí. Start výroby ve velkém byl stanoven na rok 2008.
Zdroj:
