Zpět na článek

Diskuze: TSMC chce ještě letos odstartovat výrobu 3nm procesem

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

Derryk

Level

3. 3. 2021 18:58

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

"Je ale otázka, k čemu ji využije, neboť pro výrobu iPhonů a iPadů nemá být letos dostupná 3nm kapacita dostačující. "

Proč by nebyla dostačující pro výrobu super exsluzivního výrobku v jednotkách např. tísíce kusů za 10000$? Cílová zákaznická základna Applu je na to přímo dělaná. Určitě se najde dostatek zájemců, kterým pocit vyjímečnosti za tu cenu stát bude, nehledě na sběratelskou hodnotu při limitovaném počtu kusů.

DarkRichelieu

Level

2. 3. 2021 21:36

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Tak vzhledem k velikosti atomu křemíku a to relativní velikosti, protože absolutní velikost atomu není v kvantové fyzice jednoduché stanovit, to bude tak 10-20 atomů vedle sebe, dost slušný pokrok za pouhých 74 let.

ZipX

Level

3. 3. 2021 01:44

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@DarkRichelieu 7nm proces stále vytvára cca 20x17nm tranzistory.. aj keby 3nm vytváral 12x9nm tranzistory, tak stále to je cca 110 angstromov vedľa seba, a keďže atom kremíka je cca 5.5a veľký, tak to bude tých cca 20 atomov.
V budúcnosti možno uvidíme okrem gaa tranzistorov aj niečo z grafenu, s výškou jedného atómu :D

wrah666

Level

3. 3. 2021 09:38

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@ZipX Počítám, že tranzistor poroste do výšky. Řekněme GAA dohnaná ad absurdum do podoby "věže" tranzistoru protkané "bránou". A zcela určitě by šlo i procesor dělat vícevrstvý, jako jsou třeba nand paměti. Teplota by myslím nemusela být nepřekonatelný problém, tuplem kdyby se lehce ubralo na frekvenci. 5ghz hodně topí, ale do nějakých 4 se dá jít relativně "za studena". Řekněme, že by 4 vrstvy procesoru netopily víc, než dnešní jedna. Myslím, že to nějakou dobu půjde tímto směrem.

honza1616

Level

3. 3. 2021 10:31

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@DarkRichelieu Jo to jsem tady už kdysi taky psal, že do tranzistorů na 1nm procesu by se vešlo asi 10 atomů,
Pochybuji že by se šlo dál, myslím že 2nm budou fyzikální hranicí současných tranzistorů,
Co bude dál těžko říct, jestli to vrstvení nebo nové tranzistory z uhlíkových nanotrubiček, stále budou muset být řádově větší, to se vrátíme do doby třeba 90nm, a to už bude záležet na jejich efektivnosti
každopádně Intel bude mít výhodu že na tyto technologické linky narazí až o pár let později, zatímco TSMC na tuto hranici narazí doslova každou chvíli s rychlostí kadence nových procesu