Paměti RAM (strana 30 z 56)

Společnosti Qimonda a Sony oznámily, že začnou spolupracovat na vývoji výkonných paměťových technologií. Založí tak firmu se společnou majetkovou účastí Qreatic Design. Zatím o zmíněných technologiích není známo mnoho, ale nová společnost by jimi mohla vytvořit konkurenci firmám jako Rambus. Finančně se Qimonda a Sony budou podílet na Qreatic Design rovným dílem a od obou poputuje do nové firmy dohromady 30 specialistů. Pracovat se začne v japonském Tokiu již do konce kalendářního roku. Vyvíjet se tedy budou výkonné, ale zároveň nízkospotřebové paměti DRAM, které budou určeny spíše pro specifické potřeby zákazníků. Společnosti se však nezmínily, zda hodlají stavět na nynějších technologiích jako DDR, GDDR nebo XDR, či se zaměří na vývoj zcela nového typu. Počáteční stav specialistů ale napovídá, že půjde spíše o první možnost. Prezidentem a vrchním výkonným pracovníkem se stal Tsuyoshi Kashiwagi z firmy Sony. Předseda správní rady je zase Thomas Seifert z Qimondy. Zdro

Společnost G.Skill International Enterprise vydala 4GB kit (2 x 2 GB) pamětí PC2-8000, či jinak DDR2-1000. Ačkoliv se to zdá pomalu jako nelogické v době nastávajících DDR3, nové procesory AMD Phenom a systém Vista jistě přinesou zvýšenou poptávku i po výkonnějších pamětech DDR2 s vyšší kapacitou. Moduly označené F2-8000CL5D-4GBPQ se pyšní latencí 5-5-5-15, která sice není úplně nejlepší, ale pamětem stačí 2 – 2,1 V pro bezproblémový chod. Navíc výrobce tyto hodnoty garantuje a na paměť poskytuje doživotní záruku. Zdroj: Fudzilla

Jak bylo předpovězeno dle roadmap Intelu, FB-DIMM končí u DDR2 a jejich místo přeberou Registrované ECC moduly DIMM (Registered DIMM, RDIMM). Problém FB-DIMM je totiž jejich spotřeba, která by při dvojnásobné frekvenci už byla nesnesitelná, zejména u víceprocesorových serverů. Na IDF Fall 2007 v San Francisku tak výrobci předváděli spoustu modulů od DDR3-800 po DDR3-1333 ECC Reg., v kapacitách 1 – 2 GB. Došlo ale i na platformy s DDR2 RDIMM a Samsung představil 8GB paměťový modul DDR2-667 a 4GB DDR2-800. Vývoj Registrovaných pamětí je v plném proudu a další novinky budou postupně přicházet. Zdroj: The Inquirer

Na trhu paměťových čipů DDR2 SDRAM se objevily nové čipy společnosti Elpida, které při kapacitě 2 Gbit mohou běžet na frekvenci 1066 MHz. Jedná se tedy o DDR2-1066 paměti. Jsou tedy o 30 % rychlejší než DDR2-800 paměti a oproti již existujícím 2Gbit DDR2-SDRAM čipům Elpidy mají také o 20 % nižší spotřebu. K dispozici budou pod označením EDE2104ABSE a EDE2108ABSE. První vzorky mají být dodávány od října, masová produkce pak započne ještě před koncem tohoto roku. Nové čipy dají možnost vzniku 8GB registrovaným DIMM modulům stejně jako klasickým 4GB modulům DIMM, případně SO-DIMM. Zdroj: www.cdrinfo.com, www.elpida.com

Na trhu se objevily další moduly, které splňují certifikaci Intel Extreme Memory Profile (XMP), tentokrát od společnosti Corsair. Specifikace XMP vyžaduje, aby byly moduly na chipsetech Intel P35 a X38 velmi snadno taktovatelné, jejich SPD má umožňovat rozsáhlé možnosti manuálního nastavení. K dispozici budou dual channel kity s kapacitou 2 GB řady Dominator TWIN3X2048-1800C7DFIN, které nabídnou efektivní frekvenci 1800 MHz při časování CL7-7-7-20. Cena této sady má činit $599. Dále se bude jednat o řadu XMS3 DHX s efektivní frekvencí 1600 MHz. K dispozici bude dual channel kit s kapacitou 4 GB (2×2 GB) v podání modulů TWIN3X4096-1600C7DHXIN a kapacitou 2 GB (2×1 GB) v podání pamětí TWIN3X2048-1600C7DHXIN. Časování činí CL7-7-7-20 a ceny $899, resp. $499. DHX moduly se vyznačují čtyřvrstvým heatsinkem. Zdroj: www.cdrinfo.com

Společnost Samsung sice už vyráběla 2Gbit DRAM paměťové čipy, ale to bylo ještě 80nm technologií a s maximální frekvencí 667 MHz. Nyní přechází u 2Gbit čipů na 60nm technologií a rovněž zvyšuje frekvenci o 20 % na výsledných 800 MHz. Máme zde tedy 2Gbit DDR2-800 čipy. Efektivita výroby by díky podstatně nižším rozměrům měla být navýšena až o 40 %, což rozhodně není zanedbatelné a jistě se to podepíše na nižších cenách výsledných paměťových modulů. Ve srovnání s 1Gbit čipy je na výrobu modulu stejné kapacity potřeba polovičního počtu čipů a podle společnosti spotřebuje modul s 2Gbit čipy asi o 30 % méně elektrické energie než srovnatelný modul s 1Gbit čipy. Výhodou nižší spotřeby je také snížení nároků na chlazení a vyšší spolehlivost. K dispozici budou prakticky všechny možné varianty modulů, nabídka začíná vysoce výkonnými 8GB FB-DIMM pamětmi, pokračuje 8GB registrovanými RDIMM moduly, dále bude možno koupit klasický 4GB DIMM nebo 4GB verzi SO-DIMM p

I základní paměti DDR3 jsou pro normální uživatele stále nesmyslně drahé, ale firmy se stále předhánějí v tom, kdo přinese nejvýkonnější moduly. A také stále častěji ve spojení s paměťmi slyšíme o nových technologiích, které k tomu napomáhají, ať už se tedy za honosným názvem technologie skrývá cokoliv. Nyní je to společnost Super Talent, která představuje Project X, DDR3 s kombinací vysokých frekvencí a agresivního časování, pro což muselo být použito i nové řešení chlazení. Project X tak reprezentuje nejpokročilejší paměti od této firmy – například W1800UX2GP, moduly typu DDR3 PC3-14400 s frekvencí 1800 MHz a časováním CL7 7-7-21 při opravdu vysokém napětí – 2 V. A dále to jsou 1600MHz W1600UX2GP s časováním CL7 6-6-18 a napětím 1,8 V. Moduly se budou dodávat po dvojicích (2x 1 GB) za koncové ceny cca 599 a 559 USD. Zdroj: X-bit labs

Společnost OCZ Technology přišla s informacemi o paměťových modulech s podporou XMP (eXtreme Memory Profiles), které se uplatní na platformě Intel X38. Jedná se o takovou konfiguraci SPD (Serial Presence Detect) čipů, která na příslušných základních deskách pamětem dovolí pracovat i s oficiálně nepodporovanými nastaveními. Tyto moduly proto budou určeny především pro nadšence. Na základních deskách s čipovou sadou Intel X38 tedy XMP moduly budou moci pracovat na vyšších frekvencích a s agresivnějším časováním. Donedávna bylo také neslýchané, aby sám Intel sám podporoval na svých čipových sadách taktovací pokusy a nabízel k tomu nástroje. XMP toto má dovolit pomocí systému stanovených a ověřených profilů, jež uživatelům ušetří pokusy s jednotlivými parametry. Navíc budou tak zpřístupněny i volby, jež v klasickém BIOSu uživatelé nenajdou. První takové moduly budou OCZ DDR3 PC3-12800 Intel XMP Ready Titanium Edition, jež pracují na 1600 MHz při CL8 8-8-27 nebo CL7 6-6 a zvý

Kingston uvede brzy nové paměti DDR3-1375 (PC3-11000) s velmi nízkým časováním CL5 (5-7-5-15), což je na tuto frekvenci opravdu málo. Ostatní výrobci se hrnou do velkých frekvencí, ale s poměrně velkým časováním. Až AMD uvede AM3, nastane teprve boom DDR pamětí, ale i tak se zpočátku budou prodávat hlavně modely s nižší frekvencí, jelikož prostě vysoko taktované paměti budou moc drahé. Moduly Kingston HyperX (KHX11000D3ULK2/2G) budou prodávány jako 2GB kit a už je lze objednat i za necelých 630 Eur. Dostupné mají být během příštích několika týdnů, zejména v Německu. Zdroj: Fudzilla

Německý výrobce paměťových DRAM čipů, Qimonda, představil nové grafické paměťové čipy GDDR3 s kapacitou 1 Gb a také vylepšené stávající čipy. K dostání tedy budou čipy s kapacitami 256, 512 a 1024 Mb, přičemž jimi dosahované frekvence jsou 2 GHz pro 256 a 1024Mb čipy a 2,4 GHz pro 512Mb. V současnosti vedou GDDR3 s podílem 90 % trh s paměťmi pro grafické karty (dle průzkumu společnosti Mercury Research), v příštím roce již převezmou iniciativu GDDR4 a pomalu nastoupí GDDR5 (ty mají dosáhnout 7% podílu), v roce 2009 již mají trh vést GDDR5 se 44 %. Prvních vzorků GDDR5 se prý dočkáme ještě letos. Zdroj: VR-Zone

Evropská komise poslala firmě Rambus oznámení s námitkami (SO - Statement of Objections) a obviňuje ji z porušování evropských antitrustových zákonů. Firma Rambus, přední vývojová společnost na poli počítačových pamětí, se zodpovídá z vymáhání absurdních licenčních poplatků od výrobců pamětí a také že učinila tzv. "patentové přepadení". Rambus si klade nároky na patenty klíčových technologií použitých v moderních pamětech SDRAM, DDR SDRAM a DDR2 SDRAM. Výrobci pamětí však poukazují na to, že Rambus tyto patenty získal oklamáním organizace JEDEC (standardizační orgán EIA - Electronic Industries Alliance). Námitky EK mluví o tom, že Rambus cíleně jednal podvodným způsobem. Zamlčel totiž existenci patentů, o kterých až později prohlásil, že mají spojitost s přijatými standardy. "Takové jednání je označováno jako patentové přepadení," píše se v dokumentu Evropské komise. Dále komise také říká, že Rambus porušil pravidla dohody EK tím, že zneužil podvodně získaného domina

Paměti typu STT-RAM (Spin Torque Transfer RAM) budou vyvíjeny ve spolupráci firem IBM a TDK. Princip fungování STT-RAM je možná patrný již z názvu – manipuluje se zde se spiny atomů pomocí elektrického proudu. Spin se může měnit podle směru rotace (vlevo, vpravo) či podle pozice (nahoru a dolů). Změna spinu mění vodivost, což může reprezentovat typickou nulu nebo jedničku. V plánu je vytvořit během čtyř let funkční prototyp vyráběný 65nm technologií. Společnost Grandis, začátečník v Silicon Valley, si však věří více a momentálně se snaží vyrobit prototypy pro investory a doufá, že se paměti dostanou na trh ještě na konci příštího roku. IBM se dříve snažilo vytvořit jiný typ magnetických pamětí, MRAM, ale nastaly potíže se zhuštěním tranzistorů do čipu. „Když čip děláte menší, je potřeba zesílit magnetické pole, což je ale nepraktické,“ řekl Bill Gallagher, starší manažer výzkumu non-volatilních pamětí v IBM. „K tomu, abychom se dostali pod 65 nm, pot

Díky opětovně sníženým cenám DRAM čipů ceny pamětí v poslední době klesaly, to ale logicky zapříčinilo vyšší poptávku, na což bude reagováno zvýšením ceny kontraktů. Ceny pamětí tedy opět půjdou nahoru. Alespoň toto oznámil největší výrobce DRAM čipů, společnost Samsung. Ačkoliv Samsung přímo neřekl, o kolik se ceny zvednou, Chu Woo-sik, šéf investičního styku, prohlásil, že Samsung hodlá provozní zisk oproti předchozímu čtvrtletí (350 milionů amerických dolarů) zdvojnásobit či ztrojnásobit. Ruku v ruce s DRAM se zvýší ceny NAND Flash čipů a také LCD obrazovek. Zdroj: Sydney Morning Herald

Společnost Patriot uvedla zatím nejrychlejší paměti DDR3 s frekvencí 1866 MHz (PC3-15000). Oproti pamětem od Supertalentu mají tyto časování o chlup lepší, tedy 8-8-8-20 při napětí 1,9 V. Paměti jsou chlazeny pro Patriot typickým pasivem s dlouhými žebry, ovšem tentokrát se jedná o nelakovaný hliník. Moduly označené PDC32G1866LLK se budou prodávat jako 2GB kit (2 x 1024 MB), prodej začne ve Velké Británii a Švýcarsku za cenu 660 amerických dolarů, přičemž na ně bude poskytována doživotní záruka. Zdroj: Fudzilla

Německý výrobce MSC a vlastník značky Cellshock, který se zaměřuje také na ladiče výkonu, přišel s vlastními DDR3 moduly s frekvencí až 1800 MHz. Do nabídky se tak zařadí dva 2GB paměťové kity s frekvencemi 1600 MHz a 1800 MHz. Celými názvy se jedná o CS3222580 - DDR3 1800MHz 8-7-6-21 2GB Dual Channel Kit a CS3222270 - DDR3 1600MHz 7-6-6-18 2GB Dual Channel Kit. Jak je vidět, časování těchto modulů je velice nízké a mělo by tak tyto paměti činit nejrychlejšími DDR3 1600 a 1800MHz moduly na trhu. MSC totiž používá kvalitní PCB optimalizované pro produkty Micron. Přitom by také napájecí napětí nemělo překročit 1,9 V. Nové moduly Cellshock již jsou k dispozici za ceny 439, respektive 499 Euro a přicházejí s 5letou záruční lhůtou. Zdroj: X-bit labs

OCZ technology připravuje pro německou Games Convention, největší herní událost na světě, představení svých komponent, tedy především počítačových pamětí a také ostatních produktů z repertoáru PC Power and Cooling. Na Games Convention v lipském výstavním centru ji budete moci vidět od 23. do 26. srpna - hala 4, C26. PC Power and Cooling ukáže především nové napájecí zdroje i z oblasti hi-endu. Nejvíce budou na očích ale nové DDR3 moduly s frekvencí až 1800 MHz a využitím vodního chlazení. A nakonec to bude také Neural Pulse Actuator - zařízení pro interpretaci nervových impulzů pro ovládání počítače, které může být použito i pro hraní jednoduchých FPS her. Při exhibici se tak s využitím těchto zařízení budou moci zájemci utkat proti sobě. Zdroj: OCZ Technology

První výrobcem, který začne vyrábět DRAM čipy 65nm výrobním procesem, bude japonská firma Elpida. Vyrábět se začnou ještě v průběhu tohoto finančního roku v továrně umístěné v Hirošimě. Jakmile bude zahájena výroba v Hirošimě, začne tímto procesem čipy vyrábět i partner Elpidy, tchaj-wanský Rexchip. Elpida má ještě smlouvu s Intelem, ale co budou či nebudou společně vyvíjet a vyrábět, nikdo mimo ně neví. Současný 90nm proces již pomalu dosahuje svého maxima, neboť dosahované frekvence končí blízko za hodnotou 2000 MHz. Přitom napětí pro dosažení této frekvence musí již být vcelku vysoké ve srovnání s pomalejšími DDR3 moduly. 65nm proces přinese stejně jako u procesorů menší tepelné ztráty a nižší provozní napětí, což znamená i vyšší dosažitelné takty. Navíc kapacita je dnes maximálně 1 Gbit na čip, ale logicky s menším procesem se na stejně velký kus křemíku „více vejde,“ proto můžeme očekávat zřejmě i čipy s 2Gbit kapacitou, tedy 4 GB moduly. Vzhled

Nedávno společnost OCZ oznámila nové paměti typu DDR3-12800, které pracují na 1600 MHz při časování až 7-6-6-20 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Nyní přichází na řadu podobné moduly série Flex XLC, což je vedoucí série produktů této firmy. Není tedy divu, že tyto paměti nabízí ještě lepší parametry. Paměti tedy také pracují na základní frekvenci 1600 MHz, ale už při časování 6-6-6-18. Navíc bylo vylepšeno jejich chlazení k radosti majitelů vodních chladicích sestav, ale to nakonec využít nemusíte a můžete se spolehnout na vzduch. Zatím nebyly oznámeny ceny, ale v obchodech se 2x 1 GB DDR3-12800 verze Platinum prodávají za 650 - 700 USD a Flex XLC typicky stojí o 50 - 100 USD více. Kity 2x 1 GB budou také jediná podoba, v jaké budou paměti nabízeny. Zdroj: TG Daily

Společnost Hynix Semiconductor si od společnosti Innovative Silicon licencovala paměťovou technologii Z-RAM pro použití ve svých pamětech DRAM. Paměti DRAM založené na Z-RAM budou využívat jednotranzistorové buňky (single transistor bitcell), ne kombinaci tranzistorů a kondenzátorů. Hynix tak do rukou dostává zajímavou technologii, která by mohla podstatně zlepšit jeho postavení na trhu díky předpokládané levné výrobě, protože mají menší rozměry při stejné kapacitě. Technologii Z-RAM si již v minulosti licencovala firma AMD, která ji chtěla využít u svých 65nm procesorů pro cache. Nakonec z toho ale sešlo a ani IBM se pro Z-RAM nerozhodlo a radši zůstalo u eDRAM. AMD si ale licenci samozřejmě ponechá a možná ji využije pro jiné účely. Společnost Innovative Silicon hodlá s Hynixem dle slov jejího CEO Mark-Erica Jonese na vývoji Z-RAM spolupracovat. Oproti SRAM má Z-RAM nabídnou pětkrát větší hustotu a ve srovnání s DRAM dvakrát větší. Co se týče spotřeby, pak si techno

Na serveru The Inquirer se nedávno objevilo několik odkazů na různé testy komponent, mimo jiné DDR3 pamětí. Všichni výrobci totiž zákazníky ohromují vysokými frekvencemi a slibují vysoké propustnosti, ale je tomu tak? Jediný, kdo v současné době podporuje DDR3, je Intel, ovšem ten se stále u FSB drží šířku pásma pouhých 64 bitů. Ani paměti taktované na frekvenci 2 GHz tak nenabízejí v syntetických benchmarcích větší propustnost než necelých 9 GB/s, přitom propustnost pamětí DDR2 taktovaných pouze na 1,33 GHz, je také kolem 8,5 GB/s. Paměti DDR3 tak prakticky prozatím nenabízejí absolutně žádný výkon navíc. To samé, ale přímo v porovnání téměř totožných komponent, tvrdí i starší test zveřejněný zde. Pokud si navíc uděláme srovnání s AMD, tak zde je výhra AMD naprosto jistá. Již i nejobyčejnější DDR paměti měly propustnost přes 6 GB/s, u DDR2 pamětí pak není problém dosáhnout 10 GB/s, což je stále více, než nabízí DDR3 u Intelu. Jak jsem již říkal dříve, pravý boom DD

Společnost OCZ Technology oznámila dostupnost SPD-Z, kterýžto nástroj má za úkol přepsat SPD čip na vašich OCZ pamětech, čímž by měl zlepšit kompatibilitu, zvýšit výkon, nebo rovnou obojí. OCZ svou SPD-Z technologii představuje jako světově první nástroj, jímž si mohou uživatelé sami přeprogramovat SPD čipy svých pamětí a vylepšit si je tak. "Vylepšování hardware a firmware se stalo hlavním nástrojem většiny OEM dodavatelů hardware, aby se tak odlišili od svých konkurentů, avšak to má v některých případech dopady na kompatibilitu," řekl Dr. Michael Schuette, viceprezident technologického vývoje v OCZ. "Odpověď firmy OCZ na tento stav je patentovaná technologie SPD-Z, která umožní si vybrat mezi různými SPD z knihovny, a optimalizovat tak komunikaci mezi základní deskou a pamětí." Dnes je již k dispozici betaverze tohoto nástroje (340 kB) a další SPD budou do knihovny přidávány každý týden. Využít budete moci i rad a tipů od technické podpory OCZ a stejně tak od uživ

DDR3 paměti mají očividně opravdu velké rezervy ve frekvencích, neboť výrobci se neustále předhánějí v tom, kdo uvede rychlejší paměti a už dnes dosažené hodnoty jsou vysoko nad hodnotami, které dosahovaly DDR2 paměti. Společnost SuperTalent nyní uvádí paměťové moduly o frekvencích až 1866 MHz (PC3-14900). I při těchto rekordních frekvencích se mohou pochlubit latencemi CL8-8-8-24. Moduly W1866UX2G8 (2×1GB dual channel kit testovaný na desce Asus P5K3 Deluxe) však k těmto krásným výsledkům vyžadují napětí 1,9 V, takže úspornost DDR3 pamětí zdá se bere za své. Jejich cena by měla činit $625, což by mělo být v přepočtu asi 16500 Kč s DPH. Společnost počítá s tím, že do konce roku uvede i 2133MHz moduly s časováním CL9. Zdroj: www.xbitlabs.com

Ceny paměťových modulů dlouhodobě zaznamenávají trvalý pokles, čímž se zisky všech výrobců neustále a drasticky krátí. Jen ten, kdo přijde s něčím novým, si může krátkodobě ponechat ceny vyšší. Podle DRAMeXchange statistik DDR2 DRAM 512MB moduly ve druhém kvartále klesly o více jak 40%. Nicméně výrobci přešli na 300mm křemíkové desky, 70nm výrobní proces a výsledkem byl celkový nárůst prodejů o 23 % ve srovnání s prvním kvartálem tohoto roku. Výsledky jsou sestaveny v tabulce. Vývoj na prvních deseti místech za uplynulé období je sestaven do grafů, kde je vidět, že Samsung se vrátil na první pozici, naopak Hynix ji ztratil. Omnia zaznamenala další ztrátu podílu na trhu, jinak byl vývoj vcelku poklidný. Zdroj: Mydrivers