Paměti RAM (strana 29 z 56)

Společnost Walton Chaintech zveřejnila informace o nových pamětech Apogee GT s přídomkem Blazer. Jedná se o 2GB kit DDR3-2000 (PC3-16000) s čipy Micron D9G a při své frekvenci nabízí časování 9-8-8-24, díky čemuž se z nich stávají prozatím nejrychlejší DDR3 paměti (předchozí modely od A-DATA měly horší časování 9-9-9-24). Chaintech však šel ještě dál, jedná se opravdu o kit v pravém slova smyslu, paměti jsou totiž napevno spojeny černě eloxovaným pasivním chladičem. Díky tomu dosahují velké chladicí plochy, na druhou stranu je tak nemožné osadit všechny čtyři sloty (pokud nepůjde pozici pamětí na chladiči upravit). Cenu Chaintech nezveřejnil, ale vzhledem k cenám ostatních DDR3 modulů nebude nijak nízká. Zdroj: VR-Zone

Podle zdrojů v oblasti paměťových DRAM čipů ohlásil Samsung nabídku GDDR2 pamětí za pouhých padesát amerických centů za kus. S přihlédnutím k tomu, že běžná cena se pohybuje kolem dolaru čtyřiceti, je celkem pochopitelné, že konkurenti Samsungu se bouří. Ovšem každá mince má dvě strany. Rozhodnutí Samsungu je pochopitelné, jedná se o čipy v konfiguraci 16Mx16 (32 MB), což dá ve výsledku maximálně 256 MB na grafickou kartu, na dnešní poměry málo, navíc jedná se o GDDR2, které jsou dnes k nalezení pouze u low-endových karet. Výrobce chce pravděpodobně vyprodat zásoby, než přijdou nové karty, z nichž jen málokteré budou používat právě GDDR2. Málokdo také uvěří, že zisky výrobců DRAM stojí na GDDR2 pamětech. Někteří mohou přijít o další část již tak malých zisků (případně prohloubí ztrátu), ale to se dá označit jako prostá konkurence. Problém nastane, pokud některý z výrobců podá žalobu z důvodu zneužívání dominantního postavení, které Samsung na poli DRAM má. Zd

Vydání čipové sady Intel X48 se kvapem blíží, a možná také právě proto OCZ nyní představilo nové paměti DDR3-1800 z rodiny XMP, určené zejména právě pro ni. XMP znamená eXtreme Memory Profile a nejedná se o nic jiného, než možnost běhu ve dvou nastaveních (profilech) časování – standardní (Intelem schválené) nastavení 8-8-8 (CAS-TRCD-TRP) a rychlejší 7-7-7. Moduly PC-14400 budou dostupné buď po jednom gigabajtovém kusu (označení OCZ3T1800XM1G) nebo jako 2GB kit (označení OCZ3T1800XM2G). Obě verze pracují při napětí 2,05 V, chladí je pasivní chladiče OCZ Titanium Z3 XTC (s otvory tvaru včelích plástů a s písmenem Z uprostřed) a poskytována na ně bude doživotní záruka. Zdroj: Fudzilla

Společnost Micron začala dodávat vzorky svých nových paměťových čipů DRAM DDR2, které jsou vyráběny úspornější 68nm technologií. Proces nazvaný 6F2 nahradí má nahradit současnou 80nm výrobu. Nové čipy při kapacitě 1 Gb zaberou plochu pouze 56 mm2, díky čemuž Micron zvýší výtěžnost z waferů, a tedy sníží náklady. Důležitá je také snížená spotřeba, dle společnosti až o dvacet procent, což se projeví hlavně v mobilních zařízeních a ve velkých datových centrech s množstvím uzlů osazených velkým počtem pamětí, kam budou směřovány i první dodávky koncových produktů. Masová produkce započne na začátku příštího roku, 68nm DDR3 a další čipy přijdou až v jeho druhé polovině. Zdroj: eeTimes

Paměťové technologie jdou stále dál, jak kapacitou, tak rychlostí. Vývoj se netýká jen osobních počítačů, ale také těch přenosných, kde jsou kvůli nedostatku místa třeba vždy trochu méně prostorově náročná řešení. TwinMOS nyní představil paměti SO-DIMM DDR3-1333 určené právě pro laptopy. Nebylo řečeno a ani na stránkách TwinMOSu napsáno, s jakou kapacitou budou moduly pracovat, nicméně při osazení jejich PCB osmi či čtyřmi čipy lze předpokládat, že kapacity budou 512 MB a 1 GB. Výhodou je práce při napětí 1,5 V (oproti 1,8 V u DDR2), což je 20% úspora energie; baterie laptopů tak jistě vydrží minimálně o několik minut déle. Zdroj: VR-Zone

Výrobce operačních pamětí Patriot představil nové verze svých pamětí typu DDR2 a DDR3. Oproti původním verzím jsou dodávány s vylepšenými chladiči ze slitiny mědi a hliníku (aluminum-copper composite, ACC). Název Typ / frekvence (MHz) Kapacita (kit) Časování Provozní napětí PVS24G6400LLK PC2-6400 / 800 4 GB 3-4-3-8 2,3 V PVS22G6400XLK PC2-6400 / 800 2 GB 3-4-3-8 2,3 V PVS32G1600LLK PC2-8500 / 1066 2 GB 5-5-5-15 2,3 V PVS34G1600LLK PC2-9200 / 1150 2 GB 5-5-5-12 2,3 V PVS22G9600ELK PC2-9600 / 1200 2 GB 5-5-5-12 2,3 V PVS32G1333LLK PC3-10666 / 1333 2 GB 7-7-7-20 1,7 V PVS34G1333LLK PC3-10666 / 1333 4 GB 7-7-7-20 1,7 V PVS32G1600LLK PC3-12800 / 1600 2 GB 7-7-7-18 1,9 V PVS34G1600LLK PC3-12800 / 1600 4 GB 7-7-7-20 1,9 V PVS32G1866LLK PC3-15000 / 1866 2 GB 8-8-8-24 1,9 V Ve srovnání s původními pasivními chladiči mají tyto dosahovat díky svému tvaru o 90 % lepšího rozptylu tepla, v praxi tak jsou paměťové moduly o prý 20 % chladnější. V tabulce jsou shrnuty všechny modely s novými chladiči, jeji

Společnost Samsung odhalila 6GHz paměti typu GDDR5, které budou za nějaký čas k dispozici velmi výkonným grafickým kartám, které si nyní o takových modulech mohou nechat zdát. Paměti byly představeny v podobě 512Mb (16Mb x 32) čipů, o nichž bylo řečeno, že dovedou přenášet data rychlostí 24 GB/s. Nové moduly tak pracují na frekvenci, která je o asi 3,5 GHz vyšší, než jaké jsou schopny dnešní nejrychlejší GDDR4 čipy. Paměti GDDR5 přitom pracují s napětím 1,5 V. Jejich vzorky Samsung zaslal svým největším partnerům již minulý měsíc a produkci ve velkém hodlá zahájit v první polovině příštího roku. Firma předpokládá, že GDDR5 ovládnou do roku 2010 více než 50 % trhu s high-end PC grafikami. Zdroj: X-bit labs

Společnost OCZ Technology připravila pro své zákazníky zbrusu nový kit DDR2 pamětí o celkové kapacitě 8 GB (4x 2 GB). Pro běžného uživatele tedy tento kit určený není, ale pokud využíváte paměťově extrémně náročné aplikace, nový kit OCZ2P8008GQ je zde pro vás. Moduly jsou taktovány na 800 MHz a přitom mají časování CL 5-4-4-18 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Pracovní napětí je zde 2,1 V, avšak OCZ zákazníkům povoluje používat 2,2 V, aniž by přitom ztratili poskytovanou doživotní záruku. Jejich chlazení pak zajišťují platinově zbarvené děrované pasivy s písmenem 'Z' z loga firmy. Zdroj: TZ OCZ

Slavná firma zaměřená na vývoj pamětí, společnost Rambus, nyní oznámila, že pracuje na pamětech s propustností v řádu jednoho terabytu za sekundu, což bude výhledově potřeba pro rozvoj vícejádrových řešení (procesory, grafické karty). Oproti současným propustnostem (při frekvencích 500 MHz) asi 1 Gb/s mají vyvíjené paměti dosáhnout na 16 Gb/s při stejné frekvenci, celkově se však má propustnost zvýšit 32x, vše díky DQ linku. Rambus zároveň představil FlexLink, který by měl k dosažení propustností také pomoci. Nicméně praktické nasazení nebude dříve než v roce 2011. Zdroj: Fudzilla

Nové čipové sady, jako například Intel X48, pomalu přichází, a tak se již pomalu uvažuje i o nových pamětech DDR3. Jejich cena také pomaličku klesá a sem tam se již jistě najde někdo, kdo je zakoupí. Nyní společnost A-DATA ohlásila první prodávané DDR3 paměti, které pracují při 2 GHz (DDR3-2000, PC3-16000). Moduly jsou označeny názvem AD32000X002GMU, jedná se o kit 2 x 2 GB. Moduly pro svůj správný běh vyžadují napětí 2,05 – 2,15 V, pak zvládají i časování 9-9-9-24. Dle A-DATA je propustnost pamětí v testu programu Everest kolem 13 GB/s. Zdroj: Fudzilla

Stále levnější DRAM čipy výrobcům způsobují ztráty, u některých se v posledním čtvrtletí tohoto roku čekají v řádech miliard dolarů. Současně stojí jeden 512 Mb DRAM čip méně než jeden americký dolar, a proto začali někteří Korejští výrobci omezovat jejich výrobu, aby zvýšili cenu. Vyplývá to z analýzy společnosti Isuppli, která také předpokládá změnu až příští rok. To znamená pro některé výrobce celý jeden rok ve ztrátě či alespoň se snižujícími se zisky. 512 Mb DRAM čip dnes stojí méně než jeden dolar Jelikož ztráty jsou u některých producentů vskutku veliké, očekávané a tak dlouho odkládané zdražení čipů a tedy všech paměťových produktů nakonec zákonitě přijde, nikdo není schopen říci, kdy přesně se to promítne v obchodech, ale může to být na konci prvního čtvrtletí příštího roku. Oproti tomu výroba NAND Flash čipů je stále zisková, ale výhledově se produkce Flash má stát ztrátová. Zdroj: The Inquirer

Společnost Geil představuje své nové paměťové moduly určené především pro hráče. Představeny byly paměti nesoucí označení BD (Black Dragon) EVO ONE a jedná se o výkonné paměťové DDR2 moduly, které mají hráčům nabídnout již zmíněný výkon, spolehlivost a vysokou kapacitu. K chlazení je použit nový EVO ONE Heat-sink systém s MTCD technologií. Hráčům nabídnou paměťové moduly BD EVO ONE kapacitu až 8GB a k dostání budou také jako dvoukanálový paměťový kit. Jednotlivé modely poběží na frekvenci 800MHz a 1066MHz. CAS latency je 4-4-4-12 či 5-5-5-15 a použity jsou FBGA 64Mx8 a 128Mx8 DDR2 IC čipy. Taktéž společnost použila osmivrstvé PCM a záruka na paměťové moduly je doživotní. O ceně se však ve zprávě bohužel nehovoří, paměti vstupují již do prodeje. Parametry jednotlivých modelů naleznete v tabulce. Zdroj: TZ Geil

Výrobce pamětí, zdrojů, grafických karet a dalších komponent - skupina OCZ - prezentovala nové paměťové Dual Channel DDR2-1000 a DDR3-1333 kity. Jedná se OCZ DDR2 PC2-8000 ReaperX HPC Dual Channel, které budou dostupné jako 2 x 2 GB (kódové označení OCZ2RPX10004GK) a OCZ PC3-10666 ReaperX HPC Enhanced Bandwidth 4GB, což jsou kity 2 x 1 GB a 2 x 2 GB (CZ3RPX13332GK a OCZ3RPX1333EB4GK). Obě paměti jsou osazeny posledním OCZ chladičem, sestávajícím z černého pasivu, ze kterého ještě odvádí teplo dvě zploštělé heatpipe se žebry. DDR2 paměti pracují při napětí 2,1 V (maximum 2,15 V pro funkčnost bez ztráty záruky) s časováním 5-5-5-18, DDR3 však při jen o málo horším 6-5-5-18 a to pouze při napětí 1,85 V (maximum 1,9 V), díky čemuž se budou také podstatně méně hřát. Zdroj: Fudzilla

Společnost Hynix Semiconductor představila první 1Gbit GDDR5 paměťové čipy. Jsou vyráběny 66nm procesem a jejich masová produkce je naplánována na první polovinu roku 2008. Předpokládá se, že přijetí GDDR5 čipů bude velmi pozitivní a už v druhé polovině roku 2008 budou dominovat trhu grafických karet na úkor starších typů pamětí. Nové paměti Hynixu pracují s efektivní frekvencí 5 GHz, což znamená při 32-bitovém výstupu přenosovou rychlost 20 GB/s. Pokud budou tyto paměti ve 256-bitovém zapojení (tedy 8 čipů), bude mít grafická karta kapacitu pamětí 1 GB a přenosovou rychlost 160 GB/s. V případě 512-bitového zapojení (16 čipů) by šlo dokonce o 2 GB a 320 GB/s. Ale takových karet s GDDR5 čipy se patrně jen tak nedočkáme. Výhodou GDDR5 pamětí jsou také kromě jejich velmi vysokých frekvencí také poměrně malé rozměry a nízká spotřeba daná mimo jiného také mnoha spořícími technologiemi. K dispozici je také korekce chyb ECC. Zdroj: www.digitimes.com

Společnost Sandisk uvedla na trh PCIe karty, které mají díky integrované flash paměti umožnit uložení často používaných dat (tím pádem rychlejší práci s nimi) a zrychlení bootování operačního systému. Pracuje tedy na principu Windows Vista ReadyBoost. Podle společnosti budou tyto karty pracovat spolu s pevnými disky, které budou uchovávat zbývající data. Kapacity 8 GB nebo 16 GB se sice větším SSD diskům nevyrovnají, každopádně je to dost na to, aby zde byl uložen operační systém a mnoho dalších dat. Tyto karty budou k dispozici pouze OEM výrobcům počítačů a notebooků, na pultech na ně nenarazíte. Ceny ani dostupnost (pro OEM výrobce) zatím neznáme. Zdroj: www.tgdaily.com, www.sandisk.com

Společnost Elpida dokončila vývoj 65nm paměťových čipů DDR2 DRAM s kapacitou 1 Gbit. Tímto se jedná o nejmenší DDR2 čipy této kapacity. Mimo 512Mbit čipů jsou tak touto technologií vyráběny i větší čipy, jejichž výrobní náklady se oproti nynější 70nm výrobě opět o něco snížily. V prosinci 2006 byla zahájena 70nm výroba (v továrně E300 Fab), která znamenala razantní snížení výrobních nákladů. Předpokládá se, že přechod na 65nm výrobu si nevyžádá žádné velké výdaje, neboť se použije stávající zařízení. První 65nm vzorky budou k dispozici od prosince letošního roku, masová výroba pak počátkem roku příštího. Zdroj: www.elpida.com

Společnost OCZ Technology nás v poslední době (společně s její PC Power & Cooling) krmí novinkami a nyní je to zpráva o nových pamětech ReaperX. Jedná se o moduly - pokračovatele Reaper HPC (Heat Pipe Conduit) - využívající paměti DDR PC2-6400, a je tedy vidět, že staré dobré a především levné DDR2 ještě zdaleka neřekly poslední slovo. ReaperX využívají dnes již klasickou koncepci, kde heatpipe odvádí teplo mezi horní žebroví. Tentokrát to jsou heatpipe dvě, kde se každá stará o jednu stranu. Paměti dále podporují EPP (Enhanced Performance Profiles) a přitom se mohou provozovat při napětí 2,1 V s časováním 4-4-3-15 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Společnost je dodává v kitech po dvou 2GB modulech a poskytuje na ně doživotní záruční lhůtu. Zmíněný kit naleznete pod P/N OCZ2RPRX800EB4GK. Zdroj: TZ OCZ

Už jsme vás informovali o záměru společnosti Qimonda přeskočit GDDR4 čipy a vrhnout se přímo na vývoj a výrobu čipů GDDR5. Tak se také stalo a již dnes mají vybraní výrobci k dispozici první vzorky pamětí GDDR5. Jedná se o 512Mbit čipy. Paměti zatím nebyly schváleny organizací JEDEC, ale je pravděpodobné, že se standardem nakonec stanou. GDDR5 paměti jsou schopny dosáhnout přenosové rychlosti 20 GB/s na čip, což je více než dvojnásobek dnešních GDDR3 pamětí. Pokud dobře počítám, znamená to efektivní frekvenci 5 GHz. GDDR5 paměti využívají dvou rozdílných frekvencí. S první frekvencí jsou vysílána určení adresy a příkazy. S druhou frekvencí (dvojnásobnou!) jsou pak data čtena a zapisována. Dvě rozdílné frekvence by měly navíc umožnit snižovat šum a tím dosahovat také vyšších frekvencí. Pozitivem by měly být také spořící technologie. Doufejme, že tím bude dosaženo ve výsledku nižší spotřeby. GDDR5 byly konstruovány tak, aby spotřebovávaly elektřinu pouze, když prac

Společnost Micron začala s dodávkami vzorků 2Gbit DDR3 čipů, které umožní tvorbu až 8GB nebo 16GB paměťových modulů pro servery a až 4GB modulů pro desktopy. Jedná se o DDR3 čipy, které běží na efektivní frekvenci až 1333 MHz. K výrobě těchto paměťových čipů je používána 78nm technologie. Vyžadují standardní napájení 1,5 V, což je rozhodně pozitivum. Výrobci modulů nyní mohou vyrábět moduly stejné kapacity s polovičním počtem čipů, a při zachování standardního napájecího napětí lze očekávat také nižší výslednou spotřebu. Kdy se začne s masovou výrobou zatím nebylo zveřejněno. Zdroj: www.techspot.com, www.tgdaily.com

Samsung přišel s významnou novinkou. Vyrobil NAND flash paměti pomocí 30nm procesu, díky čemuž bylo možno vyrobit dokonce 64Gbit paměťový čip. Společnost Samsung to považuje za obrovský skok kupředu. Použitím šestnácti takových čipů vznikne paměť o kapacitě 128 GB. To podle Samsungu stačí k uložení 80 DVD filmů nebo 32000 MP3 skladeb. Produkce takových pamětí však začne až v roce 2009. V roce 2011 by tyto produkty měly vytvořit trh, ve kterém proteče na 20 miliard dolarů díky použití v mobilních telefonech, MP3 přehrávačích a podobně. Zdroj: www.cdrinfo.com, www.techreport.com

Ceny DRAM čipů klesly ve třetím čtvrtletí o 36 % a stále klesají, což spolu s poklesem prodeje o 34 % (na 13,4 miliardy) kvůli silné konkurenci od Samsungu vedlo u společnosti Nanya ke ztrátě 1,66 miliardy amerických dolarů (35 centů na akcii). Ještě před rokem přitom tento výrobce vydělal 5,17 miliardy (1,35 dolaru na akcii). Prodejům nepomohla ani tradičně silná poprázdninová sezóna. Cena akcií před zveřejněním výsledků klesla na 21,25 dolaru (o 3,9 %) na Taiwanské burze cenných papírů, TAIEX index klesl o 2,6 %. Čistý příjem snížený o 90 % ohlásil také společný podnik společnosti s Qimondou, Inotera. Společnost chce v příštím roce značně ušetřit na nákladech a také prodat část svých akcií pro financování přestavby továren. Ceny DRAM čipů ale pravděpodobně letos ještě vylétnou, neboť dlouhodobě klesaly a v takovém případě míří ke ztrátě všichni výrobci. Ačkoliv mají velké zásoby, jistě využijí zvýšené poptávky v době Vánoc ke zvýšení cen. Zdroj: Taipe