Paměti RAM (strana 29 z 57)

Už v tomto čtvrtletí se dočkáme nových výkonnějších paměťových modulů značky Corsair. Prvně to budou DDR2 moduly o kapacitě 2 GB (v konfiguraci 2×2GB dual channel kitu). Představí se jako DDR2-1066 (PC2-8500) a DDR2-1142 (PC2-9136) paměti, které mají zajistit vysoký výkon i dobré schopnosti taktování. Tyto moduly se objeví již ke konci února. Již delší dobu se hovoří také o připravovaných DDR3-2000 modulech. Ty prošly úspěšně testy a jejich výroba již může začít. Budou spadat do řadyDD3 DHX a podle společnosti Corsair jsou zde ještě rezervy pro další zvyšování taktů nad hranici 2 GHz. Nové 2GHz moduly se ve 2GB konfiguraci představí do konce tohoto čtvrtletí. Zdroj: www.corsair.com

Společnost Micron začala dodávat vzorky nejrychlejších DRAM pamětí pro mobilní zařízení např. typu handheld nebo jiná zařízení s rozsáhlou výbavou a požadavkem na vysoký výkon nejrůznějších výpočtů, zejména multimediálního charakteru. Tyto čipy mají kapacitu 512 Mbit a běží na frekvenci 200 MHz (vzhledem k tomu, že využívají DDR přenosy, mají efektivní frekvenci 400 MHz). Splňují standard JEDEC s I/O napětím 1,8 V. K dispozici budou i 1,2 V verze se zlepšenou kvalitou signálu. Čipy jsou schopny provozu v teplotách od -40°C do +85°C. Zdroj: www.digit-life.com, www.micron.com

Společnost OCZ vydala zprávu o 4GB paměťovém kitu PC2-8500 Reaper HPC, který uvítají především náročnější uživatelé z řad počítačových hráčů. Jak se vyjádřil Michael Schuette z firmy OCZ, standardní frekvencí pamětí DDR2 se pomalu stává 1066 MHz a poslední hry také využijí 4 GB operační paměti, kam také míří dnešní novinka. Nové Reaper moduly nabízejí při své základní frekvenci 1066 MHz časování 5-5-5-18 (CAS-TRCD-TRP-TRAS) a pracují při napětí 2,1 V, přičemž zaručeně bezpečné má být také 2,15 V. Jejich PCB je celé černé a chlazení má k dispozici jednu heatpipe s malým hliníkovým pasivem. Zdroj: TZ OCZ Technology

První vzorky PCM (Phase-Change Memory) pamětí jsou již na cestě. PCM paměti mají být největším vývojovým skokem v oblasti non-volatilních pamětí za posledních 40 let. Předpokládá se, že z mnoha pokusů o vývoj pamětí těchto vlastností, má právě technologie PCM největší šanci na úspěch. Vývoj začal v roce 2003, kdy společnosti Intel a STMicroelectronics vytvořily joint-venture program. Na VLSI konferenci v roce 2004 představily první vzorky s kapacitou 8Mb, které byly vyrobeny 180nm technologií. V roce 2006, opět na VLSI konferenci, představily již 90nm 128Mbit čipy Alverstone. Ty jsou nyní dodávány jako testovací vzorky partnerům, přešlo se však ze SLC (single-level cell) technologie na MLC (multi-level cell). Výsledkem je vyšší hustota a nižší výrobní náklady na megabit. Díky vlastnostem pamětí DRAM (vysoká rychlost) i vlastnostem flash pamětí (jsou non-volatilní - nepotřebují napájení pro zachování informace) se předpokládá, že PCM nahradí paměti téměř všech typů.

Vydání lepších procesorů Phenom od AMD se blíží a díky paměťovému řadiči integrovaném přímo do pouzdra procesoru dokáže tento obecně lépe využít rychlé paměti. Možná právě pod vidinou lepších prodejů pro platformu Spider tchajwanská společnost G.Skill uvedla do světa zbrusu nový kit pamětí DDR2-1066 (PC2-8500), nazvaný F2-8500CL5D-4GBPK. Jeho kapacita činí 4 GB (2 x 2 GB), nově je PCB modulů osmivrstevné, což má zabránit rušení ze sítě, jakožto zajistit stabilnější impedanci a nižší zkreslení signálu. Paměti při napětí 2.0 - 2.1 V zvládají pracovat s časováním 5-5-5-15; chlazeny jsou přitom jen chladičem typu „ohnutý plech“. Poskytována bude celoživotní záruka. Zdroj: Fudzilla

Ačkoliv začala německá společnost Qimonda dodávat první vzorky SO-DIMM DDR3- SDRAM pamětí již před rokem a půl a uvedení do prodeje bylo plánováno na polovinu roku 2007, stane se tak až v příštím čtvrtletí. Jedná se o moduly s kapacitou 1 GB (konfigurace 128Mx64, tedy šestnáct 64MB nebo osm 128MB čipů) a 2 GB (256Mx64, šestnáct 128MB čipů). Použité DDR3 čipy jsou vyráběny 75nm technologií, využívají dynamického ODT (On-Die Termination), umožňující zvýšit propustnost zaojením v režimu Dual Channel. Po stránce propustností, respektive frekvencí, budou tři řady, PC3-6400 (DDR3-800), PC3-8500 (DDR3-1066) a PC3-10600 (DDR3-1333). Moduly PC3-6400 budou mít časování CL5 a CL6, PC3-8500 dostanou do vínku CL7 a CL8 a konečně PC3-10600 již pracují při CL8 až CL10. Všem však pro běh stačí napětí pouze 1,5 V (s tolerancí 75 mV), což zaručuje o několik dalších minut delší práci při běhu na baterie. Značení modulů je na první pohled chaotické, avšak je v něm jistý řád. Zá

Paměti DDR třetí generace zažijí podle hlav společností vyrábějících DRAM čipy velký vzestup v posledním čtvrtletí roku. Například Inotera Memories (společně vlastněná společnostmi Qimonda AG a Nanya Technology Corporation) začala drobnou výrobu 1Gb DRAM čipů nedávno, masovou výrobu ale chce rozjet až na konci roku, doufaje, že se setká s poptávkou. „Poptávka po DDR3 v současnosti již existuje a poroste v průběhu roku,“ řekl Charles Kau, prezident Inotery. Pai Pei-lin, viceprezident Nanya Technology, předpokládá, že na konci roku bude podíl DDR3 činit 30 % všech prodaných DRAM čipů. To naznačuje, že konec DDR2 pamětí se blíží. Ty jsou již používány několik let a zejména minulý rok se nesl ve znamení jejich značného nasazení a také velkého snižování cen. Nyní to ale vypadá, že jejich vývoj bude podobný, jako u přechodu z DDR na DDR2. Výrobci snižují výrobu, cena pamětí se brzy zvýší a spolu s klesající poptávkou se již růst jejich cen nezastaví. Podle DRAMeXchange

Společnost Qimonda začala s dodávkami prvních vzorků pamětí XDR, které dostanou její klienti. Tato společnost se tak stává již třetím dodavatelem těchto paměťových čipů na světě poté, co licenci na jejich výrobu získala od firmy Rambus. Momentálně jsou XDR používány třeba v Sony PlayStation 3 a dalších produktech. Qimonda neříká nic o taktech svých XDR pamětí, ale čipy mají mít 512Mb kapacitu (stejnou mají i v PlayStation 3). Rambus se však nepřímo zmínil, že XDR od Qimondy se mají uplatnit také v nejnovějším herním systému firmy Sony, se kterou Qimonda již dříve podepsala dohodu o spolupráci na vývoji nových paměťových technologií. Obě společnosti tehdy vytvořily podnik se společnou majetkovou účastí a názvem Qreatic Design. Momentálně mohou XDR paměti pracovat na taktech 3,2 - 6,4 GHz a poskytují nejlepší propustnost na pin. Zdroj: X-bit labs

Pro nadšence, kteří ve svém koníčku ještě znají míru, připravila společnost OCZ nový RAM kit s označením PC2-8000 4GB Platinum Edition Memory. Jedná se tedy o dva 2GB moduly pracující na fyzické frekvenci 1000 MHz při časování CL 5-5-5 a napětí 2,1 V. Při pohledu na ně vidíme klasický OCZ děrovaný chladič, jenž se nazývá Platinum Mirrored XTC Heatspreader a stejně jako u řady ostatních produktů je i zde nabízena doživotní záruka. Tu neporušíte, pokud udržíte napájecí napětí do 2,15 V - funkce EVP (Extended Voltage Protection). Zdroj: TZ OCZ

Společnost G.Skill oznámila novou linii svých pamětí zaměřené především na uživatele počítačů Mac. Nová série pak konkrétně obsahuje 1GB SO-DIMM paměťový modul, 2GB SO-DIMM (dostupný jako jeden 2GB modul či dva 1GB moduly v kitu) modul a posledním produktem je 3GB SO-DIMM paměťový modul tvořený 1GB a 2GB modulem. Novinky jsou dostupné na frekvencích 667 MHz a 800 MHz. Nové paměti jsou přímo optimalizované (že by nějaká užší spolupráce s Apple v dohlednu?) pro počítače MacBook, MacBook Pro, Mac Mini a iMac produktové série. Společnost k těmto CL5 pamětem nabízí doživotní záruku. Dostupné mají být ve velmi blízké době, ale cena není zatím známa. Zdroj: Laptoplogic

Společnosr TwinMOS po modulech DDR3-1333 (PC3-10600, 10,6 GB/s) šla s frekvenci opět nahoru a nyní uvedla v řadě TwiSTER i moduly DDR3-1600 (PC3-12800, 12,8 GB/s) a DDR3-1800 (PC3-14400, 14,4 GB/s). Paměti s nejvyššími frekvencemi nabízejí časování 8-8-8-21, moduly s nejnižší frekvencí mají nejhorší i časování, konkrétně CL9; dva nejrychlejší zato pracují při napětí 1,8 V, třetímu pomalejšímu ale stačí 1,5 V. Kromě pamětí DDR3-1333, které jsou v konfiguracích 64Mx8x8 (512 MB), 64Mx8x16 (1 GB) a 128Mx8x16 (2 GB) jsou zbývající dva pouze 1GB, s konfigurací 128Mx8x8; na modulech se nachází čipy typu FBGA (Fine Ball-Grid Array),jejich výrobce TwinMOS neuvádí. Zaručuje vysokou kompatibilitu, nicméně prozatím také existuje pouze několik čipových sad podporujících DDR3 paměti (navíc velmi podobných), skutečnou kompatibilitu prověří až budoucí čipové sady. Zdroj: VR-Zone

Společnost OCZ Technology Group vydala souhrnnou zprávu, v níž stručně prezentuje své nejnovější produkty, na nichž se podílejí také akvizované firmy Hypersonic PC a PC Power & Cooling. Jednak jsou to nové Flex2 DDR3 moduly, které využívají vedle vzduchového také vodní chlazení, pro něž mají dvě trubice. Dále je zde nový HydroFlow CPU vodní blok, jenž OCZ prý navrhlo s ohledem na nejlepší předávání tepla z bloku do média. Oblast datových úložišť reprezentují flash disky Rally2 a ATV s kapacitami až 32 GB. Rally2 má také nástupce s názvem Rally2 Turbo, které mají být ještě výkonnější. Dále jsou zde nové SSD pro SATA 150 a SATA 300 rozhraní, kde prezentován byl disk s kapacitou 64 GB. Napájecí zdroje obohatí 1kW model EliteXStream s efektivností 82 % a jednou +12V větví s mocnými 80 A. Ty doplní Silencer 500W EPS od PC Power & Cooling a také nedávno vydaný Turbo-Cool 860W či Turbo-Cool 1200 s architekturou ESA (Enthusiast System Architecture), v níž se kromě OCZ angažuje také NVIDIA.

Společnost Walton Chaintech zveřejnila informace o nových pamětech Apogee GT s přídomkem Blazer. Jedná se o 2GB kit DDR3-2000 (PC3-16000) s čipy Micron D9G a při své frekvenci nabízí časování 9-8-8-24, díky čemuž se z nich stávají prozatím nejrychlejší DDR3 paměti (předchozí modely od A-DATA měly horší časování 9-9-9-24). Chaintech však šel ještě dál, jedná se opravdu o kit v pravém slova smyslu, paměti jsou totiž napevno spojeny černě eloxovaným pasivním chladičem. Díky tomu dosahují velké chladicí plochy, na druhou stranu je tak nemožné osadit všechny čtyři sloty (pokud nepůjde pozici pamětí na chladiči upravit). Cenu Chaintech nezveřejnil, ale vzhledem k cenám ostatních DDR3 modulů nebude nijak nízká. Zdroj: VR-Zone

Podle zdrojů v oblasti paměťových DRAM čipů ohlásil Samsung nabídku GDDR2 pamětí za pouhých padesát amerických centů za kus. S přihlédnutím k tomu, že běžná cena se pohybuje kolem dolaru čtyřiceti, je celkem pochopitelné, že konkurenti Samsungu se bouří. Ovšem každá mince má dvě strany. Rozhodnutí Samsungu je pochopitelné, jedná se o čipy v konfiguraci 16Mx16 (32 MB), což dá ve výsledku maximálně 256 MB na grafickou kartu, na dnešní poměry málo, navíc jedná se o GDDR2, které jsou dnes k nalezení pouze u low-endových karet. Výrobce chce pravděpodobně vyprodat zásoby, než přijdou nové karty, z nichž jen málokteré budou používat právě GDDR2. Málokdo také uvěří, že zisky výrobců DRAM stojí na GDDR2 pamětech. Někteří mohou přijít o další část již tak malých zisků (případně prohloubí ztrátu), ale to se dá označit jako prostá konkurence. Problém nastane, pokud některý z výrobců podá žalobu z důvodu zneužívání dominantního postavení, které Samsung na poli DRAM má. Zd

Vydání čipové sady Intel X48 se kvapem blíží, a možná také právě proto OCZ nyní představilo nové paměti DDR3-1800 z rodiny XMP, určené zejména právě pro ni. XMP znamená eXtreme Memory Profile a nejedná se o nic jiného, než možnost běhu ve dvou nastaveních (profilech) časování – standardní (Intelem schválené) nastavení 8-8-8 (CAS-TRCD-TRP) a rychlejší 7-7-7. Moduly PC-14400 budou dostupné buď po jednom gigabajtovém kusu (označení OCZ3T1800XM1G) nebo jako 2GB kit (označení OCZ3T1800XM2G). Obě verze pracují při napětí 2,05 V, chladí je pasivní chladiče OCZ Titanium Z3 XTC (s otvory tvaru včelích plástů a s písmenem Z uprostřed) a poskytována na ně bude doživotní záruka. Zdroj: Fudzilla

Společnost Micron začala dodávat vzorky svých nových paměťových čipů DRAM DDR2, které jsou vyráběny úspornější 68nm technologií. Proces nazvaný 6F2 nahradí má nahradit současnou 80nm výrobu. Nové čipy při kapacitě 1 Gb zaberou plochu pouze 56 mm2, díky čemuž Micron zvýší výtěžnost z waferů, a tedy sníží náklady. Důležitá je také snížená spotřeba, dle společnosti až o dvacet procent, což se projeví hlavně v mobilních zařízeních a ve velkých datových centrech s množstvím uzlů osazených velkým počtem pamětí, kam budou směřovány i první dodávky koncových produktů. Masová produkce započne na začátku příštího roku, 68nm DDR3 a další čipy přijdou až v jeho druhé polovině. Zdroj: eeTimes

Paměťové technologie jdou stále dál, jak kapacitou, tak rychlostí. Vývoj se netýká jen osobních počítačů, ale také těch přenosných, kde jsou kvůli nedostatku místa třeba vždy trochu méně prostorově náročná řešení. TwinMOS nyní představil paměti SO-DIMM DDR3-1333 určené právě pro laptopy. Nebylo řečeno a ani na stránkách TwinMOSu napsáno, s jakou kapacitou budou moduly pracovat, nicméně při osazení jejich PCB osmi či čtyřmi čipy lze předpokládat, že kapacity budou 512 MB a 1 GB. Výhodou je práce při napětí 1,5 V (oproti 1,8 V u DDR2), což je 20% úspora energie; baterie laptopů tak jistě vydrží minimálně o několik minut déle. Zdroj: VR-Zone

Výrobce operačních pamětí Patriot představil nové verze svých pamětí typu DDR2 a DDR3. Oproti původním verzím jsou dodávány s vylepšenými chladiči ze slitiny mědi a hliníku (aluminum-copper composite, ACC). Název Typ / frekvence (MHz) Kapacita (kit) Časování Provozní napětí PVS24G6400LLK PC2-6400 / 800 4 GB 3-4-3-8 2,3 V PVS22G6400XLK PC2-6400 / 800 2 GB 3-4-3-8 2,3 V PVS32G1600LLK PC2-8500 / 1066 2 GB 5-5-5-15 2,3 V PVS34G1600LLK PC2-9200 / 1150 2 GB 5-5-5-12 2,3 V PVS22G9600ELK PC2-9600 / 1200 2 GB 5-5-5-12 2,3 V PVS32G1333LLK PC3-10666 / 1333 2 GB 7-7-7-20 1,7 V PVS34G1333LLK PC3-10666 / 1333 4 GB 7-7-7-20 1,7 V PVS32G1600LLK PC3-12800 / 1600 2 GB 7-7-7-18 1,9 V PVS34G1600LLK PC3-12800 / 1600 4 GB 7-7-7-20 1,9 V PVS32G1866LLK PC3-15000 / 1866 2 GB 8-8-8-24 1,9 V Ve srovnání s původními pasivními chladiči mají tyto dosahovat díky svému tvaru o 90 % lepšího rozptylu tepla, v praxi tak jsou paměťové moduly o prý 20 % chladnější. V tabulce jsou shrnuty všechny modely s novými chladiči, jeji

Společnost Samsung odhalila 6GHz paměti typu GDDR5, které budou za nějaký čas k dispozici velmi výkonným grafickým kartám, které si nyní o takových modulech mohou nechat zdát. Paměti byly představeny v podobě 512Mb (16Mb x 32) čipů, o nichž bylo řečeno, že dovedou přenášet data rychlostí 24 GB/s. Nové moduly tak pracují na frekvenci, která je o asi 3,5 GHz vyšší, než jaké jsou schopny dnešní nejrychlejší GDDR4 čipy. Paměti GDDR5 přitom pracují s napětím 1,5 V. Jejich vzorky Samsung zaslal svým největším partnerům již minulý měsíc a produkci ve velkém hodlá zahájit v první polovině příštího roku. Firma předpokládá, že GDDR5 ovládnou do roku 2010 více než 50 % trhu s high-end PC grafikami. Zdroj: X-bit labs

Společnost OCZ Technology připravila pro své zákazníky zbrusu nový kit DDR2 pamětí o celkové kapacitě 8 GB (4x 2 GB). Pro běžného uživatele tedy tento kit určený není, ale pokud využíváte paměťově extrémně náročné aplikace, nový kit OCZ2P8008GQ je zde pro vás. Moduly jsou taktovány na 800 MHz a přitom mají časování CL 5-4-4-18 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Pracovní napětí je zde 2,1 V, avšak OCZ zákazníkům povoluje používat 2,2 V, aniž by přitom ztratili poskytovanou doživotní záruku. Jejich chlazení pak zajišťují platinově zbarvené děrované pasivy s písmenem 'Z' z loga firmy. Zdroj: TZ OCZ

Slavná firma zaměřená na vývoj pamětí, společnost Rambus, nyní oznámila, že pracuje na pamětech s propustností v řádu jednoho terabytu za sekundu, což bude výhledově potřeba pro rozvoj vícejádrových řešení (procesory, grafické karty). Oproti současným propustnostem (při frekvencích 500 MHz) asi 1 Gb/s mají vyvíjené paměti dosáhnout na 16 Gb/s při stejné frekvenci, celkově se však má propustnost zvýšit 32x, vše díky DQ linku. Rambus zároveň představil FlexLink, který by měl k dosažení propustností také pomoci. Nicméně praktické nasazení nebude dříve než v roce 2011. Zdroj: Fudzilla

Nové čipové sady, jako například Intel X48, pomalu přichází, a tak se již pomalu uvažuje i o nových pamětech DDR3. Jejich cena také pomaličku klesá a sem tam se již jistě najde někdo, kdo je zakoupí. Nyní společnost A-DATA ohlásila první prodávané DDR3 paměti, které pracují při 2 GHz (DDR3-2000, PC3-16000). Moduly jsou označeny názvem AD32000X002GMU, jedná se o kit 2 x 2 GB. Moduly pro svůj správný běh vyžadují napětí 2,05 – 2,15 V, pak zvládají i časování 9-9-9-24. Dle A-DATA je propustnost pamětí v testu programu Everest kolem 13 GB/s. Zdroj: Fudzilla