Paměti RAM (strana 29 z 56)

Společnost Samsung odhalila 6GHz paměti typu GDDR5, které budou za nějaký čas k dispozici velmi výkonným grafickým kartám, které si nyní o takových modulech mohou nechat zdát. Paměti byly představeny v podobě 512Mb (16Mb x 32) čipů, o nichž bylo řečeno, že dovedou přenášet data rychlostí 24 GB/s. Nové moduly tak pracují na frekvenci, která je o asi 3,5 GHz vyšší, než jaké jsou schopny dnešní nejrychlejší GDDR4 čipy. Paměti GDDR5 přitom pracují s napětím 1,5 V. Jejich vzorky Samsung zaslal svým největším partnerům již minulý měsíc a produkci ve velkém hodlá zahájit v první polovině příštího roku. Firma předpokládá, že GDDR5 ovládnou do roku 2010 více než 50 % trhu s high-end PC grafikami. Zdroj: X-bit labs

Společnost OCZ Technology připravila pro své zákazníky zbrusu nový kit DDR2 pamětí o celkové kapacitě 8 GB (4x 2 GB). Pro běžného uživatele tedy tento kit určený není, ale pokud využíváte paměťově extrémně náročné aplikace, nový kit OCZ2P8008GQ je zde pro vás. Moduly jsou taktovány na 800 MHz a přitom mají časování CL 5-4-4-18 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Pracovní napětí je zde 2,1 V, avšak OCZ zákazníkům povoluje používat 2,2 V, aniž by přitom ztratili poskytovanou doživotní záruku. Jejich chlazení pak zajišťují platinově zbarvené děrované pasivy s písmenem 'Z' z loga firmy. Zdroj: TZ OCZ

Slavná firma zaměřená na vývoj pamětí, společnost Rambus, nyní oznámila, že pracuje na pamětech s propustností v řádu jednoho terabytu za sekundu, což bude výhledově potřeba pro rozvoj vícejádrových řešení (procesory, grafické karty). Oproti současným propustnostem (při frekvencích 500 MHz) asi 1 Gb/s mají vyvíjené paměti dosáhnout na 16 Gb/s při stejné frekvenci, celkově se však má propustnost zvýšit 32x, vše díky DQ linku. Rambus zároveň představil FlexLink, který by měl k dosažení propustností také pomoci. Nicméně praktické nasazení nebude dříve než v roce 2011. Zdroj: Fudzilla

Nové čipové sady, jako například Intel X48, pomalu přichází, a tak se již pomalu uvažuje i o nových pamětech DDR3. Jejich cena také pomaličku klesá a sem tam se již jistě najde někdo, kdo je zakoupí. Nyní společnost A-DATA ohlásila první prodávané DDR3 paměti, které pracují při 2 GHz (DDR3-2000, PC3-16000). Moduly jsou označeny názvem AD32000X002GMU, jedná se o kit 2 x 2 GB. Moduly pro svůj správný běh vyžadují napětí 2,05 – 2,15 V, pak zvládají i časování 9-9-9-24. Dle A-DATA je propustnost pamětí v testu programu Everest kolem 13 GB/s. Zdroj: Fudzilla

Stále levnější DRAM čipy výrobcům způsobují ztráty, u některých se v posledním čtvrtletí tohoto roku čekají v řádech miliard dolarů. Současně stojí jeden 512 Mb DRAM čip méně než jeden americký dolar, a proto začali někteří Korejští výrobci omezovat jejich výrobu, aby zvýšili cenu. Vyplývá to z analýzy společnosti Isuppli, která také předpokládá změnu až příští rok. To znamená pro některé výrobce celý jeden rok ve ztrátě či alespoň se snižujícími se zisky. 512 Mb DRAM čip dnes stojí méně než jeden dolar Jelikož ztráty jsou u některých producentů vskutku veliké, očekávané a tak dlouho odkládané zdražení čipů a tedy všech paměťových produktů nakonec zákonitě přijde, nikdo není schopen říci, kdy přesně se to promítne v obchodech, ale může to být na konci prvního čtvrtletí příštího roku. Oproti tomu výroba NAND Flash čipů je stále zisková, ale výhledově se produkce Flash má stát ztrátová. Zdroj: The Inquirer

Společnost Geil představuje své nové paměťové moduly určené především pro hráče. Představeny byly paměti nesoucí označení BD (Black Dragon) EVO ONE a jedná se o výkonné paměťové DDR2 moduly, které mají hráčům nabídnout již zmíněný výkon, spolehlivost a vysokou kapacitu. K chlazení je použit nový EVO ONE Heat-sink systém s MTCD technologií. Hráčům nabídnou paměťové moduly BD EVO ONE kapacitu až 8GB a k dostání budou také jako dvoukanálový paměťový kit. Jednotlivé modely poběží na frekvenci 800MHz a 1066MHz. CAS latency je 4-4-4-12 či 5-5-5-15 a použity jsou FBGA 64Mx8 a 128Mx8 DDR2 IC čipy. Taktéž společnost použila osmivrstvé PCM a záruka na paměťové moduly je doživotní. O ceně se však ve zprávě bohužel nehovoří, paměti vstupují již do prodeje. Parametry jednotlivých modelů naleznete v tabulce. Zdroj: TZ Geil

Výrobce pamětí, zdrojů, grafických karet a dalších komponent - skupina OCZ - prezentovala nové paměťové Dual Channel DDR2-1000 a DDR3-1333 kity. Jedná se OCZ DDR2 PC2-8000 ReaperX HPC Dual Channel, které budou dostupné jako 2 x 2 GB (kódové označení OCZ2RPX10004GK) a OCZ PC3-10666 ReaperX HPC Enhanced Bandwidth 4GB, což jsou kity 2 x 1 GB a 2 x 2 GB (CZ3RPX13332GK a OCZ3RPX1333EB4GK). Obě paměti jsou osazeny posledním OCZ chladičem, sestávajícím z černého pasivu, ze kterého ještě odvádí teplo dvě zploštělé heatpipe se žebry. DDR2 paměti pracují při napětí 2,1 V (maximum 2,15 V pro funkčnost bez ztráty záruky) s časováním 5-5-5-18, DDR3 však při jen o málo horším 6-5-5-18 a to pouze při napětí 1,85 V (maximum 1,9 V), díky čemuž se budou také podstatně méně hřát. Zdroj: Fudzilla

Společnost Hynix Semiconductor představila první 1Gbit GDDR5 paměťové čipy. Jsou vyráběny 66nm procesem a jejich masová produkce je naplánována na první polovinu roku 2008. Předpokládá se, že přijetí GDDR5 čipů bude velmi pozitivní a už v druhé polovině roku 2008 budou dominovat trhu grafických karet na úkor starších typů pamětí. Nové paměti Hynixu pracují s efektivní frekvencí 5 GHz, což znamená při 32-bitovém výstupu přenosovou rychlost 20 GB/s. Pokud budou tyto paměti ve 256-bitovém zapojení (tedy 8 čipů), bude mít grafická karta kapacitu pamětí 1 GB a přenosovou rychlost 160 GB/s. V případě 512-bitového zapojení (16 čipů) by šlo dokonce o 2 GB a 320 GB/s. Ale takových karet s GDDR5 čipy se patrně jen tak nedočkáme. Výhodou GDDR5 pamětí jsou také kromě jejich velmi vysokých frekvencí také poměrně malé rozměry a nízká spotřeba daná mimo jiného také mnoha spořícími technologiemi. K dispozici je také korekce chyb ECC. Zdroj: www.digitimes.com

Společnost Sandisk uvedla na trh PCIe karty, které mají díky integrované flash paměti umožnit uložení často používaných dat (tím pádem rychlejší práci s nimi) a zrychlení bootování operačního systému. Pracuje tedy na principu Windows Vista ReadyBoost. Podle společnosti budou tyto karty pracovat spolu s pevnými disky, které budou uchovávat zbývající data. Kapacity 8 GB nebo 16 GB se sice větším SSD diskům nevyrovnají, každopádně je to dost na to, aby zde byl uložen operační systém a mnoho dalších dat. Tyto karty budou k dispozici pouze OEM výrobcům počítačů a notebooků, na pultech na ně nenarazíte. Ceny ani dostupnost (pro OEM výrobce) zatím neznáme. Zdroj: www.tgdaily.com, www.sandisk.com

Společnost Elpida dokončila vývoj 65nm paměťových čipů DDR2 DRAM s kapacitou 1 Gbit. Tímto se jedná o nejmenší DDR2 čipy této kapacity. Mimo 512Mbit čipů jsou tak touto technologií vyráběny i větší čipy, jejichž výrobní náklady se oproti nynější 70nm výrobě opět o něco snížily. V prosinci 2006 byla zahájena 70nm výroba (v továrně E300 Fab), která znamenala razantní snížení výrobních nákladů. Předpokládá se, že přechod na 65nm výrobu si nevyžádá žádné velké výdaje, neboť se použije stávající zařízení. První 65nm vzorky budou k dispozici od prosince letošního roku, masová výroba pak počátkem roku příštího. Zdroj: www.elpida.com

Společnost OCZ Technology nás v poslední době (společně s její PC Power & Cooling) krmí novinkami a nyní je to zpráva o nových pamětech ReaperX. Jedná se o moduly - pokračovatele Reaper HPC (Heat Pipe Conduit) - využívající paměti DDR PC2-6400, a je tedy vidět, že staré dobré a především levné DDR2 ještě zdaleka neřekly poslední slovo. ReaperX využívají dnes již klasickou koncepci, kde heatpipe odvádí teplo mezi horní žebroví. Tentokrát to jsou heatpipe dvě, kde se každá stará o jednu stranu. Paměti dále podporují EPP (Enhanced Performance Profiles) a přitom se mohou provozovat při napětí 2,1 V s časováním 4-4-3-15 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Společnost je dodává v kitech po dvou 2GB modulech a poskytuje na ně doživotní záruční lhůtu. Zmíněný kit naleznete pod P/N OCZ2RPRX800EB4GK. Zdroj: TZ OCZ

Už jsme vás informovali o záměru společnosti Qimonda přeskočit GDDR4 čipy a vrhnout se přímo na vývoj a výrobu čipů GDDR5. Tak se také stalo a již dnes mají vybraní výrobci k dispozici první vzorky pamětí GDDR5. Jedná se o 512Mbit čipy. Paměti zatím nebyly schváleny organizací JEDEC, ale je pravděpodobné, že se standardem nakonec stanou. GDDR5 paměti jsou schopny dosáhnout přenosové rychlosti 20 GB/s na čip, což je více než dvojnásobek dnešních GDDR3 pamětí. Pokud dobře počítám, znamená to efektivní frekvenci 5 GHz. GDDR5 paměti využívají dvou rozdílných frekvencí. S první frekvencí jsou vysílána určení adresy a příkazy. S druhou frekvencí (dvojnásobnou!) jsou pak data čtena a zapisována. Dvě rozdílné frekvence by měly navíc umožnit snižovat šum a tím dosahovat také vyšších frekvencí. Pozitivem by měly být také spořící technologie. Doufejme, že tím bude dosaženo ve výsledku nižší spotřeby. GDDR5 byly konstruovány tak, aby spotřebovávaly elektřinu pouze, když prac

Společnost Micron začala s dodávkami vzorků 2Gbit DDR3 čipů, které umožní tvorbu až 8GB nebo 16GB paměťových modulů pro servery a až 4GB modulů pro desktopy. Jedná se o DDR3 čipy, které běží na efektivní frekvenci až 1333 MHz. K výrobě těchto paměťových čipů je používána 78nm technologie. Vyžadují standardní napájení 1,5 V, což je rozhodně pozitivum. Výrobci modulů nyní mohou vyrábět moduly stejné kapacity s polovičním počtem čipů, a při zachování standardního napájecího napětí lze očekávat také nižší výslednou spotřebu. Kdy se začne s masovou výrobou zatím nebylo zveřejněno. Zdroj: www.techspot.com, www.tgdaily.com

Samsung přišel s významnou novinkou. Vyrobil NAND flash paměti pomocí 30nm procesu, díky čemuž bylo možno vyrobit dokonce 64Gbit paměťový čip. Společnost Samsung to považuje za obrovský skok kupředu. Použitím šestnácti takových čipů vznikne paměť o kapacitě 128 GB. To podle Samsungu stačí k uložení 80 DVD filmů nebo 32000 MP3 skladeb. Produkce takových pamětí však začne až v roce 2009. V roce 2011 by tyto produkty měly vytvořit trh, ve kterém proteče na 20 miliard dolarů díky použití v mobilních telefonech, MP3 přehrávačích a podobně. Zdroj: www.cdrinfo.com, www.techreport.com

Ceny DRAM čipů klesly ve třetím čtvrtletí o 36 % a stále klesají, což spolu s poklesem prodeje o 34 % (na 13,4 miliardy) kvůli silné konkurenci od Samsungu vedlo u společnosti Nanya ke ztrátě 1,66 miliardy amerických dolarů (35 centů na akcii). Ještě před rokem přitom tento výrobce vydělal 5,17 miliardy (1,35 dolaru na akcii). Prodejům nepomohla ani tradičně silná poprázdninová sezóna. Cena akcií před zveřejněním výsledků klesla na 21,25 dolaru (o 3,9 %) na Taiwanské burze cenných papírů, TAIEX index klesl o 2,6 %. Čistý příjem snížený o 90 % ohlásil také společný podnik společnosti s Qimondou, Inotera. Společnost chce v příštím roce značně ušetřit na nákladech a také prodat část svých akcií pro financování přestavby továren. Ceny DRAM čipů ale pravděpodobně letos ještě vylétnou, neboť dlouhodobě klesaly a v takovém případě míří ke ztrátě všichni výrobci. Ačkoliv mají velké zásoby, jistě využijí zvýšené poptávky v době Vánoc ke zvýšení cen. Zdroj: Taipe

Společnosti Elpida Memory a United Microelectronics Company spojí své síly při vývoji pokrokových DRAM pamětí s využitím měděného low-k dielektrika a také pamětí PRAM - Phase-change Random Access Memory. Společnosti k tomu mají dobrý základ, protože Elpida je jeden z předních výrobců čipů DRAM a United Microelectronics je smluvní producent polovodičových součástek, jenž poskytne své zkušenosti s low-k dielektriky. Firmy svou dohodu vidí jako výrazný krok kupředu pro vývoj pamětí budoucnosti, jenž by měl přinést rychlejší paměti DRAM s většími kapacitami a také akcelerovat komercializaci pamětí PRAM, jak se vyjádřil Takao Adachi, šéftechnolog Elpidy. UMC tak licencuje svou technologii využívající měděných low-k dielektrik Elpidě a ta zase umožní UMC používat její DRAM technologii jako součást pokročilých SoC (System on Chip) řešení. Zdroj: X-bit labs

OCZ vychází vstříc nadšencům a představilo vysoce výkonné paměťové moduly Titanium PC2-6400 CL3 Edition. Již dle názvu se jedná o paměti s frekvencí 800 MHz a velmi nízkým časováním CL3-4-4-15. Jedná se o 1GB moduly (resp. 2GB dual channel kity). Paměti jsou vybaveny Titanium XTC heatspreadery. Vyžadují velmi vysoké napětí 2,4 V. Dále byly představeny 4GB dual channel kity (tedy 2GB moduly) s taktem 800 MHz a slušným časování CL4-4-4-15. I tyto moduly jsou vybaveny Titanium XTC heatspreadery, oproti předchozím pamětem si však vystačí s napětím 2,1 V. Díky EVP pak vydrží až 2,2 V. Na všechny paměťové moduly je poskytována doživotní záruka. Zdroj: www.ocz.com

OCZ také zaznamenává stále vzrůstající zájem o paměti DDR2 a představuje hned 4GB Dual Channel kit (2 x 2048 MB) pamětí DDR2-800 (PC2-6400) s názvem Reaper HPC 4GB PC2-6400. Moduly jsou schopny pracovat s časováním 4-4-4-15. To už si vyžádá vyšší napětí 2,1 V pro tyto paměti. Vztahuje se na ně doživotní záruka a rozšířená přepěťová ochrana, což znamená, že je možné zvýšit napětí až na 2,2 V bez ztráty záruky. To vše musí být také kvalitně chlazeno, o což se stará HPC (Heat Pipe Conduct) pasivní chladič. Název napovídá, že obsahuje jednu heatpipe převádějící teplo do dalšího menšího pasivu. Cena kitu zatím není známa. Zdroj: Fudzilla

Paměti není nikdy dost a rychlé paměti už vůbec. Tento problém řeší společnost OCZ novými DDR2 moduly s efektivní frekvencí 800 MHz, kapacita tohoto dual channel kitu činí 4 GB (2 × 2 GB paměti). Tyto paměti jsou optimalizovány pro platformy NVIDIA a použití s SLI. Ideální jsou tak pro náročné hráče, vyžadující vysoký výkon i u nejnovějších DirectX 10 herních titulů. Podporují také NVIDIA Enhanced Performance Profiles (EPP). O chlazení se starají černé SLI-Ready XTC (Xtreme Thermal Convection) heatspreadery. Při frekvenci 800 MHz nabízí nepříliš agresivní časování CL5-4-4-18. Ovšem základní desky s chipsety nForce s podporou SLI mohou detekovat optimalizované SPD profily a zajistit co nejvyšší výkon. Paměti ke svému běhu vyžadují napětí 2,1 V, díky EVP zvládnou až 2,2 V. Na moduly je poskytována doživotní záruka. Zdroj: www.ocz.com

Společnost Elpida dnes představila XDR paměťový čip o kapacitě 512 Mbit, který běží na neuvěřitelné efektivní frekvenci 4,8 GHz. Využívá Rambus XDR architekturu a k dosažení takto vysoké efektivní frekvence pomáhá technologie ODR (Octal Data Rate), skutečná frekvence totiž činí jen 600 MHz. S jediným čipem může být dosaženo přenosové rychlosti 9,6 GB/s. Najde tak využití v HD televizích, herních konzolích i serverech či pracovních stanicích. Elpida vyrábí tyto paměti 70nm procesem, dodává v 104-pinovém package FBGA. Vzorky začnou být dodávány v prosinci 2007, sériová výroba pak začne v dubnu příštího roku. Zdroj: www.elpida.com, www.cdrinfo.com

Společnosti A-DATA a Asus spojily síly, aby představily platformu pro intelovský čipset X38, kde se mají využít 1900MHz DDR3 moduly A-Data. Paměti dostaly název X Series DDR3 1900X a byly na předváděcí akci uvedeny i s dalšími paměťovými produkty. Série DDR3 1900X má dosáhnout časování CL 9-9-9-24 a v testu EVEREST Memory bandwidth prý dosáhla hodnoty přes 11.000 MB/s. Nižší modely A-Data DDR3 1600X s časováním CL 7-7-7-20 se v tomto testu blížily k hodnotě 10.000 MB/s, což již ale není takový rozdíl. Dále byly k vidění i třetí DDR3 moduly 1333X, jež pracují s časováním CL 6-6-6-18, ale u nich se již výsledky benchmarku EVEREST neuvádí. Verze 1900X pracuje s napětím 2,05 – 2,15 V, 1600X si vezme 1,75 – 1,85 V a stejně tak 1333X. Všechny tři typy modulů se pak dodávají v kitech po dvou 1GB nebo 2GB modulech. Zdroj: A-Data