Paměti RAM (strana 29 z 55)

Už jsme vás informovali o záměru společnosti Qimonda přeskočit GDDR4 čipy a vrhnout se přímo na vývoj a výrobu čipů GDDR5. Tak se také stalo a již dnes mají vybraní výrobci k dispozici první vzorky pamětí GDDR5. Jedná se o 512Mbit čipy. Paměti zatím nebyly schváleny organizací JEDEC, ale je pravděpodobné, že se standardem nakonec stanou. GDDR5 paměti jsou schopny dosáhnout přenosové rychlosti 20 GB/s na čip, což je více než dvojnásobek dnešních GDDR3 pamětí. Pokud dobře počítám, znamená to efektivní frekvenci 5 GHz. GDDR5 paměti využívají dvou rozdílných frekvencí. S první frekvencí jsou vysílána určení adresy a příkazy. S druhou frekvencí (dvojnásobnou!) jsou pak data čtena a zapisována. Dvě rozdílné frekvence by měly navíc umožnit snižovat šum a tím dosahovat také vyšších frekvencí. Pozitivem by měly být také spořící technologie. Doufejme, že tím bude dosaženo ve výsledku nižší spotřeby. GDDR5 byly konstruovány tak, aby spotřebovávaly elektřinu pouze, když prac

Společnost Micron začala s dodávkami vzorků 2Gbit DDR3 čipů, které umožní tvorbu až 8GB nebo 16GB paměťových modulů pro servery a až 4GB modulů pro desktopy. Jedná se o DDR3 čipy, které běží na efektivní frekvenci až 1333 MHz. K výrobě těchto paměťových čipů je používána 78nm technologie. Vyžadují standardní napájení 1,5 V, což je rozhodně pozitivum. Výrobci modulů nyní mohou vyrábět moduly stejné kapacity s polovičním počtem čipů, a při zachování standardního napájecího napětí lze očekávat také nižší výslednou spotřebu. Kdy se začne s masovou výrobou zatím nebylo zveřejněno. Zdroj: www.techspot.com, www.tgdaily.com

Samsung přišel s významnou novinkou. Vyrobil NAND flash paměti pomocí 30nm procesu, díky čemuž bylo možno vyrobit dokonce 64Gbit paměťový čip. Společnost Samsung to považuje za obrovský skok kupředu. Použitím šestnácti takových čipů vznikne paměť o kapacitě 128 GB. To podle Samsungu stačí k uložení 80 DVD filmů nebo 32000 MP3 skladeb. Produkce takových pamětí však začne až v roce 2009. V roce 2011 by tyto produkty měly vytvořit trh, ve kterém proteče na 20 miliard dolarů díky použití v mobilních telefonech, MP3 přehrávačích a podobně. Zdroj: www.cdrinfo.com, www.techreport.com

Ceny DRAM čipů klesly ve třetím čtvrtletí o 36 % a stále klesají, což spolu s poklesem prodeje o 34 % (na 13,4 miliardy) kvůli silné konkurenci od Samsungu vedlo u společnosti Nanya ke ztrátě 1,66 miliardy amerických dolarů (35 centů na akcii). Ještě před rokem přitom tento výrobce vydělal 5,17 miliardy (1,35 dolaru na akcii). Prodejům nepomohla ani tradičně silná poprázdninová sezóna. Cena akcií před zveřejněním výsledků klesla na 21,25 dolaru (o 3,9 %) na Taiwanské burze cenných papírů, TAIEX index klesl o 2,6 %. Čistý příjem snížený o 90 % ohlásil také společný podnik společnosti s Qimondou, Inotera. Společnost chce v příštím roce značně ušetřit na nákladech a také prodat část svých akcií pro financování přestavby továren. Ceny DRAM čipů ale pravděpodobně letos ještě vylétnou, neboť dlouhodobě klesaly a v takovém případě míří ke ztrátě všichni výrobci. Ačkoliv mají velké zásoby, jistě využijí zvýšené poptávky v době Vánoc ke zvýšení cen. Zdroj: Taipe

Společnosti Elpida Memory a United Microelectronics Company spojí své síly při vývoji pokrokových DRAM pamětí s využitím měděného low-k dielektrika a také pamětí PRAM - Phase-change Random Access Memory. Společnosti k tomu mají dobrý základ, protože Elpida je jeden z předních výrobců čipů DRAM a United Microelectronics je smluvní producent polovodičových součástek, jenž poskytne své zkušenosti s low-k dielektriky. Firmy svou dohodu vidí jako výrazný krok kupředu pro vývoj pamětí budoucnosti, jenž by měl přinést rychlejší paměti DRAM s většími kapacitami a také akcelerovat komercializaci pamětí PRAM, jak se vyjádřil Takao Adachi, šéftechnolog Elpidy. UMC tak licencuje svou technologii využívající měděných low-k dielektrik Elpidě a ta zase umožní UMC používat její DRAM technologii jako součást pokročilých SoC (System on Chip) řešení. Zdroj: X-bit labs

OCZ vychází vstříc nadšencům a představilo vysoce výkonné paměťové moduly Titanium PC2-6400 CL3 Edition. Již dle názvu se jedná o paměti s frekvencí 800 MHz a velmi nízkým časováním CL3-4-4-15. Jedná se o 1GB moduly (resp. 2GB dual channel kity). Paměti jsou vybaveny Titanium XTC heatspreadery. Vyžadují velmi vysoké napětí 2,4 V. Dále byly představeny 4GB dual channel kity (tedy 2GB moduly) s taktem 800 MHz a slušným časování CL4-4-4-15. I tyto moduly jsou vybaveny Titanium XTC heatspreadery, oproti předchozím pamětem si však vystačí s napětím 2,1 V. Díky EVP pak vydrží až 2,2 V. Na všechny paměťové moduly je poskytována doživotní záruka. Zdroj: www.ocz.com

OCZ také zaznamenává stále vzrůstající zájem o paměti DDR2 a představuje hned 4GB Dual Channel kit (2 x 2048 MB) pamětí DDR2-800 (PC2-6400) s názvem Reaper HPC 4GB PC2-6400. Moduly jsou schopny pracovat s časováním 4-4-4-15. To už si vyžádá vyšší napětí 2,1 V pro tyto paměti. Vztahuje se na ně doživotní záruka a rozšířená přepěťová ochrana, což znamená, že je možné zvýšit napětí až na 2,2 V bez ztráty záruky. To vše musí být také kvalitně chlazeno, o což se stará HPC (Heat Pipe Conduct) pasivní chladič. Název napovídá, že obsahuje jednu heatpipe převádějící teplo do dalšího menšího pasivu. Cena kitu zatím není známa. Zdroj: Fudzilla

Paměti není nikdy dost a rychlé paměti už vůbec. Tento problém řeší společnost OCZ novými DDR2 moduly s efektivní frekvencí 800 MHz, kapacita tohoto dual channel kitu činí 4 GB (2 × 2 GB paměti). Tyto paměti jsou optimalizovány pro platformy NVIDIA a použití s SLI. Ideální jsou tak pro náročné hráče, vyžadující vysoký výkon i u nejnovějších DirectX 10 herních titulů. Podporují také NVIDIA Enhanced Performance Profiles (EPP). O chlazení se starají černé SLI-Ready XTC (Xtreme Thermal Convection) heatspreadery. Při frekvenci 800 MHz nabízí nepříliš agresivní časování CL5-4-4-18. Ovšem základní desky s chipsety nForce s podporou SLI mohou detekovat optimalizované SPD profily a zajistit co nejvyšší výkon. Paměti ke svému běhu vyžadují napětí 2,1 V, díky EVP zvládnou až 2,2 V. Na moduly je poskytována doživotní záruka. Zdroj: www.ocz.com

Společnost Elpida dnes představila XDR paměťový čip o kapacitě 512 Mbit, který běží na neuvěřitelné efektivní frekvenci 4,8 GHz. Využívá Rambus XDR architekturu a k dosažení takto vysoké efektivní frekvence pomáhá technologie ODR (Octal Data Rate), skutečná frekvence totiž činí jen 600 MHz. S jediným čipem může být dosaženo přenosové rychlosti 9,6 GB/s. Najde tak využití v HD televizích, herních konzolích i serverech či pracovních stanicích. Elpida vyrábí tyto paměti 70nm procesem, dodává v 104-pinovém package FBGA. Vzorky začnou být dodávány v prosinci 2007, sériová výroba pak začne v dubnu příštího roku. Zdroj: www.elpida.com, www.cdrinfo.com

Společnosti A-DATA a Asus spojily síly, aby představily platformu pro intelovský čipset X38, kde se mají využít 1900MHz DDR3 moduly A-Data. Paměti dostaly název X Series DDR3 1900X a byly na předváděcí akci uvedeny i s dalšími paměťovými produkty. Série DDR3 1900X má dosáhnout časování CL 9-9-9-24 a v testu EVEREST Memory bandwidth prý dosáhla hodnoty přes 11.000 MB/s. Nižší modely A-Data DDR3 1600X s časováním CL 7-7-7-20 se v tomto testu blížily k hodnotě 10.000 MB/s, což již ale není takový rozdíl. Dále byly k vidění i třetí DDR3 moduly 1333X, jež pracují s časováním CL 6-6-6-18, ale u nich se již výsledky benchmarku EVEREST neuvádí. Verze 1900X pracuje s napětím 2,05 – 2,15 V, 1600X si vezme 1,75 – 1,85 V a stejně tak 1333X. Všechny tři typy modulů se pak dodávají v kitech po dvou 1GB nebo 2GB modulech. Zdroj: A-Data

Společnosti Qimonda a Sony oznámily, že začnou spolupracovat na vývoji výkonných paměťových technologií. Založí tak firmu se společnou majetkovou účastí Qreatic Design. Zatím o zmíněných technologiích není známo mnoho, ale nová společnost by jimi mohla vytvořit konkurenci firmám jako Rambus. Finančně se Qimonda a Sony budou podílet na Qreatic Design rovným dílem a od obou poputuje do nové firmy dohromady 30 specialistů. Pracovat se začne v japonském Tokiu již do konce kalendářního roku. Vyvíjet se tedy budou výkonné, ale zároveň nízkospotřebové paměti DRAM, které budou určeny spíše pro specifické potřeby zákazníků. Společnosti se však nezmínily, zda hodlají stavět na nynějších technologiích jako DDR, GDDR nebo XDR, či se zaměří na vývoj zcela nového typu. Počáteční stav specialistů ale napovídá, že půjde spíše o první možnost. Prezidentem a vrchním výkonným pracovníkem se stal Tsuyoshi Kashiwagi z firmy Sony. Předseda správní rady je zase Thomas Seifert z Qimondy. Zdro

Společnost G.Skill International Enterprise vydala 4GB kit (2 x 2 GB) pamětí PC2-8000, či jinak DDR2-1000. Ačkoliv se to zdá pomalu jako nelogické v době nastávajících DDR3, nové procesory AMD Phenom a systém Vista jistě přinesou zvýšenou poptávku i po výkonnějších pamětech DDR2 s vyšší kapacitou. Moduly označené F2-8000CL5D-4GBPQ se pyšní latencí 5-5-5-15, která sice není úplně nejlepší, ale pamětem stačí 2 – 2,1 V pro bezproblémový chod. Navíc výrobce tyto hodnoty garantuje a na paměť poskytuje doživotní záruku. Zdroj: Fudzilla

Jak bylo předpovězeno dle roadmap Intelu, FB-DIMM končí u DDR2 a jejich místo přeberou Registrované ECC moduly DIMM (Registered DIMM, RDIMM). Problém FB-DIMM je totiž jejich spotřeba, která by při dvojnásobné frekvenci už byla nesnesitelná, zejména u víceprocesorových serverů. Na IDF Fall 2007 v San Francisku tak výrobci předváděli spoustu modulů od DDR3-800 po DDR3-1333 ECC Reg., v kapacitách 1 – 2 GB. Došlo ale i na platformy s DDR2 RDIMM a Samsung představil 8GB paměťový modul DDR2-667 a 4GB DDR2-800. Vývoj Registrovaných pamětí je v plném proudu a další novinky budou postupně přicházet. Zdroj: The Inquirer

Na trhu paměťových čipů DDR2 SDRAM se objevily nové čipy společnosti Elpida, které při kapacitě 2 Gbit mohou běžet na frekvenci 1066 MHz. Jedná se tedy o DDR2-1066 paměti. Jsou tedy o 30 % rychlejší než DDR2-800 paměti a oproti již existujícím 2Gbit DDR2-SDRAM čipům Elpidy mají také o 20 % nižší spotřebu. K dispozici budou pod označením EDE2104ABSE a EDE2108ABSE. První vzorky mají být dodávány od října, masová produkce pak započne ještě před koncem tohoto roku. Nové čipy dají možnost vzniku 8GB registrovaným DIMM modulům stejně jako klasickým 4GB modulům DIMM, případně SO-DIMM. Zdroj: www.cdrinfo.com, www.elpida.com

Na trhu se objevily další moduly, které splňují certifikaci Intel Extreme Memory Profile (XMP), tentokrát od společnosti Corsair. Specifikace XMP vyžaduje, aby byly moduly na chipsetech Intel P35 a X38 velmi snadno taktovatelné, jejich SPD má umožňovat rozsáhlé možnosti manuálního nastavení. K dispozici budou dual channel kity s kapacitou 2 GB řady Dominator TWIN3X2048-1800C7DFIN, které nabídnou efektivní frekvenci 1800 MHz při časování CL7-7-7-20. Cena této sady má činit $599. Dále se bude jednat o řadu XMS3 DHX s efektivní frekvencí 1600 MHz. K dispozici bude dual channel kit s kapacitou 4 GB (2×2 GB) v podání modulů TWIN3X4096-1600C7DHXIN a kapacitou 2 GB (2×1 GB) v podání pamětí TWIN3X2048-1600C7DHXIN. Časování činí CL7-7-7-20 a ceny $899, resp. $499. DHX moduly se vyznačují čtyřvrstvým heatsinkem. Zdroj: www.cdrinfo.com

Společnost Samsung sice už vyráběla 2Gbit DRAM paměťové čipy, ale to bylo ještě 80nm technologií a s maximální frekvencí 667 MHz. Nyní přechází u 2Gbit čipů na 60nm technologií a rovněž zvyšuje frekvenci o 20 % na výsledných 800 MHz. Máme zde tedy 2Gbit DDR2-800 čipy. Efektivita výroby by díky podstatně nižším rozměrům měla být navýšena až o 40 %, což rozhodně není zanedbatelné a jistě se to podepíše na nižších cenách výsledných paměťových modulů. Ve srovnání s 1Gbit čipy je na výrobu modulu stejné kapacity potřeba polovičního počtu čipů a podle společnosti spotřebuje modul s 2Gbit čipy asi o 30 % méně elektrické energie než srovnatelný modul s 1Gbit čipy. Výhodou nižší spotřeby je také snížení nároků na chlazení a vyšší spolehlivost. K dispozici budou prakticky všechny možné varianty modulů, nabídka začíná vysoce výkonnými 8GB FB-DIMM pamětmi, pokračuje 8GB registrovanými RDIMM moduly, dále bude možno koupit klasický 4GB DIMM nebo 4GB verzi SO-DIMM p

I základní paměti DDR3 jsou pro normální uživatele stále nesmyslně drahé, ale firmy se stále předhánějí v tom, kdo přinese nejvýkonnější moduly. A také stále častěji ve spojení s paměťmi slyšíme o nových technologiích, které k tomu napomáhají, ať už se tedy za honosným názvem technologie skrývá cokoliv. Nyní je to společnost Super Talent, která představuje Project X, DDR3 s kombinací vysokých frekvencí a agresivního časování, pro což muselo být použito i nové řešení chlazení. Project X tak reprezentuje nejpokročilejší paměti od této firmy – například W1800UX2GP, moduly typu DDR3 PC3-14400 s frekvencí 1800 MHz a časováním CL7 7-7-21 při opravdu vysokém napětí – 2 V. A dále to jsou 1600MHz W1600UX2GP s časováním CL7 6-6-18 a napětím 1,8 V. Moduly se budou dodávat po dvojicích (2x 1 GB) za koncové ceny cca 599 a 559 USD. Zdroj: X-bit labs

Společnost OCZ Technology přišla s informacemi o paměťových modulech s podporou XMP (eXtreme Memory Profiles), které se uplatní na platformě Intel X38. Jedná se o takovou konfiguraci SPD (Serial Presence Detect) čipů, která na příslušných základních deskách pamětem dovolí pracovat i s oficiálně nepodporovanými nastaveními. Tyto moduly proto budou určeny především pro nadšence. Na základních deskách s čipovou sadou Intel X38 tedy XMP moduly budou moci pracovat na vyšších frekvencích a s agresivnějším časováním. Donedávna bylo také neslýchané, aby sám Intel sám podporoval na svých čipových sadách taktovací pokusy a nabízel k tomu nástroje. XMP toto má dovolit pomocí systému stanovených a ověřených profilů, jež uživatelům ušetří pokusy s jednotlivými parametry. Navíc budou tak zpřístupněny i volby, jež v klasickém BIOSu uživatelé nenajdou. První takové moduly budou OCZ DDR3 PC3-12800 Intel XMP Ready Titanium Edition, jež pracují na 1600 MHz při CL8 8-8-27 nebo CL7 6-6 a zvý

Kingston uvede brzy nové paměti DDR3-1375 (PC3-11000) s velmi nízkým časováním CL5 (5-7-5-15), což je na tuto frekvenci opravdu málo. Ostatní výrobci se hrnou do velkých frekvencí, ale s poměrně velkým časováním. Až AMD uvede AM3, nastane teprve boom DDR pamětí, ale i tak se zpočátku budou prodávat hlavně modely s nižší frekvencí, jelikož prostě vysoko taktované paměti budou moc drahé. Moduly Kingston HyperX (KHX11000D3ULK2/2G) budou prodávány jako 2GB kit a už je lze objednat i za necelých 630 Eur. Dostupné mají být během příštích několika týdnů, zejména v Německu. Zdroj: Fudzilla

Německý výrobce paměťových DRAM čipů, Qimonda, představil nové grafické paměťové čipy GDDR3 s kapacitou 1 Gb a také vylepšené stávající čipy. K dostání tedy budou čipy s kapacitami 256, 512 a 1024 Mb, přičemž jimi dosahované frekvence jsou 2 GHz pro 256 a 1024Mb čipy a 2,4 GHz pro 512Mb. V současnosti vedou GDDR3 s podílem 90 % trh s paměťmi pro grafické karty (dle průzkumu společnosti Mercury Research), v příštím roce již převezmou iniciativu GDDR4 a pomalu nastoupí GDDR5 (ty mají dosáhnout 7% podílu), v roce 2009 již mají trh vést GDDR5 se 44 %. Prvních vzorků GDDR5 se prý dočkáme ještě letos. Zdroj: VR-Zone

Evropská komise poslala firmě Rambus oznámení s námitkami (SO - Statement of Objections) a obviňuje ji z porušování evropských antitrustových zákonů. Firma Rambus, přední vývojová společnost na poli počítačových pamětí, se zodpovídá z vymáhání absurdních licenčních poplatků od výrobců pamětí a také že učinila tzv. "patentové přepadení". Rambus si klade nároky na patenty klíčových technologií použitých v moderních pamětech SDRAM, DDR SDRAM a DDR2 SDRAM. Výrobci pamětí však poukazují na to, že Rambus tyto patenty získal oklamáním organizace JEDEC (standardizační orgán EIA - Electronic Industries Alliance). Námitky EK mluví o tom, že Rambus cíleně jednal podvodným způsobem. Zamlčel totiž existenci patentů, o kterých až později prohlásil, že mají spojitost s přijatými standardy. "Takové jednání je označováno jako patentové přepadení," píše se v dokumentu Evropské komise. Dále komise také říká, že Rambus porušil pravidla dohody EK tím, že zneužil podvodně získaného domina

Paměti typu STT-RAM (Spin Torque Transfer RAM) budou vyvíjeny ve spolupráci firem IBM a TDK. Princip fungování STT-RAM je možná patrný již z názvu – manipuluje se zde se spiny atomů pomocí elektrického proudu. Spin se může měnit podle směru rotace (vlevo, vpravo) či podle pozice (nahoru a dolů). Změna spinu mění vodivost, což může reprezentovat typickou nulu nebo jedničku. V plánu je vytvořit během čtyř let funkční prototyp vyráběný 65nm technologií. Společnost Grandis, začátečník v Silicon Valley, si však věří více a momentálně se snaží vyrobit prototypy pro investory a doufá, že se paměti dostanou na trh ještě na konci příštího roku. IBM se dříve snažilo vytvořit jiný typ magnetických pamětí, MRAM, ale nastaly potíže se zhuštěním tranzistorů do čipu. „Když čip děláte menší, je potřeba zesílit magnetické pole, což je ale nepraktické,“ řekl Bill Gallagher, starší manažer výzkumu non-volatilních pamětí v IBM. „K tomu, abychom se dostali pod 65 nm, pot