Základní deska Gigabyte dokázala přetaktovat DDR3 moduly až k 2080MHz
Nová základní deska Gigabyte P35T-DQ6 postavená na chipsetu Intel P35 má nevídané možnosti taktování. Na tomto motherboardu bylo totiž zkoušeno taktování nových DDR3 modulů, konkrétně pamětí Micron DDR3-1066 o kapacitě 1GB. Jak už název napovídá, standardně tyto paměti poběží na 1066MHz. Efektivní frekvence modulů byla zvýšena ze základních 1066MHz až na neuvěřitelných 2080MHz. Časování CL10-10-10-24 je stejně tak neuvěřitelné, ovšem tentokrát v negativním slova smyslu. Jako procesor byl použit ještě nepředstavený Intel Core 2 Duo E6850. Jeho takt byla zvýšen z původní velmi slušné frekvence 3,0GHz na ještě vyšší frekvenci 3,64GHz, což znamenalo takt sběrnice výtečných 520MHz při násobiči 7. Je vidět, že už dnes mají DDR3 paměti dosti vysoký frekvenční potenciál. Zdroj: www.techreport.com
OCZ začalo s prodejem DDR3 modulů
Nový chipset Intel P35 podporuje kromě DDR2 také paměti DDR3. Některé dražší desky jsou již vybaveny DDR3 sloty a proto jsou na řadě výrobci pamětí, aby své DDR3 moduly uvedly na trh. Společnost OCZ přidává do nabídky čtveřici DDR3 modulů o kapacitách 2×512MB nebo 2×1GB. Moduly spadají do série Gold a nabízeny jsou jako DDR3-1066 (PC3-8500) nebo DDR3-1333 (PC3-10666). Je překvapivé, že už tyto moduly mají zvýšené napětí 1,6V, když standardem DDR3 pamětí je 1,5V. Na moduly je poskytována celoživotní záruka a jsou vybaveny zlatě vyvedeným XTC heatspreaderem. Moc nepotěší latence, které dosahují velmi vysokých hodnot. Vždyť jen u DDR3-1066 modulů činí hodnoty CAS-TRCD-TRP-TRAS dosti vysokých 7-7-7-21. DDR3-1333 moduly jsou na tom ještě hůře neboť hodnoty latencí jsou 9-9-9-26. Zdroj: www.ocz.com, www.extremetech.com
Testy pamětí Patriot PC2-6400U 2 GB kit
Patriot je společnost v Evropě nepříliš známa, což je poměrně škoda. Nyní totiž vydává výkonný paměťový 2 GB (2 x 1024 MB) DDR2-800 kit, časovaný na 4-4-4-12 při napětí 2,2 V. Prodává se za celkem slušných 115 Eur. Moduly jsou charakteristické použitím jemně žebrovaných černých nebo rudých pasivních chladičů, jež jsou opatřeny logem výrobce. Na serveru Fudzilla moduly otestovali a výsledky nijak nepřekvapí. Paměti OCZ Titanium PC2-6400 4-4-4-15 800MHz byly o něco pomalejší, při přetaktování Patriotů byla jejich porážka jasná; frekvence Patriotů šly na 1000 MHz bez zvýšení napětí, časování v tomto případě bylo 5-5-5-15. Je tedy jisté, že paměti mají ještě rezervu. Přitom kit od OCZ stojí i více než dvojnásobek. Zdroj: Fudzilla
Pohled na technologii Z-RAM
Kapacita vyrovnávací paměti je dnes výrazně omezena a to zejména velikostí čipu a s tím související cenou. Velikost vyrovnávací paměti postupně roste, ale stále jsou tu limity vzhledem k použité výrobní technologii a ploše čipu. Jedna z technologií, která může kapacitu vyrovnávací paměti výrazně zvýšit, je technologie Z-RAM. A právě na ni se v tomto článku podíváme.
Kingston představuje 800MHz paměti DDR2 s ultranízkými latencemi
Společnost Kingston Technology nabízí zákazníkům nové paměťové moduly PC2-6400 DDR2 řady Ultra Low-Latency HyperX chlubící se značením 3-3-3-10. K dispozici mají být okamžitě a mají se tak dle firmy stát nejrychlejšími 800MHz moduly na trhu. I když takové GeIL GX22GB6400PDC mají označení 3-3-3-8 (otázkou je však jejich dostupnost). „U našich nových pamětí HyperX 800MHz DDR2 s ultra nízkou latencí jsme dosáhli časování 3-3-3 a společnost Kingston tak nabízí všestranné možnosti jejich využití jak pro hráče, tak nadšence do technologií, kteří díky nim mohou vyladit výkon svých počítačů a dosáhnout výsledků benchmarků na hranici možností,“ řekl Mark Tekunoff, hlavní ředitel pro technologie ve společnosti Kingston. Nové 240pinové moduly se dodávají v kapacitách 512 MB, 1 GB a v 1GB a 2GB sadách. Výchozího časování dosahují při napětích 2,3 V - 2,35 V, což je daň za dosažené časování. Kingston Technology k nim nabízí doživotní záruční lhůtu a nepřetržitou technickou pod
AMD s přechodem na DDR3 nespěchá
Pamětí DDR3 pomalu začíná na trh přibývat, u Intelu se již stávají standardním vybavením pro nové základní desky, ale zde je podpora záležitostí čipové sady a nikoliv samotného procesoru. DDR3 jsou zatím poněkud dražší a jejich převaha nad DDR2 se předpokládá až někdy na přelomu roku 2008 – 2009. AMD nemá zájem o experimentování se zájmem zákazníka a sází na jistotu. Chce prý proto přijít s podporou DDR3 tehdy, až bude jejich používání naprosto běžnou záležitostí. AMD má řadič pamětí integrovaný v procesoru, který má vysokou účinnost a paměti mají v propustnosti dostatečnou rezervu. Změna na DDR3 tedy bude součástí přechodu na novou architekturu Deneb, Prophus a Sargas, tím i nový socket AM3, ale i novou technologii 45nm. Vše by se mělo udát v druhé polovině příštího roku. Obdobně tomu bylo u AMD i s přechodem na AM2, DDR2 a 65nm. Jestli se v AM3 objeví i 65nm procesory, jak tomu bylo s 90nm procesory v AM2, nevíme. Stejně tak se v článku nepíše, zda přechod na DDR4 b
GEIL a 8GB Quad channel kit Black Dragon
Společnost GEIL představila nové paměti Black Dragon, které budou určeny především pro hráče. Nejen společnost GEIL, ale mnohé další sponzorují různé soutěže, klany a týmy hráčů počítačových her a toto je tedy další krok k získání obliby. Hráčské paměti jsou údajně designovány především pro podávání vysokého výkonu a stability. Jedná se také o první DDR2 quad channel formát společnosti, který přinese kapacitu až 8GB a 8 vrstvou PCB pro maximální stabilitu. Dostupné tedy budou konkrétně kapacity 2GB, 4GB a 8GB dual a quad channel paměťových kitů. Rychlost pamětí bude v závislosti na modelu 667MHz, 800MHz a 1066MHz. CAS Latency je následně 4-4-4-12 a 5-5-5-15. Použity jsou certifikované FBGA 64Mx8 a 128Mx8 DDR2 IC paměťové čipy. Jedná se o 240 pinové unbuffered DIMM moduly bez ECC, které pracují s napětím 1,9V až 2V. Na paměti naleznete dvě LED diody a záruka je samozřejmě doživotní. Společnost doporučuje i konkrétní základní desky (v době vydání tiskové zprávy desk
ATComputers výhradním distributorem pamětí Aeneon pro ČR
Společnost ATComputers, distributor IT a známý český výrobce a dodavatel počítačů, se stala výhradním distributorem pamětí Aeneon (Infineon) pro Českou republiku a Slovensko. Po rozdělení výrobních aktivit firmy Infineon se Aeneon stal značkou pro jejich paměti, které se dlouhodobě vyznačují vysokou kvalitou i přijatelnou cenou. Mezi přednosti patří také stabilní konfigurace - ta zaručuje, že konfigurace destičky i čipů se po uvedení modulu na trh mění jen velmi výjimečně. Paměti pro odběratele budou baleny v retailových krabičkách. V nabídce má společnost celou řadu paměťových modulů DDR2, které budou nyní distribuovány výhradně skrze ATComputers. Mezi poměrně známé patří například série Xtune. O jednotlivých modulech můžete najít informace přímo na stránkách společnosti Aeneon. Zdroj: ATComputers
Qimonda zahájila dodávky DDR3-1333 pamětí, pracuje na DDR3-1600 čipech
První vzorky DDR3-1333 pamětí společnosti Qimonda jsou již na světě a jejich dodávky pomalu začínají. V nabídce tak tato firma má 512Mb a 1Gb čipy DDR3-800, DDR3-1066 a DDR3-1333. Hovoří se o tom, že paměti jsou schopny přetaktování na efektivní frekvenci 1600MHz i více. První chipsety s podporou DDR3 pamětí by se měly objevit už během jednoho týdne. Jedná se o čipové sady Intel P35 a G33, které podporují nanejvýš DDR3-1066 (PC3-8500) paměti. Ve třetím čtvrtletí tohoto roku by se však měla objevit výkonnější čipová sada X38, která nabídne oficiální podporu DDR3-1333 (PC3-10600) pamětí. Zdroj: www.xbitlabs.com
Corsair uvádí paměťové moduly DDR3
Výrobce počítačových flash a RAM pamětí uvádí jednu z prvních pamětí typu DDR3-1066 o kapacitě 1024 MB. Na výraznější pokrok si zřejmě budeme muset ještě počkat, na frekvenci 1066 MHz totiž běží i mnoho DDR2 modulů. Jedinou výhodou oproti nim je zřejmě pouze nižší spotřeba – paměti DDR3 totiž běží na pouhých 1,5 V. Na paměti DDR3 se čeká již od roku 2005, kdy Infineon zaslal výrobcům první prototyp. Zatím se předpokládá výroba pamětí DDR3-1333, výhledově možná i DDR3-1600. Osobně si však myslím, že uplyne mnoho času, než se DDR3 na trhu ujmou. Velmi dlouho trvalo, než se masově přešlo z pamětí DDR na DDR2, jež jsou stále ještě novinkou. To zejména díky utra-výkonným modulům, které výrobci stále chrlí na trh. Zdroj: Fudzilla
OCZ PC2-8500 s certifikací AMD CrossFire
OCZ představuje paměti PC2 Reaper HPC Edition s certifikací AMD CrossFire. Jenom připomenu, že se jedná o paměti, které se vyznačují chlazením vyřešeným pomocí heatpipe. Zatím certifikované pro AMD CrossFire jsou moduly 2GB (2x 1024MB) dual channel s označením PC2 – 8500, DDR2 – 1066 a s časováním 5- 5- 5. Samozřejmostí je zde doživotní záruka. Jde v podstatě, jak jsem již zmínil, o již prezentované paměťové moduly s visačkou: certifikováno pro AMD CrossFire. Je zřejmé, že tato technologie po dlouhém stagnování a nedůvěře od jejího uvedení samotnou AMD začíná být atraktivní a výrobci jednotlivých komponent se budou s její certifikací zřejmě předhánět. Nyní se ještě podíváme, jak je to s certifikací u AMD. Zdroj: VR-Zone
Intel zvalidoval DDR3 čipy společností Samsung a Elpida
Nové chipsety Intel Bearlake disponují podporou operačních pamětí DDR3, proto začínají výrobci paměťových čipů přicházet na trh se svými řešeními. Intel nedávno zvalidoval DDR3 paměťové čipy společnosti Hynix. Nyní se k nim přidává 21 čipů společnosti Samsung a čipy společnosti Elpida. Elpida vyvíjí DDR3 paměti od srpna roku 2005. Nejprve budou k dispozici paměťové čipy DDR3-1066 a DDR3-1333, přičemž se připravují i verze DDR3-1600. 1Gbit čipy budou vyráběny 70nm technologií a již brzy se objeví na trhu. Samsung zahájí produkci čipů do konce příštího měsíce. Prodeje pak začnou v druhé polovině tohoto roku. Počítá se s tím, že prodeje DDR3 pamětí překonají DDR2 paměti buď ke konci roku 2008 nebo na počátku roku 2009. Zdroj: www.pcworld.com, www.digitimes.com
OCZ uvádí 2GB moduly SO-DIMM PC-5400
Společnost zabývající se mimo jiné výrobou paměťových modulů, OCZ technology, přichází s další novou pamětí, tentokrát do laptopů. Jedná se o 2GB modul SO-DIMM PC-5400 (DDR2-667 MHz). Paměť nese označení PN – OCZ2MV6672G a časovaná je na 5-5-5-15. Původně byla nabízena pouze ve velikostech 512 MB a 1 GB, ovšem zvýšené nároky na velikost RAM u systémů MS Windows Vista a omezený prostor v laptopech si vynutil další navýšení velikosti těchto modulů. Díky své kapacitě a rychlosti však nalezne využití i u těch uživatelů, kteří na notebooku zpracovávají video či u dalších, již potřebují velkou operační paměť. Informace o ceně zatím nejsou známy, 1 GB modul se ale prodává za cenu kolem 69 USD. Zdroj: Boot Daily
OCZ a první paměti optimalizované pro AM2
Společnost OCZ Technology Group představila svůj první paměťový kit speciálně optimalizovaný pro příznivce AMD a vysokého výkonu. Představeny totiž byly nové PC2-5400 Tituanium moduly, které jsou designovány pro platformu AMD AM2. Tyto PC2-5400 AM2 Special moduly budou tedy dostupné jako 4GB (2 x 2048MB) dvoukanálový paměťový kit speciálně optimalizovaný pro platformu AM2 a 64 bitové operační systémy. Zdvojnásobena je velikost stránky na 16kbit , snížena doba přístupu a využití tak architektura těchto modulů najde například u náročných grafických aplikací či u práce s videem (rozšířením rozsahu adres sloupce AM2 paměťového řadiče, kde je tedy podporována 11bitová adresa pro sloupce). Každý modul je ručně testován a nabídne Titanium XTC (Xtreme Thermal Convection) heatspreadery. Frekvence je potom 667MHz, časování 5-5-5-15 a jedná se o unbuffered 240 pinové paměti s modelovým číslem OCZ2T667AM4GK. Cena ani přesné datum dostupnosti není známo. Záruka bude samozřejmě doživo
Hynix oznamuje DDR3, standard roku 2009
Na čínských serverech HKEPC Hardware se v uplynulých dnech objevila zpráva o standardu DDR3 pro rok 2009 a zároveň na serveru Tech-On! zase informace, že Hynix Semiconductor jako první získal atest pro použití DDR3 paměťových modulů pro platformu Intel. Jak jsme informovali, jsou již vyráběny základní desky s čipovými sadami Intel P35 'Bearlake', u nichž se počítá s podporou pamětí DDR3. Pojďme se tedy podívat na uvedená fakta. Čipovou sadu Intel P35 a G33 'Bearlake' by měl Intel v nejbližších dnech oficiálně představit. Hromadná výroba 1Gb a 2Gb čipů DDR3 na 80nm lince začne ve třetí čtvrtině tohoto roku. Hynix v té době plánuje současně přechod na 66nm technologii. Nové 1Gb a 2Gb DDR3 SDRAM čipy jsou zatím zkušebně vyráběny na firemních 80nm linkách. Vlastnosti jednotlivých čipů jsou tyto: Dalším charakteristickým rysem těchto DDR3 paměťových čipů je redukovaná spotřeba proudu o téměř 25% ve srovnání s moduly DDR2. Trojrozměrná tranzistorová architektura minima
AMD: 45nm K10, AM3 a DDR3 již příští rok
Když se koncem minulého roku na stránkách ITmedia a dalších probírala možnost výroby procesorů AMD a IBM 45nm technologií, nikdo tomu nevěnoval příliš velkou pozornost. Možnost výroby 32nm či 22nm technologiemi v dohledné době již vůbec nikdo nebral vážně, vždyť je ještě velice aktuální 65nm technologie. Zde jsme informovali o snaze Intelu každé dva roky přecházet na menší technologii. AMD dle posledních zpráv na avizovaných 45nm Intelu již v tomto roce odpovídá také 45nm technologií pro příští rok, zřejmě opět s 40% výkonu navíc. O plánech AMD přejít příští rok na 45nm technologií jsme již sice informovali, ale nyní máme možnost se na serveru DailyTech dočíst více podrobností. Jak je možné se přesvědčit zde, vynechání názvů architektury K8L a K9 a použití přímo názvu K10 s sebou zřejmě přineslo i přeskočení socketu AM2+ a přesun přímo na AM3, kde je samozřejmostí HyperTransport 3, DDR3 a údajně i zpětná kompatibilita s AM2. 45nm výroba by měla začít u AMD
Paměti DDR3 stále k výrobcům nedorazily
Výrobci základních desek začali hojně představovat nové základní desky s čipovou sadou Intel P35 'Bearlake'; například Gigabyte nebo MSI dle nejnovějších zpráv mají nové desky již v rukou. Tyto základní desky přijdou ve verzích, které budou podporovat dnes standardní paměti DDR2 (například MSI P35 Platinum) a nebo nové paměti DDR3 (MSI P35 Platinum D3) Dle zpráv serveru Fudzilla však ani velcí hráči na trhu s paměťovými moduly, jako jsou Kingston, Corsair nebo OCZ, nemají zatím žádné paměti DDR3. Ty jsou stále ve stádiu zkoušení kompatibility se základními deskami a bude prý trvat ještě dva další týdny, než se nějaké DDR3 ke zmíněným výrobcům dostanou. Výrobci pamětí tedy mají co dělat, aby dokázali zachytit termín vypuštění základních desek se sadami Bearlake, který byl stanoven na první den Computexu (4. června). Zdroj: Fudzilla
Buffalo uvádí paměťové moduly DDR3
Společnost Buffalo uvedla první DDR3 paměťové moduly, ačkoli nové chipsety a základní desky je začnou podporovat až později v tomto roce. Zatím tedy půjde o exotické zboží. Jedná se o moduly DDR3-1066MHz (PC2-8500), tedy na dosti vysokých frekvencích, které dosahují jen vysokovýkonné značkové DDR2 moduly. Při frekvenci 1066MHz dosahují tyto paměti latence CL7, což je podstatně více než CL5 u stejně taktovaných DDR2 modulů. Stále je to však lepší číslo než původně předpokládané CL kolem hodnoty 10 (takové jsou stále očekávané u DDR3-1600 modulů). Díky několika technologickým vylepšením by však měly být DDR3 moduly na stejné frekvenci minimálně tak rychlé jako DDR2 moduly, ne-li rychlejší. K vylepšení výkonu pomáhá např. 8-bitový pre-fetch (DDR2 pouze 4-bitový), spotřebu snižuje napájecí napětí pouhých 1,5V (DDR má 1,8V a více), technologie PASR (Partial Array Self Refresh) a ASR (Auto Self Refresh). Uváděcí cena asi nikoho nepotěší, 512MB modul má stát $315, což by u n
OCZ a dvojice nových modulů DDR2
Společnost OCZ Technology Group představila dvojici nových pamětí spadající do série Reaper HPC, která je určena především pro nadšence a milovníky vysokého výkonu. Oba nové DDR2 moduly běží na frekvenci 800Mhz a tyto PC2-6400 Enhanced Bandwidth Edition paměti jsou navrženy, aby dodávaly optimální a garantovaný výkon na nVidia nForce 680i čipové sadě. Ty pak nabídnou časování 4-3-3-15, kde běžné Reaper PC-6400 paměti mají CL4-4-4. Tyto moduly pak také nabízí Reaper HPC (Heat Pipe Conduit) heatspreadery a EPP (Enhanced Performace Profiles). Dostupné pak budou jako 2GB dvoukanálový kit a jedná se o unbuffered paměti. Ve specifikacích se pak dále hovoří o doživotní záruce a 240-pinech. Cena ani přesné datum dostupnosti není ve zprávě zmíněno. Zdroj: digit-life
Samsung zvyšuje kapacity pamětí DRAM
Vrstvení se stalo populárním slovem u výrobců polovodičů. Nedávno IBM oznámilo vývoj nových 3D procesorů s vrstvenými obvody a nyní se přihlašuje Samsung s dalším zlepšením výroby DRAM čipů a potažmo modulů, které by již brzy mohly dosáhnout kapacity 4 GB. K tomu hodlá využít technologii Through Silicon Via (TSV), podle názvu tedy minimálně velmi podobnou k té od IBM. Samsung se rozhodl navrstvit čtyři 512Mb DDR2 čipy na sebe a vyrobit tak jeden 2Gb DRAM čip (označuje se jako Wafer-level-processed Stacked Package - WSP), což umožní s použitím šestnácti takových čipů stvořit 4GB DIMM paměti DDR2. Through Silicon Vias nejsou nic jiného, než miniaturní otvory vyplněné mědí, které propojují části paměťového čipu. Firma dále věří, že se jí podaří využít TSV technologii i pro výrobu pamětí DDR3 s vyššími přenosovými rychlostmi jako 1,6 Gb/s a pomůže jí dosáhnout i úspor ve spotřebě energie. Dostupnost nových pamětí zatím oznámena nebyla. Zdroj: TG Daily
OCZ představuje paměti PC2-9600 Flex XLC
Paměti PC2-9600 série Flex XLC představila společnost OCZ a předurčila je pro nenapravitelné ladiče výkonu. To je na první pohled jasné podle jejich chlazení, ke kterému můžete využít vodu. Výrobce dále u těchto pamětí garantuje, že budou fungovat na frekvenci 1200 MHz a časování 5-5-5-18 při 2,35 V. Společnost je dodává v dual channel sadě po dvou gigabytových modulech a poskytuje na ně doživotní záruční lhůtu. Jejich chlazení zajišťuje mohutný pasiv s vysokým žebrováním, na nějž můžete tedy napojit hadice - vnitřní průměr trubic je čtvrt palce. Dle vyjádření firmy však paměti budou na zmíněné frekvenci fungovat i bez chlazení vodou. Zdroj: OCZ Technology
OCZ uvádí DDR2 paměti Reaper s frekvencí 1150MHz
Paměti Reaper se vyznačují nezvyklým chlazením pomocí heatpipe, které má zaručit opět mnohem vyšší účinnost jako každé inovativní řešení. Dosud společnost OCZ vyráběla PC2-8500 (DDR-1066) moduly této řady, nově však budou k dispozici i PC2-9200, tedy DDR2-1150 moduly. Při této frekvenci dosahují časování CL5-5-5-18. K bezproblémovému provozu vyžadují napětí 2,3V, díky EVP však výrobce zaručuje stabilitu i při vysokém napětí 2,35V. K dispozici jsou jako 2GB (2×1GB) dual channel kity. Stejně jako na všechny moduly OCZ prémiových řad, i na tyto paměti je poskytována doživotní záruka. Ta se po nedávno zjištěných problémech se stabilitou vysokonapěťových modulů obzvlášť hodí. Zdroj: www.tgdaily.com, www.digit-life.com
nVidia a EVGA varují před vysokonapěťovými DRAM moduly
Výrobci vysokorychlostních paměťových modulů s vysokým napětím mají problémy. Tyto moduly totiž potřebují ke svému běhu na frekvencích okolo 1200MHz až 2,4V. Což je mnohem více, než standardních 1,8V pro DDR2 moduly. Chipset nForce 680i SLI podporuje tyto vysokorychlostní moduly, bohužel začíná vycházet najevo, že napětí 2,4V je pro tyto moduly v dlouhodobém provozu opravdu příliš. Místo zajištění vyšší stability se právě vysoké napětí podílí na snížené stabilitě modulů, dokonce až na jejich zničení. Zdroj: www.xbitlabs.com
NAND flash pamětí bude dle Samsungu nedostatek
Samsung se rozpovídal o trhu s paměťmi DRAM a NAND flash. DRAM mají v druhé polovině tohoto roku zažít příjemný vzestup, avšak v tu dobu má přijít silný nedostatek pamětí NAND flash. DRAM trh je v této době poněkud v útlumu, což je způsobeno přesycením trhu a to by se mělo zlepšit již za několik měsíců, kdy se poptávka opět zvedne i díky systému Windows Vista. DRAM také začnou více pronikat i do spotřební elektroniky, jako kapesní zařízení a digitální TV. Na druhou stranu trh s NAND flash paměťmi momentálně zažívá veliký rozmach a rostoucí poptávku. Chang-Gyu Hwang, obchodní ředitel Samsungu, proto pro druhou polovinu roku předpovídá, že těchto pamětí bude nedostatek. Stane se tak kvůli rostoucímu počtu prodaných MP3 přehrávačů (především rozmezí 4-8 GB), ostatních kapesních zařízení a také se na trh dostane Apple iPhone. Samsung dále poukazuje, že všichni hlavní výrobci tohoto typu paměti zaujali opatrný postoj k rozvoji výroby a dokonce i snížili její kapacitu. Z