Paměti RAM (strana 33 z 56)

Společnost zabývající se mimo jiné výrobou paměťových modulů, OCZ technology, přichází s další novou pamětí, tentokrát do laptopů. Jedná se o 2GB modul SO-DIMM PC-5400 (DDR2-667 MHz). Paměť nese označení PN – OCZ2MV6672G a časovaná je na 5-5-5-15. Původně byla nabízena pouze ve velikostech 512 MB a 1 GB, ovšem zvýšené nároky na velikost RAM u systémů MS Windows Vista a omezený prostor v laptopech si vynutil další navýšení velikosti těchto modulů. Díky své kapacitě a rychlosti však nalezne využití i u těch uživatelů, kteří na notebooku zpracovávají video či u dalších, již potřebují velkou operační paměť. Informace o ceně zatím nejsou známy, 1 GB modul se ale prodává za cenu kolem 69 USD. Zdroj: Boot Daily

Společnost OCZ Technology Group představila svůj první paměťový kit speciálně optimalizovaný pro příznivce AMD a vysokého výkonu. Představeny totiž byly nové PC2-5400 Tituanium moduly, které jsou designovány pro platformu AMD AM2. Tyto PC2-5400 AM2 Special moduly budou tedy dostupné jako 4GB (2 x 2048MB) dvoukanálový paměťový kit speciálně optimalizovaný pro platformu AM2 a 64 bitové operační systémy. Zdvojnásobena je velikost stránky na 16kbit , snížena doba přístupu a využití tak architektura těchto modulů najde například u náročných grafických aplikací či u práce s videem (rozšířením rozsahu adres sloupce AM2 paměťového řadiče, kde je tedy podporována 11bitová adresa pro sloupce). Každý modul je ručně testován a nabídne Titanium XTC (Xtreme Thermal Convection) heatspreadery. Frekvence je potom 667MHz, časování 5-5-5-15 a jedná se o unbuffered 240 pinové paměti s modelovým číslem OCZ2T667AM4GK. Cena ani přesné datum dostupnosti není známo. Záruka bude samozřejmě doživo

Na čínských serverech HKEPC Hardware se v uplynulých dnech objevila zpráva o standardu DDR3 pro rok 2009 a zároveň na serveru Tech-On! zase informace, že Hynix Semiconductor jako první získal atest pro použití DDR3 paměťových modulů pro platformu Intel. Jak jsme informovali, jsou již vyráběny základní desky s čipovými sadami Intel P35 'Bearlake', u nichž se počítá s podporou pamětí DDR3. Pojďme se tedy podívat na uvedená fakta. Čipovou sadu Intel P35 a G33 'Bearlake' by měl Intel v nejbližších dnech oficiálně představit. Hromadná výroba 1Gb a 2Gb čipů DDR3 na 80nm lince začne ve třetí čtvrtině tohoto roku. Hynix v té době plánuje současně přechod na 66nm technologii. Nové 1Gb a 2Gb DDR3 SDRAM čipy jsou zatím zkušebně vyráběny na firemních 80nm linkách. Vlastnosti jednotlivých čipů jsou tyto: Dalším charakteristickým rysem těchto DDR3 paměťových čipů je redukovaná spotřeba proudu o téměř 25% ve srovnání s moduly DDR2. Trojrozměrná tranzistorová architektura minima

Když se koncem minulého roku na stránkách ITmedia a dalších probírala možnost výroby procesorů AMD a IBM 45nm technologií, nikdo tomu nevěnoval příliš velkou pozornost. Možnost výroby 32nm či 22nm technologiemi v dohledné době již vůbec nikdo nebral vážně, vždyť je ještě velice aktuální 65nm technologie. Zde jsme informovali o snaze Intelu každé dva roky přecházet na menší technologii. AMD dle posledních zpráv na avizovaných 45nm Intelu již v tomto roce odpovídá také 45nm technologií pro příští rok, zřejmě opět s 40% výkonu navíc. O plánech AMD přejít příští rok na 45nm technologií jsme již sice informovali, ale nyní máme možnost se na serveru DailyTech dočíst více podrobností. Jak je možné se přesvědčit zde, vynechání názvů architektury K8L a K9 a použití přímo názvu K10 s sebou zřejmě přineslo i přeskočení socketu AM2+ a přesun přímo na AM3, kde je samozřejmostí HyperTransport 3, DDR3 a údajně i zpětná kompatibilita s AM2. 45nm výroba by měla začít u AMD

Výrobci základních desek začali hojně představovat nové základní desky s čipovou sadou Intel P35 'Bearlake'; například Gigabyte nebo MSI dle nejnovějších zpráv mají nové desky již v rukou. Tyto základní desky přijdou ve verzích, které budou podporovat dnes standardní paměti DDR2 (například MSI P35 Platinum) a nebo nové paměti DDR3 (MSI P35 Platinum D3) Dle zpráv serveru Fudzilla však ani velcí hráči na trhu s paměťovými moduly, jako jsou Kingston, Corsair nebo OCZ, nemají zatím žádné paměti DDR3. Ty jsou stále ve stádiu zkoušení kompatibility se základními deskami a bude prý trvat ještě dva další týdny, než se nějaké DDR3 ke zmíněným výrobcům dostanou. Výrobci pamětí tedy mají co dělat, aby dokázali zachytit termín vypuštění základních desek se sadami Bearlake, který byl stanoven na první den Computexu (4. června). Zdroj: Fudzilla

Společnost Buffalo uvedla první DDR3 paměťové moduly, ačkoli nové chipsety a základní desky je začnou podporovat až později v tomto roce. Zatím tedy půjde o exotické zboží. Jedná se o moduly DDR3-1066MHz (PC2-8500), tedy na dosti vysokých frekvencích, které dosahují jen vysokovýkonné značkové DDR2 moduly. Při frekvenci 1066MHz dosahují tyto paměti latence CL7, což je podstatně více než CL5 u stejně taktovaných DDR2 modulů. Stále je to však lepší číslo než původně předpokládané CL kolem hodnoty 10 (takové jsou stále očekávané u DDR3-1600 modulů). Díky několika technologickým vylepšením by však měly být DDR3 moduly na stejné frekvenci minimálně tak rychlé jako DDR2 moduly, ne-li rychlejší. K vylepšení výkonu pomáhá např. 8-bitový pre-fetch (DDR2 pouze 4-bitový), spotřebu snižuje napájecí napětí pouhých 1,5V (DDR má 1,8V a více), technologie PASR (Partial Array Self Refresh) a ASR (Auto Self Refresh). Uváděcí cena asi nikoho nepotěší, 512MB modul má stát $315, což by u n

Společnost OCZ Technology Group představila dvojici nových pamětí spadající do série Reaper HPC, která je určena především pro nadšence a milovníky vysokého výkonu. Oba nové DDR2 moduly běží na frekvenci 800Mhz a tyto PC2-6400 Enhanced Bandwidth Edition paměti jsou navrženy, aby dodávaly optimální a garantovaný výkon na nVidia nForce 680i čipové sadě. Ty pak nabídnou časování 4-3-3-15, kde běžné Reaper PC-6400 paměti mají CL4-4-4. Tyto moduly pak také nabízí Reaper HPC (Heat Pipe Conduit) heatspreadery a EPP (Enhanced Performace Profiles). Dostupné pak budou jako 2GB dvoukanálový kit a jedná se o unbuffered paměti. Ve specifikacích se pak dále hovoří o doživotní záruce a 240-pinech. Cena ani přesné datum dostupnosti není ve zprávě zmíněno. Zdroj: digit-life

Vrstvení se stalo populárním slovem u výrobců polovodičů. Nedávno IBM oznámilo vývoj nových 3D procesorů s vrstvenými obvody a nyní se přihlašuje Samsung s dalším zlepšením výroby DRAM čipů a potažmo modulů, které by již brzy mohly dosáhnout kapacity 4 GB. K tomu hodlá využít technologii Through Silicon Via (TSV), podle názvu tedy minimálně velmi podobnou k té od IBM. Samsung se rozhodl navrstvit čtyři 512Mb DDR2 čipy na sebe a vyrobit tak jeden 2Gb DRAM čip (označuje se jako Wafer-level-processed Stacked Package - WSP), což umožní s použitím šestnácti takových čipů stvořit 4GB DIMM paměti DDR2. Through Silicon Vias nejsou nic jiného, než miniaturní otvory vyplněné mědí, které propojují části paměťového čipu. Firma dále věří, že se jí podaří využít TSV technologii i pro výrobu pamětí DDR3 s vyššími přenosovými rychlostmi jako 1,6 Gb/s a pomůže jí dosáhnout i úspor ve spotřebě energie. Dostupnost nových pamětí zatím oznámena nebyla. Zdroj: TG Daily

Paměti PC2-9600 série Flex XLC představila společnost OCZ a předurčila je pro nenapravitelné ladiče výkonu. To je na první pohled jasné podle jejich chlazení, ke kterému můžete využít vodu. Výrobce dále u těchto pamětí garantuje, že budou fungovat na frekvenci 1200 MHz a časování 5-5-5-18 při 2,35 V. Společnost je dodává v dual channel sadě po dvou gigabytových modulech a poskytuje na ně doživotní záruční lhůtu. Jejich chlazení zajišťuje mohutný pasiv s vysokým žebrováním, na nějž můžete tedy napojit hadice - vnitřní průměr trubic je čtvrt palce. Dle vyjádření firmy však paměti budou na zmíněné frekvenci fungovat i bez chlazení vodou. Zdroj: OCZ Technology

Paměti Reaper se vyznačují nezvyklým chlazením pomocí heatpipe, které má zaručit opět mnohem vyšší účinnost jako každé inovativní řešení. Dosud společnost OCZ vyráběla PC2-8500 (DDR-1066) moduly této řady, nově však budou k dispozici i PC2-9200, tedy DDR2-1150 moduly. Při této frekvenci dosahují časování CL5-5-5-18. K bezproblémovému provozu vyžadují napětí 2,3V, díky EVP však výrobce zaručuje stabilitu i při vysokém napětí 2,35V. K dispozici jsou jako 2GB (2×1GB) dual channel kity. Stejně jako na všechny moduly OCZ prémiových řad, i na tyto paměti je poskytována doživotní záruka. Ta se po nedávno zjištěných problémech se stabilitou vysokonapěťových modulů obzvlášť hodí. Zdroj: www.tgdaily.com, www.digit-life.com

Výrobci vysokorychlostních paměťových modulů s vysokým napětím mají problémy. Tyto moduly totiž potřebují ke svému běhu na frekvencích okolo 1200MHz až 2,4V. Což je mnohem více, než standardních 1,8V pro DDR2 moduly. Chipset nForce 680i SLI podporuje tyto vysokorychlostní moduly, bohužel začíná vycházet najevo, že napětí 2,4V je pro tyto moduly v dlouhodobém provozu opravdu příliš. Místo zajištění vyšší stability se právě vysoké napětí podílí na snížené stabilitě modulů, dokonce až na jejich zničení. Zdroj: www.xbitlabs.com

Samsung se rozpovídal o trhu s paměťmi DRAM a NAND flash. DRAM mají v druhé polovině tohoto roku zažít příjemný vzestup, avšak v tu dobu má přijít silný nedostatek pamětí NAND flash. DRAM trh je v této době poněkud v útlumu, což je způsobeno přesycením trhu a to by se mělo zlepšit již za několik měsíců, kdy se poptávka opět zvedne i díky systému Windows Vista. DRAM také začnou více pronikat i do spotřební elektroniky, jako kapesní zařízení a digitální TV. Na druhou stranu trh s NAND flash paměťmi momentálně zažívá veliký rozmach a rostoucí poptávku. Chang-Gyu Hwang, obchodní ředitel Samsungu, proto pro druhou polovinu roku předpovídá, že těchto pamětí bude nedostatek. Stane se tak kvůli rostoucímu počtu prodaných MP3 přehrávačů (především rozmezí 4-8 GB), ostatních kapesních zařízení a také se na trh dostane Apple iPhone. Samsung dále poukazuje, že všichni hlavní výrobci tohoto typu paměti zaujali opatrný postoj k rozvoji výroby a dokonce i snížili její kapacitu. Z

Společnost Super Talent Technology oznámila svůj nový dvoukanálový paměťový kit určený pro hráče a nadšence v taktování. Konkrétně se jedná o DDR2 4GB paměťový kit s frekvencí 800MHz. Modelové číslo novinky je T800UX4GC5 a jedná se o pár unbuffered 240 pinových modulů bez ECC. Latence je potom 5-5-5-15 a pracují s 2,1V. Každý modul je konstruován užitím šestnácti 128Mbit x 8 FBGA čipů. Použity jsou modré hliníkové HE heatspreadery pro lepší tepelný management. Paměti jsou ručně testovány a k dostání budou během tohoto týdne za cenu $438. Zdroj: digit-life

Nové 1,8" SSD disky společnosti Samsung nyní dosahují kapacity 64GB. Jsou založeny na 8Gbit SLC (Single-Level Cell) NAND pamětech. Oproti 32GB SSD disku se rychlost čtení navýšila o 20% z 53MB/s na 64MB/s a o 50% rychlost zápisu z 30MB/s na 45MB/s. Pro srovnání, to je 4,3× vyšší rychlost čtení než u 1,8" 80GB pevného disku (15MB/s) a 6,4× větší rychlost zápisu (7MB/s). Výhodou je také nižší hmotnost 15 gramů oproti 61 gramům pevného disku a také nižší spotřeba, která činí 0,5W při zápisu/čtení, 0,1W v idle režimu oproti 1,5W pevného disku. Velmi zajímavá je také předpověď vývoje zastoupení SSD disků na trhu. Za rok 2006 to bylo zboží v hodnotě $56 milionů, pro rok 2007 se předpokládá $218 milionů, pro rok 2008 už $893, rok 2009 $2,6 miliardy a konečně pro rok 2010 $6,8 miliardy. Zdroj: www.samsung.com

Společnost Qimonda, která existuje teprve necelý rok, kdy vznikla z Infineon Technologies, oznámila, že plánuje přeskočit paměti GDDR4 a věnovat se rovnou pamětem GDDR5 určeným pro budoucí grafické karty s čipy G90 a R700. Dnes drží 90% trhu s paměťmi pro hi-end grafické karty typ GDDR3 a s nástupem R600 a nových verzí G80 se ukáží GDDR4. Ty by však neměly vydržet dlouho a již brzy je mají nahradit nové GDDR5, které v roce 2011 budou nejspíše mainstreamem. Hodně zákazníků by tedy mělo stejně jako Qimonda přeskočit GDDR4 a přejít rovnou na GDDR5. Pro rok 2011 Mercury Research předpokládá, že GDDR5 budou stejně jako dnes GDD3 zabírat 90% z trhu hi-end grafických karet. Nový typ pamětí má také nabídnout tolik žádanou energetickou efektivitu a také trojnásobný výkon dnešních 800MHz GDDR3 pamětí. Navíc budou vhodné nejen pro počítače PC, ale také pro herní konzole. Qimonda plánuje vyprodukovat první vzorky do konce tohoto roku a s velkovýrobou začít někdy během prvního čtvrtl

Minulý rok se společnost SiS rozhodla zapojit do obchodu s DRAM paměťmi a na letošním CeBITu demonstrovala plody svého celoročního snažení. Za tu dobu zvládla výrobu pamětí v baleních TSOP, BGA a CDFN a začala s jejich dodávkou pro řadu zákazníků zahrnující výrobce základních desek, počítačových systémů, vývojáře různých přístrojů a OEM. Kvůli výrobě se také SiS dohodlo na spolupráci s firmou UMC. V Hannoveru byla představena momentální řada DRAM modulů zahrnující DDR2-800, DDR2-667, DDR2-533, DDR-400, and DDR333 pro notebooky i desktopové PC. Do budoucnosti chce firma dále vyvíjet cenově dostupné paměti s menšími nároky na energii, s většími kapacitami a rychlejšími přenosy. Uvidíme, jak se jí bude dařit. Zdroj: SiS

Společnost Kingston Technology koncem minulého týdne představila své nové paměti DDR2 s frekvencí 800MHz. Ty budou dostupné jako 4GB dvoukanálový kit a 2GB samostatný modul. Paměti jsou zařazeny do HyperX série, nabízejí časování CL4-4-4-12 při napájení 2,0V a jedná se o paměti bez ECC. Samozřejmě jsou již z dřívějška dostupné i moduly s kapacitou 512MB a 1GB a také 1GB a 2GB paměťové kity. Společnost dodává nové paměti s doživotní zárukou. O ceně se v zprávě společnosti nehovoří, nicméně na stránkách některých internetovch obchodů u nás je cena za 4GB modul necelých 13 000,- Kč. Zdroj: vr-zone

Společnost Samsung, která momentálně udává tempo při vývoji elektronických flash pamětí, oznámila, že je již schopna vyrábět osmigigabytové paměťové moduly s použitím čtyřech 16Gb čipů. Jejich vzorky také už putují k hlavním výrobcům mobilních zařízení, takže se zdá, že na telefon s 8 GB paměti nebudou zákazníci dlouho čekat. Samsung k produkci těchto čipů využil 50nm technologii a také kontrolní čip i rozhraní pro karty MMC (MultiMediaCard) s příslušným firmware. Novinky mají také vedle zdvojnásobení kapacity předchozích verzí zdvojnásobit i výkon a také zabraný prostor se o něco sníží. Co se týče oné dvojnásobné rychlosti, pak zpráva mluví o 52 MB/s, avšak ohledně čtení a zápisu neříká nic. Produkce ve velkém má začít na konci tohoto roku a jak jsem již naznačil, cílové výrobky pro tyto paměti budou mobilní telefony a osobní GPS. Zdroj: DailyTech

V září minulého roku jsme vás informovali o nových pamětech PRAM (resp. PCM - Phase-Change Memory). Intel chce dodat první vzorky těchto pamětí již v první polovině tohoto roku s tím, že výroba by měla započít už v jeho druhé polovině. PRAM paměti by měly nahradit stávající flash paměti a něco málo si berou i z pamětí DRAM, které však patrně nahrazovat nebudou. Kombinují oba typy, mají non-volatilní charakteristiky flash pamětí (nemusí být pod stálým napětím a obnovováním, aby se zachovala data) a podstatně vyšší přenosové rychlosti a přístupové doby, které je zas přibližují DRAM pamětem. S rychlostí to zas není tak horké, i když se o přesnějších číslech zatím nemluvilo. Co se týče přístupových dob, tak flash paměti mívají obvykle kolem 50-90ns, PRAM paměti by se měly pohybovat kolem 20ns, což je podstatně lepší výsledek, nicméně stále velmi daleko od 3ns pamětí DDR2 DRAM. Nevýhodou flash pamětí jsou omezené počty přepisovacích cyklů, které se pohybují v řádech

Nová 60nm výroba paměťových čipů DDR2 DRAM má umožnit o 40% vyšší efektivitu výroby oproti 80nm výrobě díky podstatně menším velikostem čipu. Ve srovnání s dnešní obvyklou 90nm výrobou je to prý dokonce dvakrát tak vyšší efektivita. 1Gb DRAM čipy umožní výrobu 512MB, 1GB a 2GB modulů. Ty se mají vyrábět s frekvencemi 667MHz a 800MHz. Díky nižším výrobním nákladům by měly dále klesat ceny pamětí. Od 90nm výroby se navíc používá 3D tranzistorové technologie, která umožňuje dále zmenšit velikost čipů a zvýšit výtěžnost. Klíčová technologie Recess Channel Array Transistor (RCAT) je používána již od zmíněných 90nm čipů a předpokládá se, že umožní výrobu 50nm čipů i menších. Zdroj: www.cdrinfo.com

Společnost Legacy Electronics začíná nabízet své nové paměťové moduly. Jedná se o DDR2 moduly na frekvenci 667MHz, které nabídnou kapacitu 4GB. Tyto FB-DIMM (fully buffered dual in-line memory module) moduly jsou certifikovány specielně pro čipové sady společnosti Intel a splňují testy Computer Memory Test Labs (CMTL). Bližší detaily o těchto 4GB modulech zpráva nepřináší, pouze se odhaduje cena, která se bude zpočátku pohybovat okolo $800. Zdroj: tgdaily

Samsung svým soupeřům na poli paměťových technologií rozhodně nedává spát. Nedávno zveřejnil informace o nových typech grafických pamětí GDDR4, které mají dosáhnout taktu 2000 MHz a tím i o 66% vyššího výkonu (4Gb/s). Takovéto zprávy dozajista vítají také firmy AMD a nVidia, jež nové paměti patřičně využijí ve svých hi-end modelech grafických karet. Zkušební verze nových modulů vyrobených 80nm procesem mají kapacitu 512Mb (16Mb x32) a firma očekává, že je uvede na trh již později v tomto roce. Marketingový ředitel divize grafických pamětí Samsungu, Mueez Deen, se vyjádřil v tom smyslu, že se od pamětí GDDR4 dá očekávat ještě růst frekvence na 2,5GHz, avšak pak již mají na přelomu let 2008/2009 nastoupit GDDR5 s propustností větší než 5Gb/s. Dailytech přinesl ještě aktuální infomace, dle nichž začne Samsung se zasíláním vzorků pamětí svým zákazníkům ještě tento měsíc, což tedy vzhledem k dnešnímu datu znamená okamžitě. Zdroj: TG Daily

Společnost OCZ odhalila nové paměťové moduly, které kopírují moderní trendy chlazení pamětí pomocí heatpipe a pasivních chladičů. Podobné samostatné chladiče nabízí například firma Thermalright, avšak zde dostanete výkonné chlazení již v ceně pamětí. Dle výrobce se čipy chladí pomocí "strategicky rozmístěných hliníkových žeber", díky nimž je možné tyto 1GB moduly (dodávané v 2GB kitech) provozovat na frekvenci PC2-8500 (1066MHz) a časování CL 5-5-5. Cenu ani dostupnost jsme se zatím nedozvědeli. Zdroj: TG Daily

DDR3 paměti se v blízké době objeví na trhu. Podporovat je budou nové chipsety pro procesory Intel (např. Intel Bearlake). Oproti nynějším DDR2 pamětem mají snížené napájení z 1,8V na 1,5V, využívají však také 240-pinový design. Nejsou však kompatibilní, zářez je posunut na jinou pozici. Efektivní frekvence budou činit 800-1600MHz, tedy dvojnásobek dnešních DDR2 modulů, které mají standardizované frekvence 400-800MHz. Super Talent by měl být první společností, která začne s produkcí DDR3 modulů pro normální trh. Očekává se, že by se na pultech obchodů měly objevit v půli tohoto roku. Zdroj: www.dailytech.com