Paměti RAM (strana 52 z 56)

Společnost KingMax předvedla na VIA DDR333 Summit paměťový modul DDR400. Jaké bude asi jeho označení ? PC3200 či PC400 ? Každopádně jistá je však maximální teoretická datová propustnost, která činí 3,2 GB za sekundu. Fotku tohoto paměťového modulu naleznete zde.

Společnost Transcend, jeden z předních výrobců paměťových modulů, oznámila uvedení nového paměťového modulu ECC SDRAM PC133 o velikosti 1 GB. Paměťový modul je 43 mm vysoký, 133,35 mm dlouhý a 1,27 mm tlustý. Použito je 36 DRAM čipů (64Mx4) v wBGA (window Ball Grid Array) balení. Fotku tohoto paměťového modulu naleznete zde.

Přední světový výrobci paměťových čipů neplánují do konce roku masivní rozšíření paměťové technologie DDR333. Podle jejich prognóz budou činit paměťové čipy DDR333 tvořit koncem roku cca 5 – 10% objemu výroby. V současné době je standardem paměťová technologie DDR266 a počítá se, že DDR333 se prosadí jako standard v průběhu roku 2003.

Podle nedělní zprávy The Korea Times dva přední světový výrobci paměťových čipů, společnosti Samsung Electronics a Hynix Semiconductor, zvýšily ceny DRAM čipů v průměru o 15 až 20%. Na to jak a kdy se tento krok projeví v České republice jsme se zeptali pana Petra Vladyky ze společnosti ProCA s.r.o.: "Oproti minulému týdnu narostly ceny operačních pamětí v průměru o 5%, ale předvídat další vývoj by zatím bylo předčasné".

Toshiba (a její partnerská firma SanDisk) v pátek oznámila, že vyvinula flash paměťový čip, který je schopen pojmout až jeden gigabit dat. To je dostatečné množství např. pro 2 hodiny videa v digitálním formátu. Při výrobě čipu je použitá 0,13 mikronová technologie a výsledná zařízení by měla být schopna číst a zapisovat rychlostí 1 MB za sekundu.

Firma Samsung oficiálně oznámila, že započala s výrobou vzorků nových RDRAM čipů určených pro frekvence 1066 a 1200 MHz, které mají posléze nahradit stávající paměti pracující na 800 MHz. Bohužel firma zatím opět nezveřejnila žádné informace o ceně těchto nových modulů.

Firma Samsung Semiconductor Inc. oznámila během Platform Conference konané minulý týden, že započala s produkcí vzorků paměťových čipů DDR SDRAM určených pro frekvence 333 a 400 MHz. V současnosti tvoří portfolio DDR produktů firmy Samsung 128, 256 a 512 Mbit DDR SDRAM čipy.

QBM paměťová technologie od firmy Kentron by se měla objevit na trhu již konce roku, tedy o čtvrt roku dříve než se původně předpokládalo. Firma hodlá vyvinout QBM paměti s datovou propustností 3,2 GB/s a 4,2 GB/s. Podle firmy samotné nemá její paměťová technologie konkurovat DDR SDRAM technologii, ale naopak technologii RDRAM.

Firma Samsung včera oznámila, že začal odběr vzorků RDRAM čipů pracujících na frekvenci 1066 a 1200 MHz. Zřejmě se jedná o několik vzorků (podle firmy jde o „významné množství“) poskytnutých významným zákazníkům. Informace o cenách nebyla uvolněna. Společnost také oznámila, že její výnosy z této technologie od počátku výroby RDRAM čipů nyní přesáhly 2 miliardy amerických dolarů.

Firma rambus včera ohlásila, že bude demonstrovat na Platform Conference z San Jose sestavu s pamětmi RDRAM pracující na frekvenci 1200 MHz. Ve dvoukanálovém paměťovém řadiči tyto paměti dosáhnou datovou propustnost 4,8 GB/s. V současnosti se pomalu připravujeme na příchod Direct RDRAM s frekvencí 1066 MHz a jak je vidět Rambus ještě neřekl svoje poslední slovo.

Společnost VIA Technologies včera oznámila, že bude hostovat DDR333 Summit 2002 konaný 20 února na Taiwanu. Mezi nejdůležitější hosty tohoto summitu patří například společnosti AMD, Hynix, Micron, Samsung a Infineon.

Všichni hlavní výrobci čipových sad buď již uvedli nebo se v nejbližších týdnech chystají uvést čipovou sadu podporující paměťový standard DDR333. Výrobci základních desek předpokládají, že koncem roku bude 30 - 40% všech základních desek podporovat tento paměťový standard. Máte-li v plánu provést výměnu celého systému, zamyslete se zda ještě nějakou dobu nepočkáte.

Aliance QBM, mezinárodní skupina zformovaná firmou Kentron Technologies kladoucí si za cíl prosazení technologie QBM (Quad Band Memory) za průmyslový standard, oznámila připojení firmy SiS (Silicon Integrated Systems Corp.) mezi své členy....

Firma Micron Technology Inc. uvede v průběhu následujících 14 dnů nové úsporné paměťové čipy. Díky nové technologii (PMC - programmable metalization cell) založené na použití stříbra ve výrobním procesu, vyvinuté firmou Axon Technology Corp. ve spolupráci s Arizona State University, budou tyto čip dosahovat o 50 – 60% nižšího příkonu.

Podle serveru The Inquirer, který se odkazuje na Reuters Asia se výrobce paměťových čipů Hynix opět chystá zvednout ceny o 30%. Jednalo by se již o druhé zvýšení cen v tomto měsíci. Pokud je tato informace pravdivá, můžeme očekávat v dalším týdnu opět vyšší ceny operačních pamětí.

Zajímáte se o novou paměťovou technologii DDR333? Máte zájem si koupit základní desku s čipovou sadou SiS podporující tuto technologii? Pak by Vás mohlo zajímat, že pouze pět výrobců pamětí je oficiálně doporučeno jako „vyhovující“. Na stránkách SiS naleznete seznam testovaných modulů, přičemž mezi „lustrované“ výrobce patří Hynix, Micron, Samsung, Kingmax a také můj oblíbený Winbond, který vede co do počtu jednotlivých modulů. Chcete-li se na ně podívat podrobněji, věnujte pozornost tomuto linku.

Firma Samsung Electronics Co. Ltd. oznámila, že vyvinula 32-Mbit SRAM paměťový čip s nejnižší spotřebou energie, který hodlá směřovat do mobilních zařízení. Čip je vyráběn 0,11 mikronovým výrobním procesem a je o 33% menší než předcházející výrobky firmy Samsung. Přístupová doba je 55 ns a čip používá napětí 3.0 nebo 1.8 V při spotřebě proudu méně než 1 mA. Podle společnosti Samsung se také chystá přechod 8 a 16 Mbit čipů na 0,11 mikronový výrobní proces.

Hynix Semiconductor Inc. se chystá příští týden spustit plnou produkci 256 Mbit DRAM čipů v renovované továrně Eugene v Oregonu. Továrna byla od minulého léta zavřena v důsledku nezbytné renovace nutné pro přechod na 0,14 mikronovou výrobní technologii. Náklady spojené s renovací továrny dosáhly částky 1 miliardy amerických dolarů.