Paměti RAM (strana 51 z 56)

V minulosti stoupla cena 64Mbit DRAM čipů používaných v low-end kartách z jednoho dolaru až k hodnotám $2.4 až $2.6. Nyní jsou výrobci paměťových čipů připraveni zaplavit Taiwan množstvím těchto čipů (jenom společnost Samsung plánuje dodat rovný milión) a předpokládá se návrat ceny na původní hladinu.

Specifikace DDR-II by se již měla objevit každým dnem a koncem roku by již měly být v prodeji paměťové moduly (nebo alespoň budou dostupné jejich vzorky). Paměti DDR-II by se měly objevit v rychlostech 400, 533 a 667 MHz pro operační paměti a 800 a 1000 MHz pro grafické karty. Paměťové čipy budou vyráběny v 200, 220 a 240pinovém FBGA balení.

Společnost Kingmax uvádí paměťový modul DDR400 TinyBGA paměťový modul, který by se měl dostat na trh v průběhu měsíce dubna. Paměťové moduly budou dostupné v kapacitách 128, 256 a 512 MB.

Společnost Infineon včera ohlásila paměťové moduly unbuffered DDR SDRAM o kapacitě 1 GB a předvedla funkční vzorky registered DDR SDRAM o kapacitě 2 GB. První z nich jsou určeny pro high-end PC a pracovní stanice, ty druhé pak pro pracovní stanice a servery. Vzorky 1 GB modulů jsou dostupné za cenu $1900 a vzorky 2 GB modulů budou dostupné během dubna za cenu $3900.

Paměťové moduly a čipy DDR400 od společnosti Micron, byly již před časem dodávány jako výrobní vzorky partnerům, mezi něž patří i společnost SiS. Nyní jsou již oficiálně uznané jako SiS648 kompatibilní a podle společnosti Micron budou dostupné v masovém měřítku během léta. V té době již budou také dostupné čipové sady VIA KT400 či SiS648 podporující paměťovou technologii DDR400.

Jaké jsou plány společnosti VIA Technologies v podpoře nových paměťových technologií ? Na tuto otázku nejlépe odpovídá fotografie pořízená lidmi ze serveru X-bit labs během CeBITu. Mimo dnes již běžných paměťových technologií DDR200 (100 MHz; 1,6 GB/s), DDR266 (133 MHz; 2,1 GB/s) a DDR333 (166 MHz; 2,7 GB/s) pomalu nastupuje technologie DDR400 (200 MHz; 2,7 GB/s) a během let 2004 až 2005 by se měla objevit technologie DDR667 (333 MHz; 6,4 GB/s).

Společnost Samsung předvedla jak budou vypadat paměťové moduly DDR400, označované jako DDR SDRAM PC3200. Jejich fotografii si můžete prohlédnout zde a fotografii samotného paměťového čipu pak naleznete zde.

Společnost Micron oznámila, že dodala první vzorky pamětí DDR400 společnosti SiS pro otestování s čipovou sadou SiS648. Tato paměť je cca o 20% rychlejší než její předchůdkyně DDR333 (která se v současnosti začíná prosazovat na trhu). Informace o cenách pamětí DDR400 společnost Micron neuvolnila.

Společnost PQI představila na CeBITu čtečku paměťových karet, která integruje sedm různých možností jak ukládat data. První z nich je zabudovaný flash disk o velikosti 16 až 256 MB, dále pak čtečka může pracovat s kartami Memory Stisk, Secure Digital, Multi Media Card, Compact Flash, Smart Media či s pevným diskem MicroDrive.

Společnost Kingmax hodlá na CeBITu předvést paměťové moduly DDR SDRAM schopné pracovat na frekvenci 200 MHz (400 MHz DDR). Ve zkratce se označují jako DDR400. První fotografii si můžete však prohlédnout již dnes a to zde.

Podle Korea Times dva hlavní korejští výrobci pamětí Samsung a Hynix započali vyjednávání o cenách paměťových čipů se svými hlavními partnery. Pokud by jednání skončila zvýšením cen, bylo by to již posedmé za poslední tři měsíce. Údajná cena po zvýšení by měla být $5 za 128 Mbit SDRAM PC133 čip, přičemž současné rozpětí činí $4 - $4.5. To by znamenalo by zvýšení cen paměťových čipů o cca 10 – 20 %.

Společnost Hynix ve středu oznámila za loňský rok čisté ztráty 3,9 miliard amerických dolarů. Pro loňský rok její zisky činily 1,52 miliard amerických dolarů a celkový rozdíl se tak blíží částce 5,5 miliardy, to už je slušný skok, co říkáte ? Že by snad nějaká ta fůze na obzoru :o)

Společnost Samsung již představila grafickou paměť pracující na frekvenci 400 MHz (800 MHz v režimu DDR) a na CeBITu hodlá předvést paměťový modul DDR400 s architekturou DDR I. Tyto moduly bude možné použít v připravovaných čipových sadách společností VIA (KT400 - Athlon) a SiS (SiS 648 – Pentium 4).

Společnost Samsung představila nejrychlejší dostupné paměťové řešení dneška mezi DDR SDRAM paměťovými technologiemi. Nové 128Mbit paměťové čipy jsou schopné pracovat na frekvenci 400MHz (800 MHz v režimu DDR) a jejich datový tok je 3,2 GB/s. Jejich nasazení se počítá v oblasti špičkových grafických karet. Paměťový čip pracuje s napětím 2,8V a jeho velikost je 12 x 12 mm. Použité balení 144pinové FBGA je standardem společnosti JEDEC pro x32 DDR SDRAM čipy.

Společnost KingMax předvedla na VIA DDR333 Summit paměťový modul DDR400. Jaké bude asi jeho označení ? PC3200 či PC400 ? Každopádně jistá je však maximální teoretická datová propustnost, která činí 3,2 GB za sekundu. Fotku tohoto paměťového modulu naleznete zde.

Společnost Transcend, jeden z předních výrobců paměťových modulů, oznámila uvedení nového paměťového modulu ECC SDRAM PC133 o velikosti 1 GB. Paměťový modul je 43 mm vysoký, 133,35 mm dlouhý a 1,27 mm tlustý. Použito je 36 DRAM čipů (64Mx4) v wBGA (window Ball Grid Array) balení. Fotku tohoto paměťového modulu naleznete zde.

Přední světový výrobci paměťových čipů neplánují do konce roku masivní rozšíření paměťové technologie DDR333. Podle jejich prognóz budou činit paměťové čipy DDR333 tvořit koncem roku cca 5 – 10% objemu výroby. V současné době je standardem paměťová technologie DDR266 a počítá se, že DDR333 se prosadí jako standard v průběhu roku 2003.

Podle nedělní zprávy The Korea Times dva přední světový výrobci paměťových čipů, společnosti Samsung Electronics a Hynix Semiconductor, zvýšily ceny DRAM čipů v průměru o 15 až 20%. Na to jak a kdy se tento krok projeví v České republice jsme se zeptali pana Petra Vladyky ze společnosti ProCA s.r.o.: "Oproti minulému týdnu narostly ceny operačních pamětí v průměru o 5%, ale předvídat další vývoj by zatím bylo předčasné".

Toshiba (a její partnerská firma SanDisk) v pátek oznámila, že vyvinula flash paměťový čip, který je schopen pojmout až jeden gigabit dat. To je dostatečné množství např. pro 2 hodiny videa v digitálním formátu. Při výrobě čipu je použitá 0,13 mikronová technologie a výsledná zařízení by měla být schopna číst a zapisovat rychlostí 1 MB za sekundu.