Články s výrobcem Jedec

JEDEC Solid State Technology Association oficiálně zveřejnila specifikace standardu High Bandwidth Memory (HBM) ve verzi HBM3. Jde konkrétně o JESD238, který už je k dispozici ke stáhnutí, co se o něm dozvíme?

Organizace JEDEC Solid State Technology Association představila nové specifikace XFM (Crossover Flash Memory), jež byly navrženy pro částečné nahrazení formátu M.2 v případě menších zařízení. Co umožní?

Výrobci pamětí RAM na letošek (trošku předčasně) slíbili počátek éry DDR5, kterou sice nejdříve ochutnají spíše servery, ale později dorazí také do světa běžných PC, a to snad přinejhorším v roce 2022. Nyní tu už máme alespoň hotové specifikace..

JEDEC Solid State Technology Association přišla s vylepšeným standardem pro paměti typu High Bandwidth Memory (HBM). Jedná se o verzi slibující paměťovou propustnost 307 GB/s. Co to znamená?

JEDEC Solid State Technology Association je organizace odpovědná za vývoj paměťových standardů. Ta přitom říká, že práce na DDR5 pokračují velice dobře, a tak mohou hotové specifikace těchto pamětí s podstatně vyšším výkonem dorazit už příští rok.

Asociace JEDEC dokončila a zveřejnila specifikace pamětí HBM2, které jsou určeny pro nové karty AMD Polaris a NVIDIA Pascal a potvrdilo se, že jim nabídnou propustnost až 1 TB/s a kapacitu až 32 GB. Omezení první generace HBM jsou tedy pryč.

Asociace JEDEC zveřejnila nové specifikace NVDIMM, které nemají nic společného se společností NVIDIA. Svůj název dostaly díky tomu, že kombinují technologie NAND Flash a DDR4, z nichž si snaží vzít to nejlepší.

Vedle otázky životnosti buněk v moderních SSD se řeší ještě jedna, a sice jak dlouho dokáže SSD uchovat data v případě, že není napájeno. Na to se zaměřily nové specifikace, které velmi zohledňují teploty při skladování.

JEDEC během včerejšího dne představil nový standard v oblasti operačních pamětí. Jedná se o nové DDR3L zaměřené do segmentu notebooků a netbooků. Hlavním cílem je samozřejmě snížení spotřeby a tím pádem zvýšení výdrže při běhu na baterie. Současné notebooky si v oblasti výdrže oproti svým předchůdcům velmi polepšily, avšak stále je zde prostor pro zlepšení. U procesorů se hojně využívají úsporné ULV modely, CCFL podsvícení nahradily LED a pevné disky pomalu přecházejí na „nerotační“ SSD modely. Vývojáři se tentokrát zaměřili na operační paměť, která patří předním konzumentům energie. Odrazovým můstkem pro vývoj byly klasické DDR3 paměti pracující při napětí 1,5 V. Úpravami stávající technologie se podařilo snížit napětí na 1,35 V při zachování stejných taktů. Rozdíl ve spotřebě činí až 15%. nové DDR3L jsou velmi podobné současným DDR3 Podle neověřených zpráv již mezi výrobci kolují první funkční vzorky nových DDR3L čipů a v obchodech by se prý moh

Organizace JEDEC stojící za nejedním dnes využívaným standardem včera přišla s novými specifikacemi shrnutými v publikaci JESD209-2 LPDDR2 Low Power Memory Device Standard. Ta definuje standard rozhraní LPDDR2 využitelného pro paměťově stálé i nestálé moduly. To znamená moduly, jež si po ztrátě napájení svůj obsah uchovají (Flash, apod), respektive neuchovají (RAM). Standard JEDEC LPDDR2 určený mobilním zařízením také nabídne několik funkcí pro šetření energií. Především je to oproti předchozímu LPDDR (1,8 V) snížené napětí na 1,2 V, což má při podobném využití přinést úsporu i přes 50 procent. Dále tu jsou funkce Partial Array Self Refresh a Per-Bank Refresh pro správu napájení pomocí vypínání nepotřebných částí apod. Paměti typu Flash a SDRAM tedy budou moci sdílet stejnou sběrnici, díky čemuž se sníží počet potřebných vodičů a také je bude možné "vrstvit" na sebe, a to zase přinese zjednodušení do návrhů paměťových kontrolerů a rozhraní. Specifikace LPDDR2 přes

Organizace JEDEC, která se stará o standardy operačních pamětí, se díky pokrokům ve výrobě DDR3 pamětí rozhodla snížit jejich oficiální napětí. Čipy se budou označovat jako DDR3L (L pro Low Voltage) a využijí 1,35 V v porovnání s 1,5 V u standardních DDR3. To má mít za následek ušetření asi 20 procent energie u běžných aplikací. Nové paměti budou kompatibilní s existujícími systémy využívajícími 1,5V DDR3 a informace budou samozřejmě i zde zapsány v EEPROM paměti označované jako SPD (Serial Presence Detect). A stejně tak byla pro nové paměti upravena i označení - nově se zavádí PC3L pro PC moduly a EP3L pro ostatní zařízení. Zástupce z AMD se také vyjádřil v tom smyslu, že do budoucna nevylučuje další snížení napětí, nejspíše na 1,25 V, nebo ještě níže. Zdroj: X-bit labs

Organizace JEDEC ve spolupráci s Open NAND Flash Interface (ONFI) pracovní skupinou, kterou vede Intel, se chystá stvořit jednotné specifikace pro rozhraní pamětí NAND Flash. Intelem vyvinuté rozhraní se tedy stane průmyslovým standardem. Ve společné snaze poskytne skupina ONFI své specifikace ONFI 2.0 a cílem je vytvořit rozhraní, které bude zpětně kompatibilní se stávajícími technologiemi, samozřejmě včetně ONFI 2.0. Nyní existuje více technologií od firem Samsung a Toshiba. Mezi ně patří OneNAND/Flex OneNAND a LBA-NAND/mobileLBA-NAND rozhraní. A další firmy vedené Intelem (Hynix, Micron, Phison) zase využívají ONFI. V minulém roce se Samsung a Toshiba dohodly vyhovět si s licencováním svých technologií, ale nyní budou asi chtít přijmout i nový standard od JEDEC. Ten by měl více pootevřít vrátka konkurenceschopnosti i malých firem na NAND Flash trhu. Zdroj: X-bit labs

Shromáždění JEDEC před několika dny dokončilo specifikace standardu DDR3 a publikovalo je v příslušném dokumentu (DOC). Standard DDR3 má oproti předchozím DDR1 a DDR2 nabídnout vyšší frekvence, jak dokazují již uvedené testy nových modulů a také nižší spotřebu. Výchozí napětí modulů DDR3 je 1,5 V, zatímco DDR2 měly 1,8 V a DDR1 2,5 V. Výrobci budou moci uvést čipy DDR3 v kapacitách od 512 Mbit do 8 Gbit vyráběné jak klasickou metodou, nebo také vrstvením obvodů (například WSP od Samsungu - Wafer-level-processed Stacked Package). Moduly pro desktopové počítače mají stejně jako DDR2 240 pinů, avšak aby se zamezilo jejich nesprávnému použití, klíč (čili vrub) je umístěn na jiném místě. JEDEC také zveřejnil specifikace pro DDR3 SODIMM, tedy moduly pro notebooky, další mobilní zařízení, nebo třeba základní desky formátů ITX. Takové moduly představila již například Qimonda. Prozatím si modulů DDR3 můžeme užívat pouze na základních deskách založených na čipových sadách

Podle sdělení sdružení JEDEC, které se stará o tvorbu standardů pro paměťové čipy, souhlasilo více než sto firem se specifikací paměťového standardu označeného DDR 2. Standard zahrnuje paměťové čipy v rozsahu od 256Mbit do 4Gigabit. Jsou v něm  specifikovány způsoby balení čipů, konfigurace výstupních konektorů, adresování a další specifické rysy. Dále bylo oznámeno, že standard obsahuje minimální souhrn požadavků nutných k tomu, aby mu daný výrobek vyhověl. Plnou specifikaci můžete nalézt na internetové stránce www.jedec.org. Zdroj: http://www.theinquirer.net

V současné době neexistuje žádný standard pro paměti PC3200 s podporou ECC (tyto paměti se používají u serverů s vysokou mírou spolehlivosti). Někteří výrobci paměťových modulů (kupříkladu Kingston) však dodávají vlastní řešení PC3200 s ECC. Sdružení JEDEC nedávno vydalo předběžnou specifikaci PC3200 ECC a v krátké době (přesný termín bohužel neznáme) bude vydána finální specifikace.

Po týdnech a měsících sporů uznalo sdružení JEDEC konečně paměti DDR400 jako standard a ty mohou být konečně označovány jako PC3200. Jak víte, z důvodu nízké stability a podobných problémů JEDEC 400MHz DDR paměti zavrhoval, ale přesto výrobci čipsetů a paměťových čipů otevřeně podporovali tyto rychlé paměti. Možná až krok Intelu vypustit čipsety Springdale a Canterwood s podporou DDR400 přiměl JEDEC, aby byl tento typ uznán standardem jako PC3200 DDR SDRAM. Zdroj: X-Bit Labs

Ještě nebyl ani schválen standard pamětí DDR II a komise JEDEC DRAM začala pracovat na dalším standardu – DDR III. Komise to oznámila v pátek s tím, že se vývoje ujme JEDEC Future DRAM Task Group pod JC-42.3. Stejná skupina pracovala i na předešlých typech paměti DDR a DDR II. „DDR III je zaměřen na pokrytí celého trhu včetně PC, serverů, notebooků, PDA atd.,“ řekl Mian Quddus ze Samsungu. Specifikace, moduly, komponenty, registry a buffery budou vyvíjeny současně.

Specifikace DDR-II by se již měla objevit každým dnem a koncem roku by již měly být v prodeji paměťové moduly (nebo alespoň budou dostupné jejich vzorky). Paměti DDR-II by se měly objevit v rychlostech 400, 533 a 667 MHz pro operační paměti a 800 a 1000 MHz pro grafické karty. Paměťové čipy budou vyráběny v 200, 220 a 240pinovém FBGA balení.