Články s výrobcem Hynix (strana 6 z 8)

Dle jistých zdrojů citovaných serverem WCCF tech bude mít AMD prioritu při využití pamětí HBM2, které nastoupí na místo dnešních HBM a chystá se je využít také společnost NVIDIA. Bude ta tedy v nevýhodě?

Micron Technology je v současnosti třetím světově největším výrobcem počítačových pamětí typu DRAM a jeho plánem je nyní s využitím nového 16nm procesu zaútočit na vedoucího výrobce těchto pamětí, firmu Samsung.

Na trhu ještě není ani jedna grafická karta využívající první generaci pamětí HBM (High Bandwidth Memory) a SK Hynix už ukázal paměti HBM2, tedy další generaci. A skutečně je o co stát a na co se těšit.

Společnost SK Hynix vypouští na trh své nové paměti GDDR5, které budou schopny pracovat na frekvenci až 8 GHz. Od toho si tedy můžeme slibovat o poznání vyšší datovou propustnost, ovšem chystají se i podstatně rychlejší paměti HBM.

Známá společnost Hynix produkující také rychlé paměti pro grafické karty vypustila do světa stránky prezentace popisující nový typ pamětí HBM. Ty slibují alespoň menší revoluci ve světě grafických karet, takže jistě stojí za pozornost.

Společnosti ADATA a SK Hynix již představily své paměťové moduly typu DDR4. Tento typ zatím není v desktopovém světě ještě aktuální, ale nebude trvat zase tak dlouho a stane se součástí nabídky obchodů. Využijí je totiž nové procesory Intel.

Společnost SK Hynix oznámila, že začala s masovou produkcí 64Gb pamětí NAND Flash, které jsou tvořeny 16nm procesem. Chystá se na nás tedy další generace pamětí, od nichž si výrobci slibují nižší náklady na výrobu, což se může projevit na koncových cenách.

Ačkoliv se po požáru v továrně společnosti SK Hynix tvrdilo, že oheň nenapáchal škody, které by ovlivnily dostupnost pamětí DRAM na trhu či jejich ceny, situace po téměř dvou týdnech vypadá poněkud odlišně. Firma tvrdila, že oheň nepoškodil životně důležité vybavení, ale nějaké přesto poničil a dle analytiků z DRAMeXchange má trvat měsíce, než se plně obnoví dodávky z Fab 1 a Fab 2 v čínském Wuxi. Dřívější zpráva také udávala, že do nejdůležitějších částí továrny se oheň nedostal, ovšem nyní se mluví o tom, že měl ohnisko v tzv. čisté místnosti, kterou následně poškodil především kouř, a to včetně linek produkujících wafery. Nicméně tato továrna je dle DRAMeXchange založena na architektuře Gemini, která umožňuje, aby její důležité provozy pracovaly nezávisle na sobě, takže továrna by si při takovéto nehodě měla zachoval alespoň 50 % své výrobní kapacity. Na základě těchto informací by tedy plné obnovení provozu mohlo trvat tři měsíce až půl

Včera oblétla svět zpráva, že továrna firmy SK Hynix v čínském Wuxi hoří a nebyl to malý požár, takže hned vyvstaly obavy o vývoji cen pamětí DRAM či popřípadě NAND Flash, které firma také vyrábí. Zmíněná továrna přitom slouží ke kompletaci čipů, takže naštěstí nešlo o ten nejdůležitější provoz a navíc dle nejnovějších zpráv nemělo dojít k poškození kritického vybavení, neboť do nejdůležitějších částí fab 1 a fab 2 se oheň vůbec nedostal. Díky tomu mohla firma slíbit, že produkce pamětí bude brzy obnovena, takže výrobu a dodávky pamětí by to nemělo negativně ovlivnit. SK Hynix také spoléhá na pojišťovnu, že proplatí velkou část vzniklé škody. Oheň se začal šířit ze zařízení pro čištění vzduchu v úterý deset minut před 16. hodinou místního času a byl uhašen v 17:20, alespoň dle informací firmy SK Hynix. Dle DRAMeXchange měla firma SK Hynix v poslední době 26,5% podíl na celosvětové výrobě pamětí DRAM, takže jejich ceny to rozhodně může ovlivn

Včera odpoledne místního času měl v čínské továrně firmy SK Hynix vypuknout velký požár, jehož fotografie začaly plnit sociální sítě. Jedná se o továrnu ve městě Wuxi, které leží u východního pobřeží v provincii Jiangsu. Prozatím nejsou k dispozici oficiální informace, neboť čínské orgány ani samotná firma SK Hynix ještě nepodaly žádné vyjádření. Tato firma mimochodem byla postižena podobnou událostí v únoru roku 2008, kdy vzplanula její továrna v Koreji. Co se týče továrny ve Wuxi, pak v té probíhá kompletace čipů, čili jejich umisťování do keramických nebo plastových pouzder, která následně dostanou popisek. A že jde o firmu SK Hynix, pak se to týká paměťových čipů DRAM a/nebo NAND Flash, které tato společnost začala nedávno vyrábět ve velkém právě na úkor DRAM. Prozatím se tedy pochopitelně neví, jaký bude mít tento požár dopad, ale pokud nějaký bude, pak se dotkne především cen paměťových čipů. Zdroj: TZ Chiphell

Společnost Hynix si připravila SSD prodávané pod její vlastní značkou. Určené je podnikům i běžným zákazníkům a konkrétně míří do ultrabooků díky své tloušťce 7 mm. Dostalo označení SH910 a také firemní paměti NAND Flash H27QDG8VEBIR-BCB. Ty jsou vyráběny 25nm procesem a spojuje je kontroler SandForce SF-2281 od LSI, tedy dnešní klasika. Hynix nejdříve nabídne dva modely s kapacitou 128 GB a 256 GB a slibuje, že díky upravené technice overprovisioning nám z dostupné kapacity neukrojí tolik, co jiné modely. Výkon je na použitý kontroler celkem standardní, a to 520 MB/s při čtení, 500 MB/s při zápisu a 600000 IOPS při náhodném 4K čtení a 35000 IOPS při zápisu. SSD také podporuje 128bitové AES šifrování (ještě před pár dny by to bylo 256bitové), příkaz TRIM, NCQ a S.M.A.R.T. Zdroj: Hermitage Akihabara

Známé společnosti Hynix a IBM dnes oznámily, že podepsaly dohodu o spolupráci na vývoji technologie Phase Change Random Access Memory (PCRAM). Na těch pracoval již dříve také Samsung a v minulém roce samotné IBM oznámilo pokroky v jejich vývoji. IBM tedy do spolupráce přinese své dlouholeté zkušenosti s PCRAM a také s technologií MLC (Multi-Level Cell), s níž je vyráběna většina spotřebitelských SSD. Hynix má zase za sebou již prototyp 1Gb čipu PCRAM vyrobeného 40nm procesem, a tato firma by tak měla poskytnout výrobní kapacity pro nově vyvinuté paměti. PCRAM mají oproti klasickým DRAM výhodu, že nepotřebují být pod napětím, aby si udržely informaci a ve srovnání s NAND Flash jsou zase výkonnější a mají o mnoho vyšší počet možných mazacích a zapisovacích cyklů. To je ostatně u operačních pamětí velmi důležitá vlastnost. Počítač nebo jiné zařízení s takovými paměťmi by se tak mohlo hibernovat a následně se ihned zapnout bez bootování do svého původního stavu. Výkon PCRA

Společnost Elpida jsme opustili na konci února, kdy poslední zprávy hovořily o tom, že ji čeká restrukturalizace pod přísným dohledem přiděleného správce. Od té doby o tohoto posledního japonského výrobce pamětí DRAM projevily zájem firmy Micron, Toshiba a SK Hynix. A nyní se zdá, že Elpidu nejspíše získá americký Micron, neboť ten zvýšil svou předchozí nabídku, přičemž firmy Toshiba a SK Hynix se prý v reakci na to z jednání stáhly. Micron je prý připraven za Elpidu zaplatit 2,5 miliardy USD a přitom slibuje, že ponechá japonské továrny otevřené a ani nebude propouštět. Tato nabídka celkem pochopitelně oslovila Yukio Sakamota (CEO Elpidy), který je připraven dále jednat. Pokud celá věc klapne, pak Micron předhoní firmu Hynix co se týče podílu na trhu DRAM a zaujme druhé místo hned za neohroženým Samsungem. To by byla jistě dobrá zpráva už jen proto, že by se trošku otřásla pozice obou zmíněných korejských firem. Ale nezapomínejme, že to, co dostalo Elpidu až před toto kr

Společnosti Toshiba a Hynix oznámily, že jsou připraveny spolupracovat na budoucím vývoji a výrobě pamětí typu Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM). Jedná se o paměti, o jejichž výrobu se společnosti snaží již delší dobu. Paměti MRAM mají tu výhodu, že jsou stálé, takže nepotřebují být napájeny k tomu, aby si uchovali informaci. To činí pomocí přepólování tenké magnetické vrstvy, což je způsob, který je ve srovnání s klasickými DRAM energeticky efektivnější, takže se jejich využití předpokládá u budoucích mobilních zařízení. Výkonnostně by na tom také měly být dobře, a tak by se mohly dočkat i klasické PC, u nichž by to znamenalo také úspory energie a rychlou hibernaci a zotavení se z ní. Kiyoshi Kobayashi z firmy Toshiba uvedl, že vidí v MRAM velký potenciál jako náhradu za RAM a nejen za ty. Prý budou silně prosazovat integraci úložných zařízení založených na MRAM, NAND i HDD. Prozatím ale Toshiba s Hynixem neuvádí, kdy bychom se mohli dočka

Hynix v pondělí oznámil, že vyvinul 2GB DDR4 DRAM ECC-SODIMM. Vyráběné jsou 30nm výrobní technologií, splňují standard JEDEC a jsou určené především pro malé servery. DDR4 DRAM jsou paměti příští generace, které spotřebují méně energie, zatímco dosahují vyšších rychlostí než DDR3 DRAM. Tyto nové paměti pracují rychlostí 2400 Mbps (o 80% rychleji než DDR3 1333 Mbps) při nízkém napětí 1,2 V. Dle průzkumu trhu vzroste podíl DDR4 pamětí z 5% v roce 2013 na více než 50% v roce 2015, kdy by se měly stát mainstreamem. Přitom DDR3 by měly dosáhnout svého maxima v roce 2012 se zastoupením 71 % (s odhadovaným poklesem na 49 % v roce 2014). Hynix má v plánu tyto paměti začít prodávat v druhé polovině příštího roku. Zdroj: techpowerup.com; hynix.com

Společnost HP oznámila, že ve spolupráci s Hynixem se chystá uvést na trh nový prvek paměťových obvodů, který vyvinula ve svých HP Labs a nazývá jej memristor. Ten se objeví v nových rezistivních pamětech s libovolným přístupem, čili Resistive Random Access Memory (ReRAM). fotografie memristoru Memristor neboli „paměťový odpor“ postuloval jako čtvrtý základní prvek obvodů profesor Leon Chua z University of California v Berkeley v roce 1971 a poprvé jej experimentálně prokázali vědci z HP Labs v roce 2006. Takové paměti slibují nižší spotřebu energie a především stálost, tedy schopnost uchovat informace i bez nepřetržitého napájení. V porovnání se současnými paměťmi mají být ReRAM také rychlejší a mají ještě jednu výhodu. Memristor může řešit i logické funkce, takže je možné aby paměti prováděly i výpočty. K takovým produktům ale musí obě firmy urazit ještě kus cesty, a tak se zatím nedá říci, že by hotové ReRAM klepaly na dveře. Zdroj: TZ HP

Hynix oznámil, že začal s masovou produkcí 64gigabitových (8GB) pamětí typu NAND Flash, které jsou tvořeny 2Xnm výrobním procesem, což znamená, že jde o 20 - 29 nm, což nebylo více upřesněno. Děje se tak v továrně M11 v Cheo Ngju, která používá 300mm wafery. Před 3Xnm technologiemi má nový proces dle výrobce výhodu ve 60procentním zvýšení produktivity, takže je možné tvořit levnější čipy s větší kapacitou, které se budou hodit pro chytré telefony, SSD a další zařízení. Hynix nakonec oznámil, že první produkty vyrobené tzv. "20nm class" technologií přijdou na trh ještě tento rok. Zdroj: TCM

Společnost Hynix se zaměřila na nízkonapěťové paměti typu DDR2 s kapacitou 2 Gb. Ty přicházejí asi třičtvrtě roku po 1Gb čipech vyráběných 54nm technologií a jedná se o vůbec první 2Gb paměti označované jako Low Power DDR2 DRAM. Vyráběny jsou pomocí 40nm technologie, pracují na napětí 1,2 V a dosahují propustnosti 4,26 GB/s. Využití si pak mají najít v zařízeních, jako jsou smartphony, tablety nebo smartbooky, přičemž mají vstoupit do produkce ještě v této polovině roku. Zdroj: TCMagazine

Společnost Hynix oznámila, že se jí podařilo vyrobit vůbec první paměťový čip GDDR5 DRAM s kapacitou 2 Gb, jenž přišel na svět 40nm technologií. Jeho použití je zřejmé - uplatní se v grafických kartách a herních konzolích. Nové čipy GDDR5 pracují na napětí 1,35 V a spotřebují o 20 procent méně energie než podobné čipy vyráběné 50nm procesem. Jejich maximálním taktem je hodnota 7000 MHz s 32bit I/O. Do výroby se dostane v druhé polovině roku 2010, takže se uplatní pravděpodobně až v dalších generacích grafických karet ATI a NVIDIA. Zdroj: TCM

Společnosti Hynix Semiconductor, Samsung, LGE a Silicon Image se sloučily se záměrem vyvinout nové specifikace pro paměti DRAM s označením SPMT (Serial Port Memory Technology). Ta si má najít cestu do mobilních zařízení, jimž poskytne vysokou datovou propustnost a také nízké nároky na energii. Počet potřebných pinů se má v porovnání s dnešními typy DRAM zredukovat alespoň o 40 procent a co se týče propustnosti, ta bude dle vyjádření firem škálovat od 200 MB/s do 12,6 GB/s a následně i více. Zmíněné firmy tak utvořily sdružení SPMT a chystají se propagovat vlastní technologii především v oblasti mobilních zařízení zaměřených na multimédia. Pro lepší prosazení na trhu pak toto sdružení nebude chtít od ostatních licenční poplatky, ale pouze roční příspěvky pro další financování vývoje SPMT. Na trh se má tato technologie dostat asi v roce 2012. Zdroj: TC Magazine

Společnosti Hynix, Numonyx a Phison se dohodly na tom, že budou společně vyvíjet kontrolery pro paměťová zařízení využívající NAND flash. Ty budou splňovat specifikace JEDEC eMMC 4.4, které byly nedávno představeny. Zmíněné tři strany doufají, že si tímto upevní vedoucí pozici ve svém oboru a Hynixu to napomůže i k rozšíření svého podílu na trhu s produkty pro NAND flash, přesněji oblast microSD, eMMC a SSD. Zařízení eMMC jsou určeny pro mobilní platformy generace 3G+ a standard V4.4 počítá s mnoha vylepšeními včetně dvojnásobení výkonu přenosového rozhraní, flexibilní management oddílů a také zvyšenou bezpečností. Reální produkty vyvinuté firmami Hynix, Numonyx a Phison mají být na světě ještě tento rok. Zdroj: X-bit labs

Společnost Hynix je bezesporu jedním z největších výrobců paměťových čipů, což dokazuje i svými pokroky. Nedávno tato společnost oznámila, že chystá své 1Gb (tedy 128MB) paměťové čipy typu DDR3, jež budou vyráběny 40nm technologií, na třetí čtvrtletí tohoto roku. Zhruba v tu dobu budou také reálně k dispozici firemním partnerům. Jde o modely H5TQ1G83CFR s maximální rychlostí 2133 Mbps a schopností pracovat při široké škále napětí. Firma také říká, že oproti 50nm procesu výroby DRAM její nová "trojrozměrná technologie" a 40nm proces umožnil zvýšení produktivity o více než 50 procent. Pokročilejší proces pak má samozřejmě také snížit spotřebu a produkci odpadního tepla a nyní nové paměti již čekají pouze certifikační procedury a ladění. A my se můžeme těšit na další snižování cen modulů DDR3 a jejich zrychlování. Zdroj: DigiTimes

Příznivce rychlých grafických karet jistě potěší, že společnost Hynix představila nové 7GHz paměťové čipy typu GDDR5. Jedná se o 1Gb čipy vyráběné firemním 54nm procesem, které jsou napájeny napětím 1,35 V. Předchozí generace GDDR5 čipů přitom pracuje "pouze" na 4,5 GHz a vyžaduje 1,5V napětí. Hynix se však nezmínil o tom, zda tyto čipy již testují jeho hlavní partneři - AMD a NVIDIA. Ty by je mohly využít ve svých příštích generacích grafických karet Radeon a GeForce. AMD má přitom se svými Radeony HD 4870 před NVIDIÍ náskok, protože ta stále využívá GDDR3 a rozdíl dohání větší šířkou paměťové sběrnice. To však neznamená, že tento náskok NVIDIA nemůže v další generaci stáhnout. Jestliže se takové paměti u příštích karet objeví, mohou jim na 256bitové sběrnici přinést propustnost 224 GB/s a na 512bitové ještě dvojnásobně více. To pokud srovnáme s dnešními GDDR5 u Radeonů HD 4870, jež pracují na 3,6 GHz, jedná se o dvojnásobek, respektive čtyřnásobek pro

Společnost Hynix Semiconductor, jeden z největších světových dodavatelů pamětí DRAM, má uzavřít svou továrnu v oregonském Eugene. Stojí za tím fakt, že ceny těchto produktů šly v poslední době velmi strmě dolů, což dále zvyšuje konkurenční tlak, a výrobci proto chtějí své náklady na výrobu minimalizovat. Hynix k tomuto důvodu přidává ještě to, že v dnešní době se také přechází na novější paměťové technologie a kvůli těmto dvěma důvodům se produkce v oregonské továrně zastaví s koncem září. Firma již také přemýšlí, jak se svou továrnou naloží dále. Uvažuje se o jejím využití pro jiné výrobní účely, prodání celé továrny i s vybavením další firmě a prodej budov s pozemky zvlášť a přemístění vybavení. Dalšími "ohroženými" továrnami pak jsou Icheon a Cheongju, Korea, které využívají 200mm wafery. Ty buď budou pokračovat s produkcí, nebo se jejich vybavení rozprodá. Zdroj: X-bit labs