Inženýři společnosti Intel vyvinuli nejmenší paměťovou buňku (SRAM - Static Random Access Memory) na světe, která zabírá plochu jeden čtvereční mikron (mikrometr). Při výrobě byla použita 90 nm technologie, která by měla být implementována do výrobního procesu v roce 2003. Konkrétně se jednalo o 52megabitové čipy o 330 miliónech tranzistorech na čipu s velikostí 109 mm čtverečních. Význam menší velikosti spočívá v možnosti zvýšení hustoty logických obvodů a také zvýšení výkonu procesorů přidáním vyrovnávací paměti.
Inženýři společnosti Intel vyvinuli nejmenší paměťovou buňku (SRAM - Static Random Access Memory) na světe, která zabírá plochu jeden čtvereční mikron (mikrometr). Při výrobě byla použita 90 nm technologie, která by měla být implementována do výrobního procesu v roce 2003. Konkrétně se jednalo o 52megabitové čipy o 330 miliónech tranzistorech na čipu s velikostí 109 mm čtverečních. Význam menší velikosti spočívá v možnosti zvýšení hustoty logických obvodů a také zvýšení výkonu procesorů přidáním vyrovnávací paměti.
