Diskuze: IBM a Samsung chtějí šetřit místem na waferech, chystají vertikální VTFET

wrah666

Level

18. 12. 2021 12:56

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Logika říká, že tam bude mnohem víc vrstev. Čili větší spotřeba strojů, které jsou momentálně největší překážkou v rozčíření výroby. Ale jinak ano, počítám, že to povede tímto směrem, tranzistory jako věže a porosou do výšky.

satryx

Level

17. 12. 2021 13:14

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

"FinFET nebo chystané GAAFET, ty pojí jedna skutečnost, a sice to, že jsou orientovány vertikálně."
Předpokládám, že tam mělo být horizontálně. ;)