Společnosti IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies and Samsung Electronics oznámily, že mají první funkční obvody vyrobené low-power 45nm CMOS procesem a také dostupnost návrhářských kitů pro vybrané zákazníky. Na vývoji se podílely všechny čtyři společnosti. Hlavním centrem projektu a továrnou, kde byly první vzorky vyrobeny, bylo zařízení společnosti IBM v East Fishkill, New York, kde byly použity 300mm wafery. Předpokládá se, že 45nm low-power výrobní proces nasadí společnosti IBM, Chartered a Samsung do svých továren do konce roku 2007. Podle prvních testů nových obvodů by mělo být dosaženo nejméně o 30% vyššího výkonu. Zdroj: www.digitimes.com, www.xbitlabs.com
Odměníme každého! Vyplňte komunitní průzkum a získejte luxusní ceny
Kdo jste, na čem a co hrajete, jaký obsah konzumujete a jaký vztah máte k AI? Věnujte nám pár minut a jako dárek za vyplnění získáte slevu na nákup a šanci získat také další luxusní ceny.
Společnosti IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies and Samsung Electronics oznámily, že mají první funkční obvody vyrobené low-power 45nm CMOS procesem a také dostupnost návrhářských kitů pro vybrané zákazníky.
Na vývoji se podílely všechny čtyři společnosti. Hlavním centrem projektu a továrnou, kde byly první vzorky vyrobeny, bylo zařízení společnosti IBM v East Fishkill, New York, kde byly použity 300mm wafery. Předpokládá se, že 45nm low-power výrobní proces nasadí společnosti IBM, Chartered a Samsung do svých továren do konce roku 2007. Podle prvních testů nových obvodů by mělo být dosaženo nejméně o 30% vyššího výkonu.
Zdroj:
,
