V Nizozemí představila Philips Semiconductors třetí generaci technologie TrenchMOS, která jí umožní vyrábět MOSFET obvody s až na pětinu redukovanou velikostí hradel.Takto lze na jeden čtvereční palec umístit až padesát milionů hradel.
V Nizozemí představila Philips Semiconductors třetí generaci technologie TrenchMOS, která jí umožní vyrábět MOSFET obvody s až na pětinu redukovanou velikostí hradel.Takto lze na jeden čtvereční palec umístit až padesát milionů hradel.
Odpor by se měl snížit o 40 % tedy například na 22 m na milimetr čtvereční při napětí 30 V. Pracovat přitom umožňuje až s napětím 200 V. Nová technologie má velkou odolnost proti rušení a pulsnímu přepětí. Uplatní se především v převodnících a regulátorech stejnosměrného napětí. První produkty na její bázi budou 25 V a 30 V varianty směřující do moderních MPU systémů.
Zdroj
