Seznam kapitol
Nemáte-li čas neustále sledovat dění v oblasti IT, ale přesto chcete být v obraze, pak vám pomůže přehled toho nejdůležitějšího, co se za právě uplynulý měsíc duben stalo.
Paměti DRAM
Pozor na vysokonapěťové DRAM moduly
Chipset nVidia nForce 680i SLI podporuje DDR2-1200 paměti. Aby DDR2 moduly běžely na takto vysokých frekvencích, je nutno používat velmi vysoké napětí kolem 2,3-2,4V. Zdá se, že to je na tuto technologii příliš a tak nVidia a EVGA varují před používáním modulů vyžadujících
2,4V
, neboť ty to dlouhodobě nevydrží. Přestože vyšší napětí obvykle zaručuje také vyšší stabilitu, v tomto případě ji spíše snižuje a může dojít dokonce ke zničení modulu.
OCZ Reaper na 1150MHz i 800MHz
Paměti
OCZ Reaper
využívají chlazení pomocí heatpipe. Doposud byly vrcholem této řady moduly DDR2-1066, společnost OCZ však představila rychlejší
DDR2-1150 (PC2-9200)
moduly. Této frekvence dosahují s časováním
CL5-5-5-18.
Vyžadují dosti vysoké napětí
2,3V
, výrobce zaručuje díky EVP stabilitu i při napětí 2,35V. K dispozici jsou jako
2GB
(2×1GB) dual channel kit s doživotní zárukou. Rovněž byly představeny pomalejší moduly této řady,
DDR2-800
s časováním
CL4-4-4
, příp.
CL4-3-3-15
.
OCZ Flex XLC na 1200MHz
Společnost
OCZ
se činí. Představila další vysoce výkonné moduly řady
Flex XLC
. Ty jsou vybaveny speciálním chladičem, díky němuž je možno použít vodní chlazení modulů. Paměti běží na
1200MHz
s časováním
CL5-5-5-18.
K tomu vyžadují velmi vysoké napětí
2,35V
. Dodávají se jako
2GB
(2×1GB) dual channel kit a je na ně poskytována doživotní záruka.
Samsung vrství paměťové čipy DRAM
Vrstvení čipů se používá u pamětí flash, nově však také u DRAM pamětí. Díky technologii
Through Silicon Via
(TSV) byly vytvořeny navrstvením čtyř
512Mb DDR2
čipů
2Gb
čipy, které by měly umožnit výrobu
4GB
paměťových modulů. Společnost věří, že tato technologie najde své velké využití u DDR3 pamětí, zejména v oblasti úspory energie.
První DDR3 paměti od Buffalo
Buffalo DDR3-1066 (PC3-8500)
jsou první představené DDR3 moduly. Běží na efektivní frekvenci
1066MHz,
bohužel s dosti vysokým časováním
CL7
. Dle společnosti ale díky nejrůznějším vylepšením DDR3 modulů (např. 8-bitový pre-fetch) by ale měly být stejně rychlé nebo rychlejší než DDR2 na stejné frekvenci. Napětí činí
1,5V
a díky technologií
PASR
(Partial Array Self Refresh) a
ASR
(Auto Self Refresh) by měla spotřeba dále klesnout. 512MB modul má stát $315, 1GB pak $595. Zatím není jasné, kdy se moduly reálně objeví na pultech obchodů.
