Seznam kapitol
Nemáte-li čas neustále sledovat dění v oblasti IT, ale přesto chcete být v obraze, pak vám pomůže přehled toho nejdůležitějšího, co se v oblasti hardware za právě uplynulý měsíc únor stalo.
Paměti DRAM, flash čipy
Rambus vyvíjí paměti pro mobilní zařízení
Rambus
oznámil svou
Mobile Memory Initiative
, která má za úkol vyvinout nové mnohem rychlejší paměti pro mobilní zařízení. Tyto paměti by měly mít efektivní frekvenci
4,3 GHz
a při 32bitové sběrnici by tak dosahovaly propustnosti 17,2 GB/s. To je sice poněkud mnoho pro mobilní telefony, ale smartphony a kapesní konzole již takovou rychlost mohou dobře využít. Hlavním cílem je pochopitelně co nejnižší spotřeba při co nejvyšším výkonu.
Samsung přechází na 40nm výrobu u DRAM pamětí
U DDR2 a DDR3 pamětí bude
Samsung
nově používat
40nm
výrobní proces. Výsledkem má být nižší výrobní cena díky většímu množství čipu na waferu, dále také asi o 30 % nižší spotřeba proti 50nm čipům. Zatím se tímto procesem vyrábí 1Gb DDR2-800 čipy a chystá se produkce 2Gb DDR3 čipů. Společnost chce také začít vyrábět paměti typu DDR4.
Toshiba uvádí FeRAM paměti
Toshiba oznámila nové
Ferroelectric Random Access Memory
(FeRAM) paměti, které kombinují výhody DRAM a flash pamětí. Od DRAM si berou vysokou rychlost, od flash pamětí zase stálost, není je tedy třeba napájet pro zachování informace. Prototyp má kapacitu
128 Mb
(16 MB) a s DDR2 rozhraním dokáže zapisovat data rychlostí 1,6 Gb/s. Zatím se tyto paměti vyrábí 130nm technologií CMOS. Jejich napětí činí 1,8 V.
Hynix chystá také 40nm DRAM čipy
I
Hynix
brzy přejde na
40nm
výrobu DRAM pamětí. Konkrétně půjde o 1GB čipy DDR3 pamětí. Ty poběží na efektivní frekvenci až 2133 MHz a oproti 50nm modelům se zvýší produktivita o více než 50 %. Naopak snížit by se měla spotřeba, přesné číslo však neznáme. Čipy budou partnerům dodávány od třetího čtvrtletí tohoto roku.
Micron a Nanya vyvíjejí úsporné DDR2 čipy
Spolupráce na vývoji není ničím neobvyklým. Nyní se společnosti
Micron
a
Nanya
pustily do vývoje úsporných
LPDDR2 DRAM
pamětí, které mají běžet s nízkým napětím 1,2 V a jejich spotřeba tedy bude o 50 % nižší než v případě LPDDR1 pamětí.
Kingston přijde s 24GB kity
Díky
4GB
paměťovým modulům může Kingston vyrábět 2×4 GB, 3×4GB a dokonce
6×4GB
kity pamětí. K dispozici je na YouTube i video, kde společnost demonstruje využitelnost těchto 24 GB paměti na masivní virtualizaci. Cena kitu se pohybuje kolem $2000.
Micron kvůli krizi zavírá továrnu
Kvůli finanční krizi a ztrátovosti výroby DRAM pamětí musel
Micron
uzavřít svou továrnu v Boise v Idahu. Zde se vyrábělo ještě pomocí menších 200mm waferů. O práci již přišlo 500 lidí a celkově jich továrnu opustí 2000. Společnost zde však bude pokračovat ve vývoji s použitím 300mm waferů.
