Galerie 3
Rambus posunul rozhraní pro HBM2E ke 4 Gb/s na pin
i Svět hardware
Aktualita Storage a RAM Rambus

Rambus posunul rozhraní pro HBM2E ke 4 Gb/s na pin

Jan Vítek

Jan Vítek

Společnost Rambus se pochlubila novou verzí rozhraní pro paměti typu HBM2E, které nabídne zvýšení propustnosti až na 4 Gb/s na pin. Zatím to ale neznamená, že tu máme celkové řešení, které ji zvládne.

Reklama

Rambus se zrovna letos v březnu přihlásil s kontrolerem pro paměti HBM2E s propustností až 3,2 Gb/s, což nyní posouvá díky nové verzi až na 4 Gb/s. Takové paměti ale zatím neexistují, takže nyní může Rambus využít přinejlepším 3,6Gb/s paměti. V tiskové zprávě se mluví o pamětech od SK Hynix, které s novým kontrolerem a PHY nabídnou v rámci jednoho pouzdra propustnost 460 GB/s.

Taková propustnost by mimochodem bohatě stačila i pro dnešní novinku v podobě karty GeForce RTX 3070, která se svými GDDR6 dosahuje 448 GB/s. A pokud by se použila dvě pouzdra 3,6Gb/s pamětí HBM2, získali bychom 920 GB/s, což se téměř vyrovná paměťovému systému na GeForce RTX 3090 (936 GB/s). 

image
i Svět hardware

Nicméně to vypadá, že paměti typu HBM, i když se už dostaly mezi běžné grafické karty jako Vega 64 či nejnověji Radeon VII, z nabídky v rámci herních karet na nějakou dobu zase zmizí. Nové Radeony generace Navi 2X mají využít paměti GDDR6 či přinejlepším GDDR6X, to se ještě uvidí. Ostatně i Rambus ve své zprávě mluví o tom, že jde o paměti pro hardware určený pro umělou inteligenci a strojové učení, čili akcelerátory. Na druhou stranu by se stejně dalo předpokládat, že ty nejlepší dostupné paměti typu HBM by se stejně do herních karet nedostaly. 

image
i Svět hardware

Nové rozhraní firmy Rambus tak umožní nárůst propustnosti jednoho pouzdra HBM2E (nebo příští verze tohoto typu paměti) na 512 GB/s. V běžném počtu čtyř pouzder to tak jsou rovné 2 TB/s a pokud společnost TSMC dodrží svůj plán a umožní v roce 2023 tvořit interposery pro až 12 pouzder pamětí HBM, znamenalo by to dokonce 6 TB/s. V té době ale jistě budou k dispozici ještě rychlejší paměti s vyšší propustností na pin.

Rambus přitom využil pro validaci svého řešení právě technologií firmy TSMC, a to konkrétně její 7nm proces a technologii CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), která je založena na interposerech a 2,5D pouzdření.


Reklama
Reklama

Komentáře

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

Reklama
Reklama
Reklama