Paměti HBM se dostávají do další generace a společnost Samsung zahájila dodávky nejnovějších pamětí HBM4E, i když jen v prvních vzorcích.
Společnost Samsung zahájila dodávky prvních vzorků pamětí HBM4E, které najdou své místo zejména ve výkonných serverech a u AI akcelerátorů. Tyto nové paměti jsou 12vrstvé a dosahují rychlosti 14 Gbps na pin. Vzhledem k tomu, že čipy mají 2048bitové rozhraní, dosahují propustnosti 3,6 TB/s (no, přesněji spíše 3,5 TB/s). V budoucnu by se měly dostat na světlo světa i 16Gbps varianty, což by propustnost poslalo na 4 TB/s. Oněch 14 Gbps, které jsou nyní k dispozici, je zhruba 20% navýšení proti HBM4, které mají u Samsungu 11,7 Gbps.
První vzorky jsou vyráběny ve 48GB kapacitě, což je více než 30% nárůst proti předchozí generaci, kde šlo o 36GB čipy. Samsung nicméně plánuje vyrábět i 8vrstvé modely s kapacitou 32 GB a 16vrstvé verze s 64 GB. Zacílí tak na různé segmenty, které mohou více upřednostňovat rychlost než kapacitu nebo naopak kapacitu před rychlostí.
DRAM čip se vyrábí 6. generací 10nm-class procesu (1c), logické obvody jsou pak u Samsung Foundry vyráběny pomocí 4nm procesu. Podle Samsungu je nová generace o 16 % energeticky efektivnější a vlastnosti spojené s tepelným odporem jsou lepší o 14 %. Výsledkem má být efektivní provoz s lepším chlazením čipu. Velkosériová produkce HBM4E bude zahájena o něco později.
