Vývoj paměťových čipů jde kupředu a NAND Flash paměti se u společností SanDisk a Kioxia dostaly už na 332 vrstev. Vzorky BiCS10 už míří k partnerům.
Společnosti Kioxia a SanDisk začaly dodávat vzorky svých nových pamětí BiCS10 3D NAND, které představují 10. generaci této technologie. Obě firmy se spolupodílely na vývoji a výrobě těchto pamětí. BiCS10 3D NAND přináší 332vrstvou strukturu a podařilo se u nich dosáhnout hustoty paměti přesahující 29 Gb/mm², což je zlepšení o 59 % oproti generaci BiCS8. Pokud jde o typ NAND, tak vězte, že jde o TLC, tedy se 4 bity na buňku.
Paměti dosahují přenosových rychlostí rozhraní až 4,8 Gbps (600 MB/s na pin), což je nárůst o 33 % proti předchozí generaci. Energetická účinnost se také zlepšila, přičemž SanDisk uvádí snížení spotřeby o 10 % při zápisu a až 34 % při čtení. Kioxia dále přidává, že proti původně uvažovaným 400vrstvým pamětem má 332vrstvá konstrukce výhodu v o 10 % nižších nákladech na výrobu, o 10 % vyšší energetické efektivitě a o 35 % vyšší spolehlivosti. Zde ještě připomeňme, že snížení počtu vrstev provedla i společnost SK hynix, která rovněž chtěla 400vrstvé modely, ale nakonec skončila na 375 vrstvách, jejichž výrobu by chtěla letos rozjet.
Oba výrobci využívají technologii CBA (CMOS directly Bonded to Array), kde se logické obvody a paměťové čipy vyrábí na samostatných waferech, které jsou až posléze spojeny. Paměti se v prvních vzorcích dostávají k partnerům firem, přičemž půjde o 1Tb TLC NAND varianty. Předpokládá se, že se stanou základem nových generací podnikových SSD na sběrnici PCIe Gen 6.
