Společnost SiS plánuje na třetí čtvrtletí čipovou sadu SiSR659, která je navrhována pro čtyřkanálový RDRAM řadič. Čipová sada bude následnicí dnes aktuální SiSR658...
Společnost SiS oznámila, že pracuje na vývoji další čipové sady určené pro paměťové moduly RDRAM. Tato čipová sada by měla být přímou následovnicí stávajícího modelu SiSR658, který obsahuje dvoukanálový paměťový řadič. Tomu ostatně také napovídá číselné značení obou čipových sad, kdy novější čtyřkanálový model ponese označení SiSR659.
Pozn.: Co se týká formálního oznámení této čipové sady, pak je otázkou nejbližších dnů.
Paměťový řadič SiSR659 je bezesporu to nejzajímavější čím se může nový northbridge pochlubit. Při použití paměťových modulů RDRAM PC1066 dosahuje teoretické paměťové propustnosti 8,4 GB/s. Při použití paměťových modulů RDRAM PC1200 (pro které je také navrhován) vzroste paměťová propustnost na 9,6 GB/s.
Pro zajímavost si srovnejte datovou propustnost čtyřkanálového RDRAM PC1066 řešení s dostupnou konkurencí DDR SDRAM a RDRAM:
- DDR SDRAM PC2100 - 2,1 GB/s
- DDR SDRAM PC2700 – 2,7 GB/s
- DDR SDRAM PC3200 – 3,2 GB/s
- Dual DDR SDRAM PC2700 – 5,4 GB/s (Granite Bay)
- Dual DDR SDRAM PC3200 – 6,4 GB/s (nForce 2)
- Dual RDRAM PC800 – 3,2 GB/s
- Dual RDRAM PC1066 – 4,3 GB/s (Intel 850E, SiSR658)
Pozn.: v závorce jsou příklady některých čipových sad, které podporují tyto paměťové standardy.
Čipová sada se bude dodávat s připravovaným southbridge čipem SiS964, který se může oproti svému předchůdci SiS963 navíc pochlubit osmi porty USB 2.0 a implementací rozhraní Serial ATA.
Zdroj: ExtremeTech
