Společnost Toshiba, jejíž notebooky u nás distribuuje Tech Data Distribution, v Tokiu oznámila nový způsob potlačení teplotní nestability a ztrátového proudu v tranzistorech MOS, které se používají při výrobě čipů 45nm technologií. Nová technologie přispěje k dalšímu nasazení technologie CMOS v budoucích generacích LSI (Large Scale Integration - umisťování mnoha elektronických komponent na jeden integrovaný obvod). Tradiční NiSi vrstva představuje termálně velice nestabilní místo; vystavení této vrstvy teplu má pak za následek ztráty ve vedení proudu. Společnosti Toshiba se podařilo vyvinout metodu, jak této teplotní nestabilitě předcházet. Před vytvořením NiSi vrstvy jsou do jejího povrchu implantovány fluorové ionty. Díky tomuto řešení je možné zamezit problémům při výrobě LSI a posunout výrobu CMOS pomocí NiSi vrstvy o krok dále. Tato nová metoda navíc nevyžaduje žádné dodatečné výdaje, neboť implantaci fluorových iontů lze provádět s využitím stávajícího výrobního zařízení a bez jakýchkoliv vedlej
Společnost Toshiba, jejíž notebooky u nás distribuuje Tech Data Distribution, v Tokiu oznámila nový způsob potlačení teplotní nestability a ztrátového proudu v tranzistorech MOS, které se používají při výrobě čipů 45nm technologií. Nová technologie přispěje k dalšímu nasazení technologie CMOS v budoucích generacích LSI (Large Scale Integration - umisťování mnoha elektronických komponent na jeden integrovaný obvod).
Tradiční NiSi vrstva představuje termálně velice nestabilní místo; vystavení této vrstvy teplu má pak za následek ztráty ve vedení proudu. Společnosti Toshiba se podařilo vyvinout metodu, jak této teplotní nestabilitě předcházet. Před vytvořením NiSi vrstvy jsou do jejího povrchu implantovány fluorové ionty. Díky tomuto řešení je možné zamezit problémům při výrobě LSI a posunout výrobu CMOS pomocí NiSi vrstvy o krok dále.
Tato nová metoda navíc nevyžaduje žádné dodatečné výdaje, neboť implantaci fluorových iontů lze provádět s využitím stávajícího výrobního zařízení a bez jakýchkoliv vedlejších účinků (například strmého nárůstu odporu) na zbytek výrobního procesu.
Jelikož je nízká spotřeba energie při podávání vyšších výkonů nezbytnou podmínkou pokročilých tranzistorů MOS, zejména při výrobě 45nm technologií, plánuje společnost Toshiba nasadit tuto novou metodu také při výrobním procesu LSI s využitím 45nm technologie.
