Paměti RAM (strana 23 z 55)

Společnost Team Group odhalila své nové "elitní" paměťové kity pro systémy založené na procesorech Intel Core i7 a čipové sadě Intel X58. Jedná se totiž o tříkanálové DDR3 kity Elite Triple-Chanel s kapacitami 3x 1 GB a 3x 2 GB. Moduly přichází ve verzích s takty 1066 MHz i 1333 MHz, uplatňují šestivrstvé PCB a paměťové čipy s frekvencí 1066 MHz mají časování CL7-7-7-21, přičemž ty s frekvencí 1333 MHz zase CL9-9-9-24. Všechny pak pracují na jednotném napětí 1,5 V a přicházejí s doživotní záruční lhůtou. Zdroj: techPowerUp!

Společnost Kingston Technology přišla podobně jako nedávno OCZ s novými operačními paměťmi DDR3 pro herní notebooky. Paměti HyperX DDR3 SO-DIMM s kapacitou 4 GB využívají Intel XMP (Extreme Memory Profiles), a jsou tak určeny především pro notebooky s čipovou sadou Intel Cantiga. Moduly HyperX DDR3 XMP SO-DIMM byly také již testovány na notebooku Flextronics W840 DI, kde byl ověřen provoz s latencemi CL5-5-5-15 při 1,5 V a frekvenci 1066 MHz. Přesné označení produktu je KHX8500S3ULK2/4GX (sada dvou kusů) a cena byla stanovena na 3105 Kč s DPH. Zdroj: TZ Kingston

Společnost OCZ Technology uvedla nové DDR3 paměti, které jsou optimalizovány pro nízkonapěťové požadavky platformy AMD AM3. Vyvinuty jsou především s ohledem na herní komunitu a představí se celkem čtyři produkty s frekvencemi 1333 MHz a 1600 MHz, jež všechny budou napájeny 1,65 V. Uvedeme si je ve výpisu. OCZ PC3-12800 Platinum AMD Edition Low Voltage (2x 2GB) 7-7-7-24 @ 1,65 V OCZ PC3-12800 Gold AMD Edition Low Voltage (2x 2GB) 8-8-8-24 @ 1,65 V OCZ PC3-10666 Platinum Low Voltage AMD Edition (2x 2GB) 7-7-7-20 @ 1,65 V OCZ PC3-10666 Gold AMD Edition Low Voltage (2 x2GB) 9-9-9-20 @ 1,65 V OCZ také říká, že každý modul je důkladně testován, aby se dodržely požadavky na kvalitu i kompatibilitu a mají k dispozici firemní heatspreadery XTC i doživotní záruku. Zdroj: TZ OCZ Technology

Společnost A-Data oznámila, že její paměťové moduly herní řady XPG jsou nyní k dispozici i ve verzi DDR2-1066. To jako dvoukanálové kity s moduly 2x 2GB / 2x 1GB či jako jednotlivé moduly. Uživatelům tyto novinky nabízejí časování CL6-6-6-18 při napájecím napětí 2 V +/- 0,1 V. A-Data se také chlubí kvalitní výstupní kontrolou, díky níž by vám se nové paměti neměly za pár dní poroučet, dále také šestivrstvým PCB a je tu také i s pomocí SPD zajištěna zpětná kompatibilita se standardem JEDEC - DDR2-800 při časování 5-5-5-15. Zdroj: TZ A-Data

Společnost OCZ pro uživatele notebooků se sloty pro SO-DIMM typu DDR3 představila nové moduly využívající Intel Extreme Memory Profiles (XMP). Jedná se o sadu nastavení v čipu SPD, které mají zajistit snadné přetaktování pamětí, a tím zvýšení jejich výkonu. Paměti se budou prodávat pod označením OCZ DDR3 PC3-8500 a k dispozici budou 4GB kity i jednotlivé 2GB moduly. Jejich pracovní frekvence je 1066 MHz při časování CL6-6-6 a napájecím napětí 1,6 V. Výrobce na ně poskytuje doživotní záruční lhůtu. Zdroj: TZ OCZ Technology

Společnost G.Skill představila světu své nové paměťové moduly Trident DDR3-2000 (PC3 16000). Jedná se o tříkanálové Unbuffered moduly bez ECC s frekvencí 2000 MHz, které jsou určeny především pro procesory Core i7 a čipovou sadu Intel X58. Společností uváděná latence je CL 9-9-9-24 a 240pinové moduly pracují s napětím 1,65 V. Novinka přichází v 6GB tříkanálovém kitu (tři 2GB moduly) a použity jsou nové heatspreadery pro lepší rozvod tepla. Záruka je doživotní, o ceně se společnost ve zprávě nezmínila. Zdroj: VR Zone

Společnost Kingston Technologydnes oznámila, že zahájila dodávky paměťových modulů DDR3 pro servery s taktem jak 1333 MHz, tak 1066 MHz, jež získaly ověření společnosti Intel pro použití v základních deskách Intel založených na procesorech Xeon. Serverové paměti DIMM společnosti Kingston s registrovanou korekcí chyb ECC a paměťové moduly ECC DIMM bez vyrovnávací paměti (unbuffered) jsou určeny pro využití možností tříkanálové architektury, hlásá sama společnost. Paměťové moduly společnosti Kingston určené pro servery mají doživotní záruku a bezplatnou nepřetržitou technickou podporu. Zdroj: TZ Kingston

Společnost GeIL uvádí na trh nové DDR3 moduly zařazené do herní série EVO ONE. Jedná se o dvoukanálové i tříkanálové kity a na výběr je z celé škály modulů s frekvencí od 1066 MHz do 2000 MHz. Moduly se liší také kapacitou a časováním, ale to již lépe ukáže jejich seznam. Dvojkanálové kity: 1066MHz 7-7-7-20 1GBx2 | 2GBx2 1333MHz 6-6-6-24 1GBx2 | 2GBx2 1333MHz 7-7-7-24 1GBx2 | 2GBx2 1333MHz 9-9-9-24 1GBx2 | 2GBx2 1600MHz 7-7-7-24 1GBx2 | 2GBx2 1600MHz 8-8-8-28 1GBx2 | 2GBx2 1800MHz 7-7-7-28 1GBx2 | 2GBx2 1800MHz 8-8-8-28 1GBx2 | 2GBx2 1900MHz 9-9-9-28 1GBx2 | 2GBx2 2000MHz 8-8-8-28 1GBx2 | 2GBx2 2000MHz 9-9-9-28 1GBx2 | 2GBx2 Tříkanálové kity: 1066MHz 7-7-7-20 1GBx3 | 2GBx3 1066MHz 8-8-8-20 1GBx3 | 2GBx3 1333MHz 6-6-6-24 1GBx3 | 2GBx3 1333MHz 7-7-7-24 1GBx3 | 2GBx3 1333MHz 9-9-9-24 1GBx3 | 2GBx3 1600MHz 7-7-7-24 1GBx3 | 2GBx3 1600MHz 8-8-8-28 1GBx3 | 2GBx3 1800MHz 7-7-7-28 1GBx3 | 2GBx3 1800MHz 8-8-8-28 1GBx3 | 2GBx3 1800MHz 9-9-9-28 1GBx3 | 2GBx3 1900MHz 9-9-9-28 1GBx3 | 2GBx3 2000MHz 8-8-8-28 1GB

Společnost A-DATA Technology představila nové SO-DIMM paměťové moduly jejichž název a modelové označení je XPG G Series DDR2-800G. Ty budou dodávány samostatně i jako dvoukanálový kit. Moduly pracují s napětím 1,6 V až 1,7 V a společností uváděná latence je 5-5-5-15. Určeny jsou samozřejmě převážně pro notebooky a mini PC. Společnost uvádí i možnost taktovat, neboť paměti vyhověli příslušným kritériím, což by mělo potěšit především hráče. Frekvence pamětí je 800 MHz. Použity jsou šestivrstvé PCB a nové paměti budou dostupné v kapacitách 1 GB a 2 GB či jako 2GB a 4GB dvoukanálové kity. Zdroj: TZ A-DATA

Samsung Electronics jako jeden z hlavních výrobců paměťových produktů, oznámil uvedení svých prvních paměťových modulů založených na 2Gb DDR3 čipech vyráběných 50nm technologií. Pro dvousocketový PC systém bude tak maximální kapacita operační paměti 192 GB, přičemž jejich rychlost dosáhne 1066 MHz. Dále má Samsung nabídnout 16GB RDIMM moduly pracující s napětím 1,35 V, jež mají poskytnout asi 20procentní úsporu energie oproti 1,5V DDR3. Oproti modulům s 1Gb čipy mají nové moduly využívající 2Gb čipy uspořit aspoň 40 procent energie, na což dnes lidé slyší. Celosvětové prodeje DDR3 mají také v tomto roce růst na 29 procent celkového trhu s čipy DRAM a v roce 2011 to má být až 75 procent. Zdroj: TZ Samsung

V průběhu druhého dne jsme se zaměřili mimo jiné na paměťové moduly předních světových výrobců. Konkrétně se jednalo o společnosti A-DATA, Corsair, Geil, Kingmax, OCZ, Patriot a TakeMS. Hned na začátku však musíme podotknout, že u zmíněných vystavovatelů byla mnohdy velká tlačenice, a tak se nám nepodařilo vždy zachytit to podstatné - tedy samotné produkty. Pro přehlednost je vše řazeno abecedně a konkrétní informace jsou uvedeny ve formě komentáře. Začínáme řadou XPG (Xtreme Performance Gear) od A-DATA. - Series 6GB DDR3 1800+ (vlevo), X Series v2.0 6GB DDR3 2133X s aktivním chlazením (uprostřed) a X Series v1.0 6GB DDR3 2000X - V případě Corsairu nešlo o prezentaci samotných modulů, ale o celkové výpočetní systémy, kde byl kladen důraz na procesory Core i7 společnosti Intel. Na první pohled nás upoutaly použité chladiče Noctua NH-U12P. Sám člověk od Corsairu reagoval slovy, že kdyby se v Corsair specializovali na výrobu chladicích prvků, inspirací bude právě zmíně

DRAM průmysl byl již delší dobu před celosvětovou krizí velmi kompetitivní a některé firmy byly nuceny vyrábět, i když věděly, že jde spíše o ztrátovou záležitost. V těchto měsících tak přichází to, co muselo přijít. Qimonda hledá investora, jenž by jí pomohl postavit se opět na nohy, asijští výrobci využívají státní pomoc a další známý vyrobce, společnost Micron, byl nyní nucen zavřít továrnu v Boise, Idaho. Ta však vyráběla postarší paměti na 200mm waferech. To v nejbližší době připraví 500 lidí o práci a do konce fiskálního roku společnosti to bude až 2000. Tyto změny byly oznámeny až teď, a nezapočítávají se tedy do dříve oznámeného propouštění 15 procent pracovní síly. Společnost však bude v Boise pokračovat ve vývoji s použitím 300mm waferů a k tomu s dalšími aktivitami (design, jiná výroba, služby, atp.). Zdroj: X-bit labs

Společnost Kingston Technology navýšila kapacitu svých paměťových modulů DDR3 až na 4 GB. Díky tomu bude moci produkovat dvoukanálové kity 2x 4GB a trojkanálové kity 3x 4 GB, popřípadě pro paměťově velmi náročné systémy také 6x 4 GB. <center> <object width="480" height="295"> <param name="movie" value="http://www.youtube.com/v/us-pktP-Q_g&hl=cs&fs=1"> </param> <param name="allowFullScreen" value="true"> </param> <param name="allowscriptaccess" value="always"> </param> <embed src="http://www.youtube.com/v/us-pktP-Q_g&hl=cs&fs=1" type="application/x-shockwave-flash" allowscriptaccess="always" allowfullscreen="true" width="480" height="295"> </embed> </object> </center> Firma také na serveru YouTube zpřístupnila video, které zobrazuje test s použitím základní desky Gigabyte GA-EX58-UD5 a procesoru Intel Core i7 920. Kingston ukazuje běh několika virtuálních systémů, na nichž demonstruje, jakým způsobem dokáže být na PC 24 GB paměti užitečných. Výrobce se nakonec také zmiňuje, že výroba

Známé společnosti Micron a Nanya oznámily, že spolupracují na vývoji nízkonapěťových pamětí DDR2, které budou využitelné u mobilních zařízení. Jedná se o typ LPDDR2 DRAM, jež mají mít zezačátku kapacitu 1 Gb, poběží při napětí 1,2 V, a mají tak nabídnout spotřebu o 50 procent nižší oproti LPDDR1. Oba zástupci firem, John Schreck (viceprezident DRAM designu, Micron) a Joe Ting (viceprezident, Nanya), se shodují na tom, že jejich nové LPDDR2 jsou důležité pro navýšení výkonu a snížení nároků na spotřebu. Obě firmy hodlají i nadále spolupracovat na budoucích verzích pamětí DRAM. Zdroj: techPowerUp!

Společnost Hynix je bezesporu jedním z největších výrobců paměťových čipů, což dokazuje i svými pokroky. Nedávno tato společnost oznámila, že chystá své 1Gb (tedy 128MB) paměťové čipy typu DDR3, jež budou vyráběny 40nm technologií, na třetí čtvrtletí tohoto roku. Zhruba v tu dobu budou také reálně k dispozici firemním partnerům. Jde o modely H5TQ1G83CFR s maximální rychlostí 2133 Mbps a schopností pracovat při široké škále napětí. Firma také říká, že oproti 50nm procesu výroby DRAM její nová "trojrozměrná technologie" a 40nm proces umožnil zvýšení produktivity o více než 50 procent. Pokročilejší proces pak má samozřejmě také snížit spotřebu a produkci odpadního tepla a nyní nové paměti již čekají pouze certifikační procedury a ladění. A my se můžeme těšit na další snižování cen modulů DDR3 a jejich zrychlování. Zdroj: DigiTimes

Společnost Toshiba dnes oznámila, že se jí podařilo vyvinout nový prototyp pamětí FeRam - Ferroelectric Random Access Memory. Jedná se o typ pamětí, který kombinuje výhody klasických RAM, tedy především rychlost a pamětí Flash, tedy stálost. To znamená, že i po odpojení napájení zůstanou v buňkách FeRam data uložena. Nový prototyp FeRam má kapacitu 128 Mb, tedy 16 MB a dokáže zapisovat data rychlostí 1,6 GB/s. Plné detaily budou zveřejněny tento týden na International Solid-State Circuits Conference 2009 (ISSCC2009) v San Francisku. Toshiba FeRam Výrobní proces 130 nm CMOS Kapacita 128 megabit Velikost buňky 0,252 μm2 Čtení / zápis 1,6 Gb/s (DDR2 rozhraní) 1 cyklus 83 ns Přístupová doba 43 ns Napájení 1,8 V FeRam také v sobě integrují rozhraní DDR2 a jsou výsledkem úprav a prací na předchozí technologii ChainFeRam, s níž se dosáhlo až na 64Mb čipy. Toshiba samozřejmě bude své slibné FeRam dále vyvíjet a snažit se je prosadit v mobilních konzumních produktech. Bude jistě lákavé mít

Společnost Samsung představila svůj nejnovější výrobní proces pro paměťové čipy typu DRAM, jejž již může použít pro výrobu čipů DDR2. Kromě toho však samozřejmě bude jím moci vyrábět momentální nejlepší DDR3 a budoucí DDR4. Výhody pokročilejšího procesu jsou naprosto jasné a logické - nižší cena díky většímu počtu čipů na waferu, nižší spotřeba energie (dle firmy o 30 procent oproti 50 nm) a díky tomu i nižší zahřívání. První čip vyrobený 40nm technologií Samsungu je 1Gb DDR2 DRAM pro frekvenci 800 MHz. Ten již prošel validačním programem pro použití s mobilními čipovými sadami Intel GM45. Produkce ve velkém se chystá také pro 2Gb čipy DDR3. Produktivita takovýchto čipů má oproti 50nm modelům vzrůst o celých 60 procent. A nakonec firma oznámila, že její nová technologie je významným krokem směrem k DDR4. Zdroj: X-bit labs

Společnost Rambus, která stojí za nejedním paměťovým standardem a technologií, oznámila svou novou Mobile Memory Initiative. Cílem je vyvinout rychlou paměť s nízkou spotřebou, která by operovala na frekvenci 4,3 GHz a mohla být využita v mobilních telefonech a podobných zařízeních. Paměti mají při 4,3 GHz a s 32bitovou paměťovou sběrnicí poskytnout ideální výkon 17,2 GB/s, což je pro normální mobily zbytečně moc, ale multimediální kapesní zařízení, chytré telefony a kapesní herní konzole jistě s chutí takovou propustnost využijí. Nízké spotřeby hodlá Rambus dosáhnout novou architekturou FlexClocking se zjednodušeným DRAM rozhraním, pak vylepšené diferenční signálování při přenosech na datové sběrnici a poté rovněž velmi svižné přepínání mezi aktivním stavem a šetřícím režimem či režimi. Ve své podstatě budou nové paměti založené na architektuře XDR a zpráva mluví také o využití dalších inovací jako FlexPhase a technologie Microthreading. Rambus se chystá demonstrovat

Společnost Samsung oznámila, že navýšila paměťovou kapacitu čipů typu DDR3 na 4 Gb, k čemuž využila 50nm výrobní proces. Díky tomu bychom se mohli brzy dočkat zlevnění těchto pamětí, avšak Samsugn spíše plánuje jejich využití u "zelených" serverů, kde vysoká paměťová hustota společně s nízkou spotřebou bude znát. Díky novým 4Gb čipům budou firmy moci vyrábět 16GB dual in-line RDIMM moduly pro servery a také 8GB DIMM pro pracovní stanice a desktopová PC. Notebooky se ale také dočkají s 8 GB SODIMM moduly. Dual-die package pak dovolí výrobu až 32GB modulů. Čipy dále pracují s napětím 1,35 V, což je o 20 procent méně než klasické DDR3. Maximální propustnost činí 1,6 Gb/s. Nyní tedy Samsung dokáže vyrábět DDR3 čipy v kapacitách 4 Gb, 2 Gb a 1 Gb. Zdroj: TZ Samsung

Společnost Kingston Technology, známý výrobce paměťových produktů, dnes oznámila uvedení tříkanálových paměťových modulů HyperX DDR3 s taktem 2 GHz ve verzi s ultra nízkou latencí (ULL – ultra low latency). K dostání jsou již nyní v sadách po 6 GB a 3 GB a určeny jsou pro platformy Core i7 a X58. Nové sady tříkanálových pamětí využívají pasivních chladičů T1 s technologií odvodu tepla HyperX Thermal Xchange (HTX) a pracují s 1,65V. Označení KHX16000D3ULT1K3/6GX představuje 6GB sadu tří pamětí s latencí CL8-8-8-24-1N a cena je 10440 Kč včetně DPH. KHX16000D3ULT1K3/3GX pro změnu označuje 3GB tříkanálovou sadu (3x1GB modul) se stejnou latencí, jejíž cena je 6598 Kč. Zdroj: Kingston

Společnost A-Data Technology se chystá také figurovat na CES 2009, kde představí především své produkty z oblasti pamětí a úložných systémů. Na velerhu v Las Vegas bude tato společnost od 8. do 11. ledna. Mezi hlavní lákadla mají patřit paměti řady XPG DDR3 2133X Tri-channel a dále také Dual SSD 3.5” RAID box společně 2.5” SATA 300 SSD zařízeními s kapacitou až 192 GB. A-DATA XPG DDR3-2133X v.2.0 mají masivní hliníkové chladiče a využívají také přídavnou jednotku s ventilátory. A-Data pamětem před vypuštěním na trh zajišťuje dle vlastních slov důkladné otestování, aby mohly na frekvenci 2133 MHz pracovat s časováním CL10-10-10-30. A-DATA XPG 2.5” SSD zase slibují vedle rozhraní SATA 300 také standardní USB 2.0, což dnes není nic výjimečného. Kromě klasických výhod SSD mají tyto modely nabídnout rychlosti čtení/zápisu až 170/100 MB/s, což však dnes již není nic oslnivého. Můžeme je však vsadit do zmíněného boxu a pomocí RAID 0 zvýšit jejich výkon, ale to půjde koneč

Společnost Mushkin přichází se svým nejnovějším paměťovým kitem série XP2 s moduly typu DDR2, jež mají kapacitu 2 GB. Celková kapacita kitu s označením 996599r jsou 4 GB a ty využijeme s čipovými sadami podporujícími 1066 MHz. Moduly přichází s křiklavě žlutými heatspreadery Frostbyte v designové hliníkové krabici. Specifikace hovoří o časování CL 5-5-5-15 na základní frekvenci 1066 MHz a napětí 2,1 V. Mushkin k tomu ještě slibuje další potenciál pro přetaktování a dává je ihned k dispozici. Zdroj: TZ Mushkin

Společnost G.Skill International přichází s novým paměťovým kitem, jenž dostal označení Perfect Storm Triple Channel DDR3 2000MHz. Tyto paměti jsou tedy určeny pro systémy založené na procesorech Intel Core i7 a čipové sadě Intel X58 Express. Nové Perfect Storm byly vybaveny jednoduchými hliníkovými chladiči s téměř neznatelným žebrováním, ale chladicí schopnosti umocní modul se dvěma malými ventilátory. Tyto moduly totiž na frekvenci 2000 MHz pracují s časováním CL 7-8-7. G.Skill k pamětem nabízí doživotní záruční lhůtu. Zdroj: TZ G.Skill

Nehalem je na trhu poměrně krátkou dobu a mnoho výrobců už své sady pamětí nabídlo. Pokud jste si ani doposud nevybrali, protože Vám nedostačovala jejich kapacita, zkuste se podívat do nabídky společnosti Mushkin. Ta připravuje novou sadu pamětí Mushkin HP3 995659. Jedná se celkem o šest 2GB modulů. Výsledkem je celková kapacita 12 GB o pracovním kmitočtu 1600 MHz při časování 9–9–9–27. K výhodám patří nízké napájecí napětí 1,5 – 1,6 V. Jedinou nevýhodou je 6 modulů – ne všechny desky mají takový počet slotů. Sada by měly být dostupná na pultech obchodů koncem ledna za 500 €. Ilustrační obrázek ze stránek Mushkinu Zdroj: TechConnect