Paměti RAM (strana 24 z 56)

DRAM průmysl byl již delší dobu před celosvětovou krizí velmi kompetitivní a některé firmy byly nuceny vyrábět, i když věděly, že jde spíše o ztrátovou záležitost. V těchto měsících tak přichází to, co muselo přijít. Qimonda hledá investora, jenž by jí pomohl postavit se opět na nohy, asijští výrobci využívají státní pomoc a další známý vyrobce, společnost Micron, byl nyní nucen zavřít továrnu v Boise, Idaho. Ta však vyráběla postarší paměti na 200mm waferech. To v nejbližší době připraví 500 lidí o práci a do konce fiskálního roku společnosti to bude až 2000. Tyto změny byly oznámeny až teď, a nezapočítávají se tedy do dříve oznámeného propouštění 15 procent pracovní síly. Společnost však bude v Boise pokračovat ve vývoji s použitím 300mm waferů a k tomu s dalšími aktivitami (design, jiná výroba, služby, atp.). Zdroj: X-bit labs

Společnost Kingston Technology navýšila kapacitu svých paměťových modulů DDR3 až na 4 GB. Díky tomu bude moci produkovat dvoukanálové kity 2x 4GB a trojkanálové kity 3x 4 GB, popřípadě pro paměťově velmi náročné systémy také 6x 4 GB. <center> <object width="480" height="295"> <param name="movie" value="http://www.youtube.com/v/us-pktP-Q_g&hl=cs&fs=1"> </param> <param name="allowFullScreen" value="true"> </param> <param name="allowscriptaccess" value="always"> </param> <embed src="http://www.youtube.com/v/us-pktP-Q_g&hl=cs&fs=1" type="application/x-shockwave-flash" allowscriptaccess="always" allowfullscreen="true" width="480" height="295"> </embed> </object> </center> Firma také na serveru YouTube zpřístupnila video, které zobrazuje test s použitím základní desky Gigabyte GA-EX58-UD5 a procesoru Intel Core i7 920. Kingston ukazuje běh několika virtuálních systémů, na nichž demonstruje, jakým způsobem dokáže být na PC 24 GB paměti užitečných. Výrobce se nakonec také zmiňuje, že výroba

Známé společnosti Micron a Nanya oznámily, že spolupracují na vývoji nízkonapěťových pamětí DDR2, které budou využitelné u mobilních zařízení. Jedná se o typ LPDDR2 DRAM, jež mají mít zezačátku kapacitu 1 Gb, poběží při napětí 1,2 V, a mají tak nabídnout spotřebu o 50 procent nižší oproti LPDDR1. Oba zástupci firem, John Schreck (viceprezident DRAM designu, Micron) a Joe Ting (viceprezident, Nanya), se shodují na tom, že jejich nové LPDDR2 jsou důležité pro navýšení výkonu a snížení nároků na spotřebu. Obě firmy hodlají i nadále spolupracovat na budoucích verzích pamětí DRAM. Zdroj: techPowerUp!

Společnost Hynix je bezesporu jedním z největších výrobců paměťových čipů, což dokazuje i svými pokroky. Nedávno tato společnost oznámila, že chystá své 1Gb (tedy 128MB) paměťové čipy typu DDR3, jež budou vyráběny 40nm technologií, na třetí čtvrtletí tohoto roku. Zhruba v tu dobu budou také reálně k dispozici firemním partnerům. Jde o modely H5TQ1G83CFR s maximální rychlostí 2133 Mbps a schopností pracovat při široké škále napětí. Firma také říká, že oproti 50nm procesu výroby DRAM její nová "trojrozměrná technologie" a 40nm proces umožnil zvýšení produktivity o více než 50 procent. Pokročilejší proces pak má samozřejmě také snížit spotřebu a produkci odpadního tepla a nyní nové paměti již čekají pouze certifikační procedury a ladění. A my se můžeme těšit na další snižování cen modulů DDR3 a jejich zrychlování. Zdroj: DigiTimes

Společnost Toshiba dnes oznámila, že se jí podařilo vyvinout nový prototyp pamětí FeRam - Ferroelectric Random Access Memory. Jedná se o typ pamětí, který kombinuje výhody klasických RAM, tedy především rychlost a pamětí Flash, tedy stálost. To znamená, že i po odpojení napájení zůstanou v buňkách FeRam data uložena. Nový prototyp FeRam má kapacitu 128 Mb, tedy 16 MB a dokáže zapisovat data rychlostí 1,6 GB/s. Plné detaily budou zveřejněny tento týden na International Solid-State Circuits Conference 2009 (ISSCC2009) v San Francisku. Toshiba FeRam Výrobní proces 130 nm CMOS Kapacita 128 megabit Velikost buňky 0,252 μm2 Čtení / zápis 1,6 Gb/s (DDR2 rozhraní) 1 cyklus 83 ns Přístupová doba 43 ns Napájení 1,8 V FeRam také v sobě integrují rozhraní DDR2 a jsou výsledkem úprav a prací na předchozí technologii ChainFeRam, s níž se dosáhlo až na 64Mb čipy. Toshiba samozřejmě bude své slibné FeRam dále vyvíjet a snažit se je prosadit v mobilních konzumních produktech. Bude jistě lákavé mít

Společnost Samsung představila svůj nejnovější výrobní proces pro paměťové čipy typu DRAM, jejž již může použít pro výrobu čipů DDR2. Kromě toho však samozřejmě bude jím moci vyrábět momentální nejlepší DDR3 a budoucí DDR4. Výhody pokročilejšího procesu jsou naprosto jasné a logické - nižší cena díky většímu počtu čipů na waferu, nižší spotřeba energie (dle firmy o 30 procent oproti 50 nm) a díky tomu i nižší zahřívání. První čip vyrobený 40nm technologií Samsungu je 1Gb DDR2 DRAM pro frekvenci 800 MHz. Ten již prošel validačním programem pro použití s mobilními čipovými sadami Intel GM45. Produkce ve velkém se chystá také pro 2Gb čipy DDR3. Produktivita takovýchto čipů má oproti 50nm modelům vzrůst o celých 60 procent. A nakonec firma oznámila, že její nová technologie je významným krokem směrem k DDR4. Zdroj: X-bit labs

Společnost Rambus, která stojí za nejedním paměťovým standardem a technologií, oznámila svou novou Mobile Memory Initiative. Cílem je vyvinout rychlou paměť s nízkou spotřebou, která by operovala na frekvenci 4,3 GHz a mohla být využita v mobilních telefonech a podobných zařízeních. Paměti mají při 4,3 GHz a s 32bitovou paměťovou sběrnicí poskytnout ideální výkon 17,2 GB/s, což je pro normální mobily zbytečně moc, ale multimediální kapesní zařízení, chytré telefony a kapesní herní konzole jistě s chutí takovou propustnost využijí. Nízké spotřeby hodlá Rambus dosáhnout novou architekturou FlexClocking se zjednodušeným DRAM rozhraním, pak vylepšené diferenční signálování při přenosech na datové sběrnici a poté rovněž velmi svižné přepínání mezi aktivním stavem a šetřícím režimem či režimi. Ve své podstatě budou nové paměti založené na architektuře XDR a zpráva mluví také o využití dalších inovací jako FlexPhase a technologie Microthreading. Rambus se chystá demonstrovat

Společnost Samsung oznámila, že navýšila paměťovou kapacitu čipů typu DDR3 na 4 Gb, k čemuž využila 50nm výrobní proces. Díky tomu bychom se mohli brzy dočkat zlevnění těchto pamětí, avšak Samsugn spíše plánuje jejich využití u "zelených" serverů, kde vysoká paměťová hustota společně s nízkou spotřebou bude znát. Díky novým 4Gb čipům budou firmy moci vyrábět 16GB dual in-line RDIMM moduly pro servery a také 8GB DIMM pro pracovní stanice a desktopová PC. Notebooky se ale také dočkají s 8 GB SODIMM moduly. Dual-die package pak dovolí výrobu až 32GB modulů. Čipy dále pracují s napětím 1,35 V, což je o 20 procent méně než klasické DDR3. Maximální propustnost činí 1,6 Gb/s. Nyní tedy Samsung dokáže vyrábět DDR3 čipy v kapacitách 4 Gb, 2 Gb a 1 Gb. Zdroj: TZ Samsung

Společnost Kingston Technology, známý výrobce paměťových produktů, dnes oznámila uvedení tříkanálových paměťových modulů HyperX DDR3 s taktem 2 GHz ve verzi s ultra nízkou latencí (ULL – ultra low latency). K dostání jsou již nyní v sadách po 6 GB a 3 GB a určeny jsou pro platformy Core i7 a X58. Nové sady tříkanálových pamětí využívají pasivních chladičů T1 s technologií odvodu tepla HyperX Thermal Xchange (HTX) a pracují s 1,65V. Označení KHX16000D3ULT1K3/6GX představuje 6GB sadu tří pamětí s latencí CL8-8-8-24-1N a cena je 10440 Kč včetně DPH. KHX16000D3ULT1K3/3GX pro změnu označuje 3GB tříkanálovou sadu (3x1GB modul) se stejnou latencí, jejíž cena je 6598 Kč. Zdroj: Kingston

Společnost A-Data Technology se chystá také figurovat na CES 2009, kde představí především své produkty z oblasti pamětí a úložných systémů. Na velerhu v Las Vegas bude tato společnost od 8. do 11. ledna. Mezi hlavní lákadla mají patřit paměti řady XPG DDR3 2133X Tri-channel a dále také Dual SSD 3.5” RAID box společně 2.5” SATA 300 SSD zařízeními s kapacitou až 192 GB. A-DATA XPG DDR3-2133X v.2.0 mají masivní hliníkové chladiče a využívají také přídavnou jednotku s ventilátory. A-Data pamětem před vypuštěním na trh zajišťuje dle vlastních slov důkladné otestování, aby mohly na frekvenci 2133 MHz pracovat s časováním CL10-10-10-30. A-DATA XPG 2.5” SSD zase slibují vedle rozhraní SATA 300 také standardní USB 2.0, což dnes není nic výjimečného. Kromě klasických výhod SSD mají tyto modely nabídnout rychlosti čtení/zápisu až 170/100 MB/s, což však dnes již není nic oslnivého. Můžeme je však vsadit do zmíněného boxu a pomocí RAID 0 zvýšit jejich výkon, ale to půjde koneč

Společnost Mushkin přichází se svým nejnovějším paměťovým kitem série XP2 s moduly typu DDR2, jež mají kapacitu 2 GB. Celková kapacita kitu s označením 996599r jsou 4 GB a ty využijeme s čipovými sadami podporujícími 1066 MHz. Moduly přichází s křiklavě žlutými heatspreadery Frostbyte v designové hliníkové krabici. Specifikace hovoří o časování CL 5-5-5-15 na základní frekvenci 1066 MHz a napětí 2,1 V. Mushkin k tomu ještě slibuje další potenciál pro přetaktování a dává je ihned k dispozici. Zdroj: TZ Mushkin

Společnost G.Skill International přichází s novým paměťovým kitem, jenž dostal označení Perfect Storm Triple Channel DDR3 2000MHz. Tyto paměti jsou tedy určeny pro systémy založené na procesorech Intel Core i7 a čipové sadě Intel X58 Express. Nové Perfect Storm byly vybaveny jednoduchými hliníkovými chladiči s téměř neznatelným žebrováním, ale chladicí schopnosti umocní modul se dvěma malými ventilátory. Tyto moduly totiž na frekvenci 2000 MHz pracují s časováním CL 7-8-7. G.Skill k pamětem nabízí doživotní záruční lhůtu. Zdroj: TZ G.Skill

Nehalem je na trhu poměrně krátkou dobu a mnoho výrobců už své sady pamětí nabídlo. Pokud jste si ani doposud nevybrali, protože Vám nedostačovala jejich kapacita, zkuste se podívat do nabídky společnosti Mushkin. Ta připravuje novou sadu pamětí Mushkin HP3 995659. Jedná se celkem o šest 2GB modulů. Výsledkem je celková kapacita 12 GB o pracovním kmitočtu 1600 MHz při časování 9–9–9–27. K výhodám patří nízké napájecí napětí 1,5 – 1,6 V. Jedinou nevýhodou je 6 modulů – ne všechny desky mají takový počet slotů. Sada by měly být dostupná na pultech obchodů koncem ledna za 500 €. Ilustrační obrázek ze stránek Mushkinu Zdroj: TechConnect

Společnost Mushkin oznámila nové paměti série XP2 a typu 996580X2 DDR2, které rozhodně neocení milovníci nejnovějšího a nejvýkonnějšího hardwaru, ale spíše uživatelé poohlížející se po nízké ceně. Moduly budou prodávány v dvoukanálovém kitu s celkovou kapacitou 4 GB. Paměti nevyužívají žádné chladiče ani prosté heatspreadery, protože jejich výkon dnes není nijak oslnivý. Pracují na frekvencí 800 MHz při časování 4-4-4-12 a napětí 2 - 2,1 V. Jejich PCB se pak skládá z osmi vrstev. Celkem příjemná je oznámená cena, jež se i s daněmi bude pohybovat mezi 46 a 49 Eury. Zdroj: techPowerUp!

Americká společnost Micron Technology patří řadu let mezi dvacet největších výrobců v oblasti polovodičů (15. místo v roce 2007). Největší část produkce tvoří paměti DRAM, FLASH, SDRAM a CMOS. Z pohledu jejich ekonomů bude první čtvrtletí 2009 pro společnost doslova fiasko. Obr.01 – Logo výrobce Původní odhady mluvily o ztrátě $ 0,45 centů na akcii. Bohužel klesající poptávka donutila snížit cenu DRAM modulů o 34 % a podobně na tom byla i cena FLASH pamětí – ta klesla o 24 % (oproti předchozímu čtvrtletí). Největší pesimisté odhadují znehodnocení jedné akcie až o $ 0,91 centů. Výsledný odhad ztrát je tedy $ 706 miliónů, loni byl na stejné období odhadován zisk $ 212 miliónů. Obr.02 – Paměťové moduly Polovodičový průmysl prožívá nejhorší období v historii. Přední taiwanští výrobci jako Inotera Memories, Nanya Technology, Powerchip Semiconductor Corporation (PSC) a ProMOS odhadují celkovou ztrátu mezi $ 606 – $ 908 miliony za čtvrtý kvartál 2008. Zdroj: TG Daily 1

Společnosti AMD, IBM a Toshiba nedávny vyvinuly světově nejmenší funkční paměťovou buňku SRAM (Static random access memory), s čímž se samozřejmě náležitě pochlubily. Buňka byla vyrobena pomocí 22nm technologie, zabírá prostor o velikosti pouze 0,128 um2 a využívá tranzistory typu FinFET (fin-shaped Field Effect Transistor). Pro porovnání, Intel a jeho 32nm SRAM buňky zabírají prostor 0,171 um2. Nové SRAM buňky využívají materiál HKMG (high-k / metal gate) a šetří prostor díky využití vertikálních tranzistorů FinFET namísto konvenčních tranzistorů s rovinným hradlem. Výzkumníci rovněž úspěšně simulovali využití tranzistorů FinFET pro buňky SRAM zabírající prostor 0,063 um2 a dle výsledků by tyto tranzistory měly nabídnout daleko stabilnější provoz než rovinné FET díky tomu, že umožní průchod většího množství proudu, čímž se mají zlepšit přepínací schopnosti. Nová technologie je tak zúčastněnými firmami viděna jako výrazný krok dopředu pro využití ve výrob

Společnost OCZ nelení a přichází s dalšími paměťmi typu DDR3, které jsou určeny novým procesorům Intel Core i7 a čipové sadě Intel X58 Express. Jedná se tedy o tříkanálový kit ze série Blade, jenž se při frekvenci DDR3-2000 může pochlubit časováním CL 7-8-7. Paměti jsou k dispozici v 6GB kitu (3x 2 GB) a pracují při napětí 1,65 V. O chlazení se zde starají jednoduché hliníkové pasivy, jaké najdeme na řadě jiných verzí. Záruční lhůtu však OCZ nabízí doživotní. Zdroj: TZ OCZ Technology

Již delší dobu se mluví o tom, že zvláště někteří výrobci pamětí DRAM na Taiwanu zažívají velmi krušné časy. Před několika dny se pak objevily spekulace, že Taiwanská vláda hodlá finančně vypomoci některým firmám, což se nyní potvrzuje. Zástupce ministra ekonomiky, Shih Yen-shiang, řekl, že vláda zachrání taiwanské výrobce pamětí DRAM před krachem, pokud ti ale předloží realizovatelný plán pro své přežití. Plán vlády také zahrnuje ulehčení kooperace domácích výrobců DRAM a jejich japonských a amerických protějšků. Podle některých odhadů mají taiwanští výrobci DRAM dluhy čítající celkem 21,6 miliard USD a jistě jim nepomáhá, že ceny DRAM na trzích dále klesají i pod produkční náklady. O vládní pomoc navíc požádalo asi 100 domácích firem, takže nejen DRAM průmysl má na Taiwanu problémy. Prozatím se potvrdilo, že o vládní pomoc požádá PowerChip Semiconductor, jenž se chystá blížeji spolupracovat s japonskou Elpidou a také známá společnost Nanya Technologies předsta

Společnost OCZ Technology ještě v žádném případě neláme hůl nad paměťmi DDR2, což dokazuje uvedením nových výkonných sérií Flex EX, které jsou chlazené vzduchem i vodou. Kromě toho se však představí i nové paměti DDR3. Každý modul ze série Flex EX využívá blok pro chlazení vodou, jenž se poprvé objevil u pamětí OCZ Flex XLC (Xtreme Liquid Convection). Vodní chlazení můžeme, ale nemusíme využívat, přičemž výhody a nevýhody jsou zde jasné. Konkrétně pak jde o tyto verze: OCZ PC2-9600 Flex EX 4GB (2x2GB) 1200MHz CL 6-6-6-18 @ 2,2 V OCZ PC2-6400 Flex EX 4GB (2X2GB) 800MHz CL 4-4-3-15 @ 2,1 V OCZ PC3-12800 Flex EX 4GB (2x2GB) 1600MHz CL 7-6-6-24 @ 1,9 V OCZ PC3-16600 Flex EX 4GB (2x2GB) 2000MHz CL 8-8-8-30 @ 2,0 V Zdroj: TZ OCZ Technology

Společnost A-Data v poslední době neustále představuje nové paměti, které se nejčastěji zařazují do sérií XPG. Nyní to jsou verze určené pro herní sestavy využívající moduly DDR2, nebo DDR3. Dle materiálů A-Data mají tyto moduly nabídnout vysoký výkon, nízkou cenu, nízkou spotřebu a spolehlivost, ale který výrobce to o svých modulech neříká. Paměti jsou k dispozici jako samostatné moduly s kapacitou 1 a 2 GB, nebo také jako kity 2x 2 GB a 2x 1 GB. Kromě toho firma nesmí zapomenout také na procesory Intel Core i7 využívající tříkanálové DDR3 kity s frekvencemi 1333 MHz a 1600 MHz. Kapacita zde může činit až 6 GB. Zdroj: TZ A-Data

Společnost Elpida oznámila, že dokončila vývoj 50nm mobilních pamětí RAM s kapacitou 2 gigabity. K výrobě byla použita 193nm ArF imerzní litografie a měděné mezispoje. Paměť se vyznačuje nízkou spotřebou, a hodí se tak pro mobilní zařízení, jako telefony, multimediální přehrávače a jinou elektroniku "do kapsy". V porovnání s modely vyrobenými 70nm procesem potřebují nové paměti méně než poloviční proud pro udržení dat v buňkách a poloviční proud při aktivitě. To tedy umožňuje v podstatě zdvojnásobit paměť v zařízení, aniž by vzrostla spotřeba energie. Co se týče napětí, tak splňují standard JEDEC 1,8 V, ale pracují také při 1,2 V. Paměťi se mohou pouzdřit několika způsoby, například PoP (Package on Package), nebo MCP (Multi Chip Package), využívají x32-bit I/O konfiguraci založenou na technologii DDR a při frekvenci 200 MHz (efektivně 400 MHz) mají propustnost 1,6 GB/s. Nebude jim tedy jistě činit problémy uspokojit potřeby moderních multimediálních zařízení

Společnost A-Data se pochlubila svými nejnovějšími paměťovými moduly typu DDR3, které dostaly označení A-DATA XPG DDR3-2133X v2.0 a zařazují se do tzv. X Series. Tyto moduly běží na 2133 MHz s časováním CL10-10-10-30 a jsou k dispozici v 3x 1GB či 3x 2GB trojkanálových kitech a stejně tak ve 2GB či 4GB dvoukanálových kitech. Chlazení těchto pamětí zajišťuje mohutný hliníkový chladič a také modul se dvěma malými ventilátory. Ty mají hranu o velikosti 50 mm a při 3500 RPM vydávají hluk o intenzitě 21,8 dB. Samotné moduly využívají 8vrstvé PCB a jsou kompatibilní se specifikacemi pro DDR3-1600, 1333 a 1066 MHz. A-Data na ně poskytuje doživotní záruku. Zdroj: TZ A-Data

Společnost Kingston oznámila, že do prodeje vypustila nové DDR3 paměti série HyperX. Tyto SO-DIMM paměťové moduly nesou konkrétní modelové číslo KHX8500S3ULK2/4G. Paměti mají frekvenci 1066 MHz a určeny jsou především pro notebooky. Dostupné budou jako 4GB dvoukanálový kit (dva 2GB moduly). Provozovat je můžetena napětí 1,5 V a jejich latence je CL5-5-5-15. Tyto 204-pinové moduly bez ECC je již možné objednávat na stránkách společnosti a cena je 228 amerických dolarů. Záruka je doživotní. Zdroj: Laptoplogic