
Paměti DDR3 stále k výrobcům nedorazily
Výrobci základních desek začali hojně představovat nové základní desky s čipovou sadou Intel P35 'Bearlake'; například Gigabyte nebo MSI dle nejnovějších zpráv mají nové desky již v rukou. Tyto základní desky přijdou ve verzích, které budou podporovat dnes standardní paměti DDR2 (například MSI P35 Platinum) a nebo nové paměti DDR3 (MSI P35 Platinum D3) Dle zpráv serveru Fudzilla však ani velcí hráči na trhu s paměťovými moduly, jako jsou Kingston, Corsair nebo OCZ, nemají zatím žádné paměti DDR3. Ty jsou stále ve stádiu zkoušení kompatibility se základními deskami a bude prý trvat ještě dva další týdny, než se nějaké DDR3 ke zmíněným výrobcům dostanou. Výrobci pamětí tedy mají co dělat, aby dokázali zachytit termín vypuštění základních desek se sadami Bearlake, který byl stanoven na první den Computexu (4. června). Zdroj: Fudzilla

Buffalo uvádí paměťové moduly DDR3
Společnost Buffalo uvedla první DDR3 paměťové moduly, ačkoli nové chipsety a základní desky je začnou podporovat až později v tomto roce. Zatím tedy půjde o exotické zboží. Jedná se o moduly DDR3-1066MHz (PC2-8500), tedy na dosti vysokých frekvencích, které dosahují jen vysokovýkonné značkové DDR2 moduly. Při frekvenci 1066MHz dosahují tyto paměti latence CL7, což je podstatně více než CL5 u stejně taktovaných DDR2 modulů. Stále je to však lepší číslo než původně předpokládané CL kolem hodnoty 10 (takové jsou stále očekávané u DDR3-1600 modulů). Díky několika technologickým vylepšením by však měly být DDR3 moduly na stejné frekvenci minimálně tak rychlé jako DDR2 moduly, ne-li rychlejší. K vylepšení výkonu pomáhá např. 8-bitový pre-fetch (DDR2 pouze 4-bitový), spotřebu snižuje napájecí napětí pouhých 1,5V (DDR má 1,8V a více), technologie PASR (Partial Array Self Refresh) a ASR (Auto Self Refresh). Uváděcí cena asi nikoho nepotěší, 512MB modul má stát $315, což by u n

OCZ a dvojice nových modulů DDR2
Společnost OCZ Technology Group představila dvojici nových pamětí spadající do série Reaper HPC, která je určena především pro nadšence a milovníky vysokého výkonu. Oba nové DDR2 moduly běží na frekvenci 800Mhz a tyto PC2-6400 Enhanced Bandwidth Edition paměti jsou navrženy, aby dodávaly optimální a garantovaný výkon na nVidia nForce 680i čipové sadě. Ty pak nabídnou časování 4-3-3-15, kde běžné Reaper PC-6400 paměti mají CL4-4-4. Tyto moduly pak také nabízí Reaper HPC (Heat Pipe Conduit) heatspreadery a EPP (Enhanced Performace Profiles). Dostupné pak budou jako 2GB dvoukanálový kit a jedná se o unbuffered paměti. Ve specifikacích se pak dále hovoří o doživotní záruce a 240-pinech. Cena ani přesné datum dostupnosti není ve zprávě zmíněno. Zdroj: digit-life

Samsung zvyšuje kapacity pamětí DRAM
Vrstvení se stalo populárním slovem u výrobců polovodičů. Nedávno IBM oznámilo vývoj nových 3D procesorů s vrstvenými obvody a nyní se přihlašuje Samsung s dalším zlepšením výroby DRAM čipů a potažmo modulů, které by již brzy mohly dosáhnout kapacity 4 GB. K tomu hodlá využít technologii Through Silicon Via (TSV), podle názvu tedy minimálně velmi podobnou k té od IBM. Samsung se rozhodl navrstvit čtyři 512Mb DDR2 čipy na sebe a vyrobit tak jeden 2Gb DRAM čip (označuje se jako Wafer-level-processed Stacked Package - WSP), což umožní s použitím šestnácti takových čipů stvořit 4GB DIMM paměti DDR2. Through Silicon Vias nejsou nic jiného, než miniaturní otvory vyplněné mědí, které propojují části paměťového čipu. Firma dále věří, že se jí podaří využít TSV technologii i pro výrobu pamětí DDR3 s vyššími přenosovými rychlostmi jako 1,6 Gb/s a pomůže jí dosáhnout i úspor ve spotřebě energie. Dostupnost nových pamětí zatím oznámena nebyla. Zdroj: TG Daily

OCZ představuje paměti PC2-9600 Flex XLC
Paměti PC2-9600 série Flex XLC představila společnost OCZ a předurčila je pro nenapravitelné ladiče výkonu. To je na první pohled jasné podle jejich chlazení, ke kterému můžete využít vodu. Výrobce dále u těchto pamětí garantuje, že budou fungovat na frekvenci 1200 MHz a časování 5-5-5-18 při 2,35 V. Společnost je dodává v dual channel sadě po dvou gigabytových modulech a poskytuje na ně doživotní záruční lhůtu. Jejich chlazení zajišťuje mohutný pasiv s vysokým žebrováním, na nějž můžete tedy napojit hadice - vnitřní průměr trubic je čtvrt palce. Dle vyjádření firmy však paměti budou na zmíněné frekvenci fungovat i bez chlazení vodou. Zdroj: OCZ Technology

OCZ uvádí DDR2 paměti Reaper s frekvencí 1150MHz
Paměti Reaper se vyznačují nezvyklým chlazením pomocí heatpipe, které má zaručit opět mnohem vyšší účinnost jako každé inovativní řešení. Dosud společnost OCZ vyráběla PC2-8500 (DDR-1066) moduly této řady, nově však budou k dispozici i PC2-9200, tedy DDR2-1150 moduly. Při této frekvenci dosahují časování CL5-5-5-18. K bezproblémovému provozu vyžadují napětí 2,3V, díky EVP však výrobce zaručuje stabilitu i při vysokém napětí 2,35V. K dispozici jsou jako 2GB (2×1GB) dual channel kity. Stejně jako na všechny moduly OCZ prémiových řad, i na tyto paměti je poskytována doživotní záruka. Ta se po nedávno zjištěných problémech se stabilitou vysokonapěťových modulů obzvlášť hodí. Zdroj: www.tgdaily.com, www.digit-life.com

nVidia a EVGA varují před vysokonapěťovými DRAM moduly
Výrobci vysokorychlostních paměťových modulů s vysokým napětím mají problémy. Tyto moduly totiž potřebují ke svému běhu na frekvencích okolo 1200MHz až 2,4V. Což je mnohem více, než standardních 1,8V pro DDR2 moduly. Chipset nForce 680i SLI podporuje tyto vysokorychlostní moduly, bohužel začíná vycházet najevo, že napětí 2,4V je pro tyto moduly v dlouhodobém provozu opravdu příliš. Místo zajištění vyšší stability se právě vysoké napětí podílí na snížené stabilitě modulů, dokonce až na jejich zničení. Zdroj: www.xbitlabs.com

NAND flash pamětí bude dle Samsungu nedostatek
Samsung se rozpovídal o trhu s paměťmi DRAM a NAND flash. DRAM mají v druhé polovině tohoto roku zažít příjemný vzestup, avšak v tu dobu má přijít silný nedostatek pamětí NAND flash. DRAM trh je v této době poněkud v útlumu, což je způsobeno přesycením trhu a to by se mělo zlepšit již za několik měsíců, kdy se poptávka opět zvedne i díky systému Windows Vista. DRAM také začnou více pronikat i do spotřební elektroniky, jako kapesní zařízení a digitální TV. Na druhou stranu trh s NAND flash paměťmi momentálně zažívá veliký rozmach a rostoucí poptávku. Chang-Gyu Hwang, obchodní ředitel Samsungu, proto pro druhou polovinu roku předpovídá, že těchto pamětí bude nedostatek. Stane se tak kvůli rostoucímu počtu prodaných MP3 přehrávačů (především rozmezí 4-8 GB), ostatních kapesních zařízení a také se na trh dostane Apple iPhone. Samsung dále poukazuje, že všichni hlavní výrobci tohoto typu paměti zaujali opatrný postoj k rozvoji výroby a dokonce i snížili její kapacitu. Z

Super Talent a 4GB herní kit
Společnost Super Talent Technology oznámila svůj nový dvoukanálový paměťový kit určený pro hráče a nadšence v taktování. Konkrétně se jedná o DDR2 4GB paměťový kit s frekvencí 800MHz. Modelové číslo novinky je T800UX4GC5 a jedná se o pár unbuffered 240 pinových modulů bez ECC. Latence je potom 5-5-5-15 a pracují s 2,1V. Každý modul je konstruován užitím šestnácti 128Mbit x 8 FBGA čipů. Použity jsou modré hliníkové HE heatspreadery pro lepší tepelný management. Paměti jsou ručně testovány a k dostání budou během tohoto týdne za cenu $438. Zdroj: digit-life

Samsung představuje 1,8" SSD disky s kapacitou 64GB
Nové 1,8" SSD disky společnosti Samsung nyní dosahují kapacity 64GB. Jsou založeny na 8Gbit SLC (Single-Level Cell) NAND pamětech. Oproti 32GB SSD disku se rychlost čtení navýšila o 20% z 53MB/s na 64MB/s a o 50% rychlost zápisu z 30MB/s na 45MB/s. Pro srovnání, to je 4,3× vyšší rychlost čtení než u 1,8" 80GB pevného disku (15MB/s) a 6,4× větší rychlost zápisu (7MB/s). Výhodou je také nižší hmotnost 15 gramů oproti 61 gramům pevného disku a také nižší spotřeba, která činí 0,5W při zápisu/čtení, 0,1W v idle režimu oproti 1,5W pevného disku. Velmi zajímavá je také předpověď vývoje zastoupení SSD disků na trhu. Za rok 2006 to bylo zboží v hodnotě $56 milionů, pro rok 2007 se předpokládá $218 milionů, pro rok 2008 už $893, rok 2009 $2,6 miliardy a konečně pro rok 2010 $6,8 miliardy. Zdroj: www.samsung.com

Qimonda plánuje přeskočit na GDDR5
Společnost Qimonda, která existuje teprve necelý rok, kdy vznikla z Infineon Technologies, oznámila, že plánuje přeskočit paměti GDDR4 a věnovat se rovnou pamětem GDDR5 určeným pro budoucí grafické karty s čipy G90 a R700. Dnes drží 90% trhu s paměťmi pro hi-end grafické karty typ GDDR3 a s nástupem R600 a nových verzí G80 se ukáží GDDR4. Ty by však neměly vydržet dlouho a již brzy je mají nahradit nové GDDR5, které v roce 2011 budou nejspíše mainstreamem. Hodně zákazníků by tedy mělo stejně jako Qimonda přeskočit GDDR4 a přejít rovnou na GDDR5. Pro rok 2011 Mercury Research předpokládá, že GDDR5 budou stejně jako dnes GDD3 zabírat 90% z trhu hi-end grafických karet. Nový typ pamětí má také nabídnout tolik žádanou energetickou efektivitu a také trojnásobný výkon dnešních 800MHz GDDR3 pamětí. Navíc budou vhodné nejen pro počítače PC, ale také pro herní konzole. Qimonda plánuje vyprodukovat první vzorky do konce tohoto roku a s velkovýrobou začít někdy během prvního čtvrtl

SiS uvedlo novou řadu DRAM modulů
Minulý rok se společnost SiS rozhodla zapojit do obchodu s DRAM paměťmi a na letošním CeBITu demonstrovala plody svého celoročního snažení. Za tu dobu zvládla výrobu pamětí v baleních TSOP, BGA a CDFN a začala s jejich dodávkou pro řadu zákazníků zahrnující výrobce základních desek, počítačových systémů, vývojáře různých přístrojů a OEM. Kvůli výrobě se také SiS dohodlo na spolupráci s firmou UMC. V Hannoveru byla představena momentální řada DRAM modulů zahrnující DDR2-800, DDR2-667, DDR2-533, DDR-400, and DDR333 pro notebooky i desktopové PC. Do budoucnosti chce firma dále vyvíjet cenově dostupné paměti s menšími nároky na energii, s většími kapacitami a rychlejšími přenosy. Uvidíme, jak se jí bude dařit. Zdroj: SiS

Kingston a nové DDR2 paměti
Společnost Kingston Technology koncem minulého týdne představila své nové paměti DDR2 s frekvencí 800MHz. Ty budou dostupné jako 4GB dvoukanálový kit a 2GB samostatný modul. Paměti jsou zařazeny do HyperX série, nabízejí časování CL4-4-4-12 při napájení 2,0V a jedná se o paměti bez ECC. Samozřejmě jsou již z dřívějška dostupné i moduly s kapacitou 512MB a 1GB a také 1GB a 2GB paměťové kity. Společnost dodává nové paměti s doživotní zárukou. O ceně se v zprávě společnosti nehovoří, nicméně na stránkách některých internetovch obchodů u nás je cena za 4GB modul necelých 13 000,- Kč. Zdroj: vr-zone

Samsung vyrábí vzorky 8GB NAND modulů
Společnost Samsung, která momentálně udává tempo při vývoji elektronických flash pamětí, oznámila, že je již schopna vyrábět osmigigabytové paměťové moduly s použitím čtyřech 16Gb čipů. Jejich vzorky také už putují k hlavním výrobcům mobilních zařízení, takže se zdá, že na telefon s 8 GB paměti nebudou zákazníci dlouho čekat. Samsung k produkci těchto čipů využil 50nm technologii a také kontrolní čip i rozhraní pro karty MMC (MultiMediaCard) s příslušným firmware. Novinky mají také vedle zdvojnásobení kapacity předchozích verzí zdvojnásobit i výkon a také zabraný prostor se o něco sníží. Co se týče oné dvojnásobné rychlosti, pak zpráva mluví o 52 MB/s, avšak ohledně čtení a zápisu neříká nic. Produkce ve velkém má začít na konci tohoto roku a jak jsem již naznačil, cílové výrobky pro tyto paměti budou mobilní telefony a osobní GPS. Zdroj: DailyTech

Intel začne s výrobou Phase-Change RAM pamětí už tento rok
V září minulého roku jsme vás informovali o nových pamětech PRAM (resp. PCM - Phase-Change Memory). Intel chce dodat první vzorky těchto pamětí již v první polovině tohoto roku s tím, že výroba by měla započít už v jeho druhé polovině. PRAM paměti by měly nahradit stávající flash paměti a něco málo si berou i z pamětí DRAM, které však patrně nahrazovat nebudou. Kombinují oba typy, mají non-volatilní charakteristiky flash pamětí (nemusí být pod stálým napětím a obnovováním, aby se zachovala data) a podstatně vyšší přenosové rychlosti a přístupové doby, které je zas přibližují DRAM pamětem. S rychlostí to zas není tak horké, i když se o přesnějších číslech zatím nemluvilo. Co se týče přístupových dob, tak flash paměti mívají obvykle kolem 50-90ns, PRAM paměti by se měly pohybovat kolem 20ns, což je podstatně lepší výsledek, nicméně stále velmi daleko od 3ns pamětí DDR2 DRAM. Nevýhodou flash pamětí jsou omezené počty přepisovacích cyklů, které se pohybují v řádech

Samsung začíná s výrobou 60nm DDR2 pamětí
Nová 60nm výroba paměťových čipů DDR2 DRAM má umožnit o 40% vyšší efektivitu výroby oproti 80nm výrobě díky podstatně menším velikostem čipu. Ve srovnání s dnešní obvyklou 90nm výrobou je to prý dokonce dvakrát tak vyšší efektivita. 1Gb DRAM čipy umožní výrobu 512MB, 1GB a 2GB modulů. Ty se mají vyrábět s frekvencemi 667MHz a 800MHz. Díky nižším výrobním nákladům by měly dále klesat ceny pamětí. Od 90nm výroby se navíc používá 3D tranzistorové technologie, která umožňuje dále zmenšit velikost čipů a zvýšit výtěžnost. Klíčová technologie Recess Channel Array Transistor (RCAT) je používána již od zmíněných 90nm čipů a předpokládá se, že umožní výrobu 50nm čipů i menších. Zdroj: www.cdrinfo.com

Legacy vypouští 4GB FB-DIMM moduly
Společnost Legacy Electronics začíná nabízet své nové paměťové moduly. Jedná se o DDR2 moduly na frekvenci 667MHz, které nabídnou kapacitu 4GB. Tyto FB-DIMM (fully buffered dual in-line memory module) moduly jsou certifikovány specielně pro čipové sady společnosti Intel a splňují testy Computer Memory Test Labs (CMTL). Bližší detaily o těchto 4GB modulech zpráva nepřináší, pouze se odhaduje cena, která se bude zpočátku pohybovat okolo $800. Zdroj: tgdaily

Samsung přichází s 2000MHz grafickými paměťmi
Samsung svým soupeřům na poli paměťových technologií rozhodně nedává spát. Nedávno zveřejnil informace o nových typech grafických pamětí GDDR4, které mají dosáhnout taktu 2000 MHz a tím i o 66% vyššího výkonu (4Gb/s). Takovéto zprávy dozajista vítají také firmy AMD a nVidia, jež nové paměti patřičně využijí ve svých hi-end modelech grafických karet. Zkušební verze nových modulů vyrobených 80nm procesem mají kapacitu 512Mb (16Mb x32) a firma očekává, že je uvede na trh již později v tomto roce. Marketingový ředitel divize grafických pamětí Samsungu, Mueez Deen, se vyjádřil v tom smyslu, že se od pamětí GDDR4 dá očekávat ještě růst frekvence na 2,5GHz, avšak pak již mají na přelomu let 2008/2009 nastoupit GDDR5 s propustností větší než 5Gb/s. Dailytech přinesl ještě aktuální infomace, dle nichž začne Samsung se zasíláním vzorků pamětí svým zákazníkům ještě tento měsíc, což tedy vzhledem k dnešnímu datu znamená okamžitě. Zdroj: TG Daily

OCZ odhaluje nové paměti Reaper s výkonným chlazením
Společnost OCZ odhalila nové paměťové moduly, které kopírují moderní trendy chlazení pamětí pomocí heatpipe a pasivních chladičů. Podobné samostatné chladiče nabízí například firma Thermalright, avšak zde dostanete výkonné chlazení již v ceně pamětí. Dle výrobce se čipy chladí pomocí "strategicky rozmístěných hliníkových žeber", díky nimž je možné tyto 1GB moduly (dodávané v 2GB kitech) provozovat na frekvenci PC2-8500 (1066MHz) a časování CL 5-5-5. Cenu ani dostupnost jsme se zatím nedozvědeli. Zdroj: TG Daily

První DDR3 moduly budou od společnosti Super Talent
DDR3 paměti se v blízké době objeví na trhu. Podporovat je budou nové chipsety pro procesory Intel (např. Intel Bearlake). Oproti nynějším DDR2 pamětem mají snížené napájení z 1,8V na 1,5V, využívají však také 240-pinový design. Nejsou však kompatibilní, zářez je posunut na jinou pozici. Efektivní frekvence budou činit 800-1600MHz, tedy dvojnásobek dnešních DDR2 modulů, které mají standardizované frekvence 400-800MHz. Super Talent by měl být první společností, která začne s produkcí DDR3 modulů pro normální trh. Očekává se, že by se na pultech obchodů měly objevit v půli tohoto roku. Zdroj: www.dailytech.com

G.Skill vypouští nové 2GB moduly pro notebooky
Společnost G.Skill International Enterprise vypustila dva své nové 2GB moduly SO-DIMM pro notebooky. Ty budou nabízeny v rychlosti 533MHz a 667MHz a jedná se samozřejmě o DDR2 moduly. Prvně jmenované paměti PC2-4200 nabízejí latency 4-4-4-12 a jsou dostupné jako jeden 2GB modul. Tyto unbuffered paměti bez ECC, které pracují s napětím 1,8V nabízejí doživotní záruku. Oproti tomu 200-pinové moduly PC2-5300 se liší právě v latency, která je 5-5-5-15. Ostatní parametry zůstávají. O ceně se bohužel nehovoří. Zdroj: laptoplogic

Apacer a DDR2-800 SODIMM moduly
Společnost Apacer Technology vypustila své SODIMM paměťové moduly určené pro mini PC a notebooky. Jedná se o DDR2 moduly na frekvenci 800MHz a k dostání budou v 512MB a 1GB velikostech. Paměťové moduly pracují s napětím 1,8V a užito bylo osmivrstvé PCB. Jedná se o 200-pinové paměti splňující standardy JEDEC a RoHS. Záruka je samozřejmě (jako u obdobných produktů) doživotní. Zdroj: Digit-life

OCZ a PC2-6400 4GB dvoukanálový kit
Společnost OCZ Technology Group oznámila dvoukanálový kit PC2-6400 Gold Edition. Jedná se o dvoukanálový kit s kapacitou 4GB, tedy dva moduly po 2048MB. Paměti jsou údajně určeny pro náročné hráče a optimalizované pro operační systém Microsoft Windows Vista. Samotné 2GB moduly pak běží na frekvenci 800MHz a nabízí CL 5-5-5-18. Paměti mají pozlacené XTC (Xtreme Thermal Convection) heatspreadery pro lepší tepelný management. Záruka těchto unbuffered 240-pinových pamětí je samozřejmě doživotní. Zdroj: digit-life

Corsair vypouští DDR2 SODIMM paměti pro notebooky společnosti Apple
Společnost Corsair, známý výrobce pamětí, včera oznámila vypuštění svých SODIMM pamětí pro notebooky společnosti Apple. Tyto DDR2-667MHz paměti budou k dostání jako 1GB, 2GB, 3GB(1GB a 2GB) kit. Určeny jsou pro MacBook, MacBook Pro a iMac počítače, kde zmiňovaný 3GB kit je určen pouze pro MacBook Pro a iMac. Paměti jsou již k dostání a dodávány jsou s celoživotní zárukou. Cena za jednotlivé varianty je pak postupně $119, $239 a $679. Zdroj: laptoplogic












