Paměti RAM (strana 34 z 55)

Společnost Apacer Technology vypustila své nové Fully-Buffered DIMM DDR2 paměti na frekvenci 667MHz. Ty jsou určeny pro pracovní stanice Apple Mac Pro společnosti s nakousnutým jablíčkem ve znaku. Ty jsou založeny na 64-bitových Dual Core Intel Xeon procesory. Moduly jsou testovány právě přímo na Apple Mac Pro platformě a nabízejí JEDEC specifikace. CAS Latency je potom CL5 a paměti s 240 piny budou dostupné v kapacitách 512MB, 1GB a 2GB. Záruka je doživotní. Zdroj: digit-life

Společnosti Rambus a Qimonda podepsaly ve středu dohodu, ze které plyne, že Qimonda může vyrábět XDR paměti pro herní konzole, případně pro grafický trh a další určení. Hlavní výhodou těchto pamětí je schopnost pracovat až na neskutečně vysokých frekvencích, daleko za možnostmi dnešních GDDR4 pamětí. Přestože tyto paměti jsou na trhu již nějakou dobu, tyto paměti se na trhu grafických karet nerozšířily. Nepomohl ani paměťový řadič Rambusu zvládající paměti DDR1, GDDR2, GDDR3, GDDR4 a XDR. Tyto paměti jsou ve větším využity akorát v konzoli Sony PlayStation 3. Qimonda bude paměti XDR vyrábět 75nm technologií. Využití mají najít v již zmíněné herní konzoli, rozšířit by se měly ale i v digitálních televizích, set-top boxech a možná i grafických kartách. Zatím není jasné, jaké čipy bude Qimonda vyrábět, obvykle jsou produkovány s kapacitami 256Mb až 8Gb, PlayStation využívá například čtyři 512Mb moduly. Maximální frekvence dnes činí 3,2GHz. Elpida a Samsung vy

Společnost Samsung začala dodávat vzorky pamětí NAND, které jsou vyráběny 50nm technologií a disponují kapacitou 16Gbit (tedy 2GB). Tyto vzorky paměti jsou typu MLC (Multi-Level Cell) s velikostí stránky 4kB. To by mělo podle výrobce zajistit rychlejší zápis i čtení. Samsung tvrdí, že zvětšení stránky z typických 2kB na 4kB zvýší rychlost čtení na dvojnásobek. Zápis by se dokonce měl zrychlit o 150%. Tyto paměti by se měly využít zejména ve flash solid state pevných discích, u kterých se předpokládá, že alespoň v mobilní sféře vytlačí klasické pevné disky. Masová produkce by měla začít již toto čtvrtletí. Zdroj: www.samsung.com, www.digitimes.com

Známá společnost Patriot se připojuje k závodu o nejvýkonnější DDR2 paměťové moduly. Chystá se tak předhonit firmy jako Corsair s jeho PC2-8888 Dominatory na 1111MHz, OCZ PC2-9200 FlexXLC na 1150MHz a také Kingston PC2-9600 HyperX na 1200MHz. Se 1302MHz moduly označenými jako PC2-10100 by se tak Patriot měl zařadit do čela celého pole. Paměti Patriot - ilustrační foto Patriot má svou novinku představit na nadcházející show CES 2007 a dle marketingových slov mají tyto paměti plně využít výhod platformy nVidia nForce 680i a nových čtyřjádrových procesorů Intel. Vedle této novinky se má ještě představit nejrychlejší USB flashdisk - Xporter XT verze 2 - k dispozici v kapacitách od 1GB po 16GB. Ten má poskytovat rychlost čtení 266x (39MBps); rychlost zápisu bohužel nebyla sdělena. Dále jsou na řadě 16GB SD HC karta, 4GB microSD HC karta a 4GB miniSD HC karta. Zdroj: TG Daily

Na Taiwanu se včera stala loupež jako z akčního filmu. Trojice neznámých pachatelů ozbrojených mačetou a omračovacím zařízením způsobila dopravní nehodu a následně přepadla a vykradla nákladní automobil převážející paměťové čipy společnosti Hynix. Jednalo se o DDR DRAM čipy, ukradeno jich bylo 20 beden. Vzniklá škoda přesahuje 300 000 amerických dolarů. Jedná se o 400MHz čipy, které byly na cestě k odběrateli. Server DRAMeXchange však dodává, že celá nehoda nemá mít větší vliv na ceny pamětí. Zdroj : inquirer, digitimes

Společnost Elpida oznámila, že začíná s hromadnou produkcí paměťových čipů 70nm výrobním procesem. To se má primárně dít v hlavní továrně v Hirošimě v Japonsku. Vyráběny takto budou 512Mb a 1Gb paměťové DDR2 SDRAM čipy. V současné době převažuje 90nm výrobní proces. Nový 70nm proces umožní společnosti zvýšit rychlosti a zmenšit rozměry čipu, nemluvě o výrazném snížení výrobních nákladů. První kousky na trhu bychom měli vidět začátkem roku 2007. Zdroj: dailytech

Společnost Samsung uvedla první Mobile DRAM paměť s kapacitou 1Gbit, která nepoužívá vrstvení. To je umožněno díky 80nm výrobní technologii, která čip dále zmenšuje a je tedy o 20% užší než 1Gbit čip vytvořený navrstvením dvou 512Mbit čipů. Mobile DRAM paměť najde široké využití v mobilních zařízeních jako jsou multimediální přehrávače, digitální kamery a jim podobné. Navíc díky optimalizaci technologie self-refresh cyklů se snížila spotřeba pamětí o 30%, což uživatelé mobilních zařízení jistě uvítají. Menší rozměry by měly umožnit výrobu i 1,5Gbit a 2Gbit verzí, o které by měl prý během roku 2007 prudce vzrůst zájem. Zdroj: www.samsung.com

Společnost G.Skill International Enterprise vypouští své první DDR2 paměťové moduly na frekvenci 800MHz nabízející CL4-4-3-5. Sériové číslo nových pamětí je pak F2-6400CL4D-2GBHK. Tyto PC2-6400 paměti budou dodávány samozřejmě s doživotní zárukou a jedná se o 240 pinové unbuffered DIMM moduly bez ECC. Dostupné budou jako 1GB modul a 2GB kit. O ceně se ve zprávě nehovoří. Zdroj: digit-life

Společnost Hynix Semiconductor včera představila své nové paměťové čipy. Tyto 1Gb čipy jsou vyrobené 60nm výrobním procesem a použity jsou následně v DDR2 paměťových DIMM modulech s kapacitou 1GB a 2GB. Společnost Hynix oznámila, že nový výrobní proces přinese snížení výrobních nákladů až o 50% (současné čipy jsou vyráběny 80nm technologií). To by mělo také údajně vést ke snížení ceny 4GB Registred DIMM a Fully Buffered DIMM pamětí. Paměti se začnou hromadně vyrábět v první polovině příštího roku. Zdroj: dailytech

Nedávno firma Transcend zařadila do svého portfolia dva nové produkty. Zaprvé je to operační paměť typu SO-DIMM o kapacitě 1GB v modulech DDR2-800. Paměť neobsahuje ECC, používá 16 čipů 64Mx8 v balení FBGA společně s osmivrstvým plošným spojem a vybavena byla také technologií ODT (On-Die Termination), která minimalizuje odrazy sígnálů při vyšších rychlostech. Najdete ji pod označením TS128MSQ64V8J. Druhou novinkou je 44 pinový IFM (IDE Flash Module), tedy elektronický disk o kapacitě 4GB, který je navržen pro speciální typy výpočetních zařízení. Jeho rozměry činí 52 x 29,5 x 6,9mm a zahrnuje podporu funkcí ECC (Error Code Correcting), Auto Sleep, Power Down a také obsahuje světelnou diodu indikující jeho status. Funguje se všemi operačními systémy, jež podporují standard IDE. Zdroj: Digit-Life, Transcend

Samsung, velký inovátor na poli pamětí, nyní přichází s novým typem pamětí nazvaným OneDRAM. Má jít o jakousi "fúzi" pamětí DRAM a SRAM. Nabízí vysoké přenosové rychlosti pro výkonná multimediální mobilní zařízení a eliminuje potřebu samostatných SRAM a DRAM čipů. Nahrazuje oboje. Nové multimediální přehrávače totiž disponují dvěma procesory, jedním, co má na starosti komunikaci, a druhým, který zajišťuje multimédia. Každý měl dodnes svou vlastní paměť. Nyní bude moci každý procesor využívat OneDRAM paměť, v jeden okamžik mohou oba zároveň sahat do paměti. Vzorky zatím tikají na frekvenci 133MHz s kapacitou 512Mbit. Využívají technologii DDR (double data rate). Samsung tvrdí, že by měly být pětkrát rychlejší než dnes používané paměti. Vzhledem k tomu, že v zařízeních bude jen jedna paměť místo dvou, ušetří se místo. To umožní buď integrovat ještě více funkcí při stejné velikosti přístroje nebo jednoduše jeho velikost zmenšit. Rovněž by se měla snížit spotř

Společnost TwinMOS Technologies nedávno představila své nové paměti pro příznivce taktování. Má se jednat o paměti s vysokým výkonem, ty potom nesou názvy TwiSTER DDR2-850, TwiSTER DDR2-800 a TwiSTER DDR2-1066. Frekvence jsou tedy jasné. Co se parametrů těchto DRAM modulů týče, tak všechny nabízí CL5 a jsou vyrobeny v konfiguraci 64Mx8 s technologií FPBGA. Použito je šestivrstvé PCB. O ceně ani přesné dostupnosti se ve zprávě nehovoří. Zdroj. Digit-life

Společnosti OCZ a Corsair dokončují veškeré přípravy a každou chvílí vypustí své 4GB kity operačních pamětí. Zatím jsou nabízeny pouze 2GB kity pamětí. Nové DDR2 667MHz 4GB kity (tedy 2x2GB) se na trhu mají objevit před vypuštěním operačního systému Windows Vista. Na trhu se tedy zřejmě objeví již v lednu příštího roku. Není totiž žádným tajemstvím, že nový operační systém Windows Vista bude na operační paměť velmi náročný. Cena za 4GB kity společností Corsair a OCZ se však po vypuštění bude pohybovat okolo $500 - $600. Zdroj: inquirer

Společnost Super Technology včera rozšířila nabídku svých pamětí. Představeny byly totiž nové registred paměti DDR2-667 s ECC a DDR2-667 FB-DIMM moduly. Paměťové 2GB DDR2-667 ECC Registered DIMM moduly s 240 piny nesou certifikaci Supermicro pro použití v serverově zaměřených deskách s procesory AMD Opteron Dual-Core. Druhá novinka je pro změnu zaměřená na použití v Intel Xeon serverech. Dostupné budou 512MB, 1GB a 2GB varianty těchto pamětí.. Novinky nabízí časování CL 5 a doživotní záruku. Cena v OEM balení 2GB verze bude zřejmě $350. Zdroj: dailytech

Společnost Corsair rozšiřuje nabídku svých FB-DIMM (Fully Buffered) paměťových modulů. Jedná se o DDR2 paměti na frekvenci 667MHz podporující například výkonné dvoujádrové Xeon platformy společnosti Intel. Jedná se o nízkoprofilové 240 pinové paměti s CRC a ECC opravováním a detekcí chyb. Modelové číslo 2GB modulu je CM75FB2048-667 a navíc bude dostupná i 1GB varianta. Samozřejmostí je pak i doživotní záruka a technická podpora. Zdroj: digit-life

Společnost Transcend Information oznámila vypuštění nových paměťových modulů. Tyto Hi-Speed DDR2-533 Micro-DIMM nabídnou kapacitu 1GB a určeny mají být především pro notebooky. Jedná se o paměti s 214 piny, oproti klasickým SO-DIMM modulům jsou rozměry údajně menší až o 40% při zachování kapacity. Paměti pracují s napětím 1,8V a nesou modelové číslo TS128MMQ64V5Q. Nabízeny budou také v nižších kapacitách a to jako 512MB modul a 256MB modul. O ceně se ve zprávě nehovoří. Zdroj: digit-life

Společnost Apacer Technology představila své nejnovější paměti DDR2 na frekvenci 667MHz a 533MHz. Jedná se o DIMM moduly s ECC. Společnost vidí uplatnění ve výkonných serverech. Nové registred moduly nabídnou kapacitu 4GB a organizovány jsou jako 512Mx4 BGA a k vylepšení tepelného rozvodu a zvýšení stability slouží Fine Pitch Ball Grid Array. Již dříve společnost představila a přivedla na trh modul s kapacitou 512MB, 1GB a 2GB. Moduly mají 240 pinů a dodávány jsou s doživotní zárukou. Zdroj: apacer

Není to tak dlouho, co společnost Foxconn začala nově s výrobou grafických karet. Nyní se začínají objevovat spekulace, že by mohla vyrábět i paměťové moduly. Zdá se totiž, že se Foxconn chce spojit se společností A-Data, která na trhu paměťových modulů působí již nějaký ten pátek. Foxconn však informaci o plánovaném spojení popřel, nicméně jistá jednání probíhají a potvrdil to i sám ředitel společnosti A-Data. Na to jak se situace nakonec vyvine, si však ještě nějaký čas budeme muset počkat. Zdroj: www.digitimes.com, www.techreport.com

Společnost TwinMOS Technologies představila své nové nízkopofilové (Very Low Profile) paměťové moduly. Tyto DIMM moduly budou určeny především pro servery. Nabízeny budou v kapacitě 2GB a používají DDR2 čipy 128Mx4x36 na micro PCB rozměrů 133,35 x 18,3mm. To by mělo pomoci zvýšit rozšiřitelnost pamětí v serveru a jejich chlazení. O detailní ceně či dostupnosti těchto nových VLP-DIMM modulů se ve zprávě nehovoří. Zdroj: digit-life

Pro vyznavače přetaktování přichází známá společnost Mushkin s paměťmi typu DDR2 na taktu 1066MHz. Ty se dodávají buď v podobě samostatných modulů o velikosti 512MB nebo 1024MB, ale je možné si je zakoupit i v dual channel kitech po 2x 512MB a 2x 1024MB. Na samotné operační frekvenci by nebylo nic zajímavého, však podobné paměti nabízí řada dalších výrobců, ale XP2-8500 nabízí časování 5-5-4-12, což není na jejich rychlost vůbec špatné. Avšak je třeba, aby bylo modulům dodáno napětí minimálně 2,2V (nebo dokonce 2,4V), kterážto hodnota je uvedena i ve specifikacích. Muskin se pochlubil, že zájem o tyto paměti už projevila řada společností, mezi nimiž nechybí Apple a agentura NASA. Zdroj: TheInquirer

United Microelectronics Corporation, stěžejní společnost na poli polovodičů, včera oznámila, že vyprodukovala své první 45nm SRAM paměti. Tato technologie přináší do procesu výroby nové materiály i nové postupy a firma je na své prvenství patřičně hrdá. Avšak nezmínila se o tom, kdy se chystá uvést nový postup do komerční podoby. Místo zrodu 45nm SRAM od UMC - FAB 12A, Tainan, Taiwan Firma k výrobě využila tzv. ponořené litografie, která dovoluje jemnější optické rozlišení, ale zase klade vysoké nároky na čistotu vody mezi optikou a 300mm waferem. Dále byly použity poslední technologické výkřiky jako low-k dielektrika (k=2,5), 'ultra shallow junction' a další techniky. Díky výraznému zmenšení čipu se i snížilo napětí potřebné k uživení pamětí, což je další předpoklad pro příznivý vývoj mobilních zařízení. Oproti 65nm technologii se také buňky zmenšily o 50% a výkon navýšil o 30%. UMC nyní pracuje na tom, aby 45nm technologii připravil pro adopci svými zákazníky. Zdroj