Články s výrobcem Micron (strana 7 z 9)

Již v roce 2011 jsme se dozvěděli o nových typech počítačových pamětí Hybrid Memory Cube (HMC), které chtěl vyvíjet Micron společně s firmou Samsung. Nyní je to právě Micron, jenž svým partnerům začal rozesílat vzorky nových 2GB pamětí, jež označil za průlomové. HMC má oslovit ty firmy, které hledají paměti s vyšší propustností, hustotou dat a energetickou efektivitou, tedy v podstatě všechny stojící o inovace. Myšlenka stojící za vytvořením pamětí HMC je poměrně prostá. Jedná se o navrstvené paměťové čipy spojené vertikálně pomocí množství tzv. Through-Silicon Via (TSV) - vertikálně vedených spojů. Vzorky nových pamětí se tak skládají ze čtyř 4Gb čipů DRAM spojených do jednoho pouzdra s kapacitou 2 GB. V porovnání s tradičním řešením s čipy na desce vedle sebe se má takto ušetřit 70% energie a přitom Micron slibuje propustnost 160 GB/s. Snadnější má být také implementace těchto pamětí a jejich základních funkcí, přičemž ony samy se mají postarat také o EC

Z dřívějších zpráv jsme se mohli dozvědět, že japonská Elpida bojující o svou budoucnost nakonec skončí pod křídly amerického Micronu, který dnes ohlásil, že tato akvizice byla právě dokonána. Celé jmění firmy Elpida tak přešlo do jeho vlastnictví, a to na základě dohody z 2. července minulého roku. Za uplynulý rok se také společnost Elpida reorganizovala pod dohledem Tokijského soudu. Krom toho také Micron odkoupil 24 procent akcií firmy Rexchip Electronics Corporation od Powerchip Technology. Pod Micron tedy přešla i Hiroshimská továrna Elpidy na výrobu paměti DRAM, která využívá 300mm wafery a také další vlastnictví tétp firmy, které zahrnovalo 65% podíl ve firmě Rexchip a další podobná továrna na Tchaj-wanu a pak také 100% podíl ve společnosti Akita Elpida Memory s montážním a testovacím podnikem v japonské Akitě. Nyní tak Micron vlastní celkem 89 % akcií firmy Rexchip a díky dvěma novým továrnám si navýšil produkci o více než 185000 wafferů s průměrem 300 mm za měsíc. To

Micron Technology se pochlubil svými nejnovějšími paměťmi NAND Flash, které jsou zatím jako vzorky vyráběny 16nm procesem v podobě čipů s buňkami MLC (Multi-Level Cell) s kapacitou 128 Gb (16 GB). Micron nezapomněl uvést, že využitý 16nm proces je nejpokročilejší na světě nejen při výrobě pamětí Flash, ale i jakékoliv jiné polovodičové součástky. Až se nové 128Gb 16nm paměti Micron dostanou do sériové výroby, pak mají zamířit do spotřebních zařízení, jako jsou běžné modely SSD a Flash disků, paměťové karty, mobilní zařízení, ale také se uplatní v datových cloudových centrech. Jejich výhodou je samozřejmě vysoká hustota dat, a tak i nízká výrobní cena, přičemž na jeden wafer se vejdou paměti s celkovou kapacitou téměř 6 TB. A jak to bude s nimi v blízké budoucnosti? Momentálně tedy Micron vyrábí vzorky pro své obchodní partnery a plánuje, že masová produkce odstartuje někdy ve čtvrtém kvartálu tohoto roku. Sám již začal také vyvíjet novou řadu SSD založených na

Společnost Micron je známým výrobcem elektronických pamětí, na jejichž výrobě spolupracuje také s Intelem. Nyní se ale Micron sám pochlubil svými světově nejmenšími paměťovými čipy NAND Flash, které nabídnou kapacitu 128 Gb. Jedná se o čipy vyráběné 20nm procesem a zajímavé na nich je, že nejde o paměti s buňkami SLC či MLC, které by byly schopny uchovat po jednom či dvou bitech informace, ale o TLC (Triple-Level Cell) schopné uchovat rovnou tři bity informace na buňku. To se samozřejmě významně podepsalo na jejich velikosti a kapacitě. Na ploše 146 mm čtverečných tak nabídnou kapacitu 128 Gb (16 GB), což je v porovnání s 20nm čipy MLC NAND Flash o 25 procent méně. Micron s nimi míří především na trh s USB flash disky a paměťovými kartami, které se mají v tomto roce podílet 35 procenty na celkové prodané kapacitě NAND Flash. V této době Micron začíná dodávat vzorky svým zákazníkům a produkci ve velkém chce spustit v druhém čtvrtletí. Zdroj: TZ Micron

Není to tak dávno, co společnosti Hynix a IBM oznámily spolupráci na vývoji paměti Phase Change RAM (PCRAM), ovšem Micron Technology již oznámil, že má připraveny paměti, které označuje jako Phase Change Memory (PCM), pro prodej ve velkých objemech. Vyrábí je pomocí 45nm procesu a jedná se konkrétně o 1Gb PCM plus 512Mb LPDDR2 (DDR2 pro nízké napětí) ve vícečipovém pouzdru. Micron je tak nyní jedinou firmou na světě, která dokáže ve velkém dodávat na trh paměti Phase Change RAM, i když již v roce 2010 Samsung sliboval, že jeho PCRAM se už chystají na trh. Přitom slibuje, že tyto paměti přinesou vysoký výkon, velmi nízkou spotřebu, naopak vysokou spolehlivost a také umožní zjednodušení vývoje aplikací. Rozhraní mezi PCM a LPDDR2 je navíc plně kompatibilní se standardy organizace JEDEC. Co je Phase Change Memory? Jedná se o typ tzv. nevolatilní (stálé) paměti RAM, čili paměti s libovolným přístupem, která nepotřebuje být neustále napájená, aby udržela informaci. Má tak spojit v

Dle zatím oficiálně nepotvrzených informací dopadly námluvy Micronu, který se ucházel o problémovou Elpidu, pozitivně a tento americký výrobce opravdu získal posledního japonského výrobce DRAM. My jsme se naposled zmiňovali o tom, že Micron zvýšil svou nabídku a v reakci na to firmy Toshiba a SK Hynix z jednání vycouvaly, nebo snad byly vyřazeny poskytnutím exkluzivity Micronu. Zástupce Elpidy totiž mělo zaujmout to, že se Micron zavázal ponechat stávající stavy zaměstnanců. Nyní se již říká, že padlo konečné rozhodnutí, dle nějž Micron zaplatí 200 miliard jenů, tedy asi 2,5 miliardy dolarů. Z toho 140 miliard půjde přímo do kapes věřitelům Elpidy, což znamená, že 67 procent jejího dluhu nakonec nebude splaceno. Ostatní peníze půjdou na účty obchodních partnerů a smluvních dodavatelů. Společnost Micron se díky tomu stane druhým největším výrobcem pamětí DRAM na světě a prý se chystá do továren Elpidy investovat 100 miliard jenů, aby mohl zvýšit produkci pamětí LPDDR, LP

Společnost Elpida jsme opustili na konci února, kdy poslední zprávy hovořily o tom, že ji čeká restrukturalizace pod přísným dohledem přiděleného správce. Od té doby o tohoto posledního japonského výrobce pamětí DRAM projevily zájem firmy Micron, Toshiba a SK Hynix. A nyní se zdá, že Elpidu nejspíše získá americký Micron, neboť ten zvýšil svou předchozí nabídku, přičemž firmy Toshiba a SK Hynix se prý v reakci na to z jednání stáhly. Micron je prý připraven za Elpidu zaplatit 2,5 miliardy USD a přitom slibuje, že ponechá japonské továrny otevřené a ani nebude propouštět. Tato nabídka celkem pochopitelně oslovila Yukio Sakamota (CEO Elpidy), který je připraven dále jednat. Pokud celá věc klapne, pak Micron předhoní firmu Hynix co se týče podílu na trhu DRAM a zaujme druhé místo hned za neohroženým Samsungem. To by byla jistě dobrá zpráva už jen proto, že by se trošku otřásla pozice obou zmíněných korejských firem. Ale nezapomínejme, že to, co dostalo Elpidu až před toto kr

Dnešní doba je pro výrobce počítačových pamětí typu DRAM velmi těžká kvůli neúprosné konkurenci, která způsobila výrazný propad cen. Nebylo by tedy divné, kdyby společnosti Micron, Elpida a Nanya opravdu jednaly o svém spojení, jak udávají japonské noviny Yomiuri. Iniciátorem snah o spojení má být poslední japonský výrobce DRAM, společnost Elpida Memory, která do této akce chce zatáhnout americký Micron Technology a tchaj-wanskou firmu Nanya Technology. Ve výsledku by tak vznikla obří firma, jež by měla na trhu silné postavení, aby mohla konkurovat společnostem jako Samsung Electronics a Hynix Semiconductor. Ony tři společnosti zatím nevydaly oficiální vyjádření, ovšem prezident Elpidy Yukio Sakamoto prý minulý týden v USA jednal se zástupci firmy Micron. Není tedy jisté, zda takové rozhovory opravdu probíhají, natož to, kdy by dohoda asi tak mohla být uzavřena. Zdroj: techPowerUp

Společnosti IBM a Micron Technology oznámily, že začnou produkovat nové 3D paměťové čipy s využitím výrobní technologie CMOS a s pomocí tzv. Through-Silicon Vias (TSV), tedy datových spojení mezi jednotlivými navrstvenými čipy. Výsledkem budou 3D čipy Hybrid Memory Cube slibující i 15násobnou datovou propustnost v porovnání s dnešními technologiemi. Myšlenka za HMC je tedy jednoduchá. Jedná se o na sebe navrstvené samostatné čipy DRAM, které jsou propojeny vertikálními spoji, což ve výsledku vytvoří trojrozměrnou strukturu. IBM se chystá prezentovat svůj průlom s využíváním TSV na akci IEEE International Electron Devices Meeting ve Washington DC, a to již tento den. Čipy HMC budou vyráběny v továrně IBM, která je umístěna v East Fishkill (New York), a to s pomocí 32nm procesu high-K metal gate (HKMG). Prozatimní prototypy dosahují propustnosti 128 GB/s, což je přesně desetkrát více než moderní čipy DRAM. Navíc potřebují o 70 procent méně energie a samozřejmě mají též výhodu v

Společnosti Samsung a Micron, které jsou známí výrobci (nejen) počítačových pamětí, hodlají dle vlastních slov zbořit hranice omezující dnešní paměti používané jako RAM, a sice čipy DDR3. Dosáhnout toho chtějí pomocí technologie Hybrid Memory Cube a již také založily příslušnou organizaci Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC). Jejím úkolem je vyvíjet a prosazovat otevřené specifikace pro rozšíření technologie HMC, která využívá jednoduchou myšlenku o vrstvení jednotlivých čipů DRAM a jejich vzájemné propojení. To má přinést výrazné zvýšení výkonu takových pamětí při snížené energetické náročnosti. Konkrétně mají takové paměti být 15x rychlejší než dnešní DDR3 a spotřebovat o 70 procent méně energie. Robert Feurle (Micron - Vice President for DRAM Marketing) oznámil, že tyto HMC mají redefinovat budoucnost počítačových pamětí a příslušné sdružení má zajistit jejich velmi rychlé rozšíření. Svou podporu již vyjádřily firmy Altera Corp., Open Silicon či Xilinx a dalš

Momentálně hýbe světem SSD přechod na nové paměti Flash vyráběné 25nm procesem, který se bohužel neobešel bez problémů týkajících se kapacity a životnosti. Bude proto velmi zajímavé sledovat, jak proběhne vývoj nových typů paměti, jež vyvíjí Intel společně s Micronem v jejich společném podniku IM Flash Technologies. Jedná se o 8GB (64Gb) čipy NAND Flash s buňkami MLC, které firma bude tvořit pomocí 20nm procesu. Na světě jsou již první vzorky zabírající plochu 118 mm čtverečních, což znamená 30 až 40% úsporu místa na waferech v porovnání s 25nm čipy o stejné kapacitě. Dle tvůrců budou mít tyto nové paměti podobný výkon i životnost jako předchozí generace a samozřejmě bude velmi záležet na tom, co se přesně pod oním slovem 'podobný' skrývá. Doufejme, že především počet mazacích-zapisovacích cyklů příliš neklesne. Produkce ve velkém má začít v druhé polovině tohoto roku, ovšem samotné výsledné produkty čekejme spíše až v příštím roce. Zdroj: TCM

Micron, spojenec Intelu na poli SSD, vyrukoval s vlastní novou řadou 2,5" RealSSD C400, která podporuje rozhraní SATA 6 Gbps a využívá kontroler Marvell, takže půjde o obdobu nových Intel SSD 510 Series. Na rozdíl od Intelu se ale Micron rozhodl využít nové 25nm čipy MLC NAND Flash a ne starší 34nm, díky čemuž by měl své modely nabízet za nižší cenu. Ovšem na druhou stranu se 25nm paměti potýkají s kratší životností, i když hodnota MTBF byla i tak stanovena na 1,2 milionu hodin. Co se týče rychlostí, pak Micron uvádí maximálně 415/95 MB/s (64GB verze), 415/175 MB/s (128GB) a 415/260 MB/s (512GB). A co se týče IOPS (4kB náhodné čtení/zápis), pak ty jsou na hodnotách 40000 a 50000, přičemž u 64GB modelu spadnou u zápisu na 20000. Ceny pak byly stanoveny na 130, 245 a 950 USD. Zdroj: TCM

Společnosti Intel a Micron začaly svým partnerům poskytovat první vzorky 25nm pamětí NAND flash typu 3-Bit-Per-Cell (3 bity na buňku), což jsou momentálně paměti NAND flash s největší kapacitou vzhledem k zabranému prostoru. Vyvinula je firma IM Flash Technologies, což je společný podnik Intelu a Micronu a jedná se o 8GB čipy s buňkami MLC (Multi-Level Cell). Již dnes se ale pro tyto paměti schopné držet v jedné buňce 3 bity vžívá název TLC (Triple-Level Cell). Výsledkem je, že oproti normálním 25nm MLC pamětem jsou TLC o 20 procent menší, konkrétně 131 mm2 v pouzdru TSOP. Malé rozměry čipů jsou zvláště důležité u produktů, jako jsou paměťové karty. Do nich by se nové paměti mohly dostat se začátkem příštího roku. Zdroj: X-bit labs

Společnost Micron si připravila novou řadu podnikových pevných disků RealSSD P300, které mají klasickou 2,5" velikost a nabídnou výkon až 60000 IOPS při náhodném čtení a 45200 IOPS při náhodném zápisu. To jsou výborné hodnoty, za něž si Micron dozajista také nechá dobře zaplatit. P300 využívají 34nm paměti NAND Flash s SLC buňkami splňující standard ONFI 2.1. Dále se dočkáme rozhraní SATA 6 Gbps a maximálních rychlostí čtení 360 MB/s a zápisu 275 MB/s. Na základě těchto specifikací říká Dean Klein z firmy Micron, že jde o vůbec nejrychlejší disky s rozhraním SATA. Na trh přijdou v říjnu v kapacitách 50, 100 a 200 GB. Zdroj: TCM

Společnosti Intel a Micron, které dlouhodobě spolupracují na vývoji pokročilých technologií výroby NAND Flash pamětí, oznámily další milník. Je jím výroba příslušných čipů pomocí 25nm technologie vyvinuté firmou IM Flash Technologies (IMFT), již Intel s Micronem společně vlastní. To je jistě dobrá zpráva pro nás, ale již ne tak dobrá pro konkurenty. 25nm 8GB MLC NAND IMFT byla schopná pomocí nového procesu vyrobit 64Gb, tedy 8GB MLC NAND čip, jehož plocha je pouze 167 mm čtverečních. To je o trochu méně v porovnání s plochou 4GB čipu vyrobeného 34nm technologií. Co to znamená, je jasné - více kapacity a nižší cena a navíc se spuštění produkce 25nm 8GB čipů plánuje již na druhé čtvrtletí tohoto roku. Zdroj: TCM

Společnost Micron přichází s novým RealSSD C300, což je světově první SSD, které využívá rozhraní SATA 6 Gbps. K dispozici budou kapacity 128 a 256 GB a co se týče přenosových rychlostí, pak čtení dosáhne až 355 MB/s a zápis 215 MB/s, takže implementace nového typu SATA má smysl. RealSSD C300 využívá paměti NAND flash typu MLC vyráběné 34nm procesem a podporuje standard ONFI 2.1, díky čemuž mají paměti se SATA 6 Gbps držet krok. Disky budou k dispozici ve zmíněných kapacitách a 1,8" a 2,5" velikostech. Momentálně jsou produkovány zkušební vzorky a komerčně bude dostupný někdy v prvním kvartálu přístího roku. Zdroj: X-bit labs

Společnosti Intel a Micron oznámily, že úspěšně dokončily vývoj nových pamětí typu NAND flash, které využívají technologii dovolující uložení 3 bitů do jedné paměťové buňky (technologii Micron označuje jako 3bpc - 3 bits per cell). Ty budou využity v nových 32Gb MLC čipech, které za začnou vyrábět 34nm technologií a ještě tento rok se navíc mají začít tyto paměti vyrábět technologií pod 30 nm. Je to tedy významný milník ve vývoji pamětí NAND flash, jimž stále a nezadržitelně i tak stoupá hustota dat. Zmíněné čipy zabírají plochu pouze 126 mm2, a se svou kapacitou jsou tak ještě levnější na výrobu, což se nám jako zákazníkům musí zamlouvat. Ještě dříve v tomto roce ale firmy SanDisk a Toshiba představily 64Gb NAND flash paměti se 4 bity na buňku, avšak zatím k jejich výrobě používají 43nm technologii, takže Intel s Micronem mají trošku navrch ve výrobní technologii. Není ale jasné, zda mají také navrch co se týče výrobních nákladů Micron momentálně vyrábí vzork

Společnost Micron, jež si nyní hoví na pozici třetího největšího světového výrobce pamětí DRAM, chce dle Tech Connect Magazine rozšířit svou výrobu o paměti pro grafické karty. To by mohlo této firmě dopomoci k lepším ziskům (či spíše nižším ztrátám), protože, jak dnes každý ví, odvětví s paměťmi není pro výrobce zrovna růžovým sadem. Micron totiž v posledním kvartálu, který pro něj skončil 5. března, vykázal ztrátu 751 miliónů amerických dolarů. Firma proto chce začít s výrobou grafických pamětí SDRAM pomocí 50nm technologie a první produkty budou paměti DDR3 s frekvencemi od 1600 MHz výš. Společnost také doufá, že v brzké době získá objednávky od firem AMD a NVIDIA, jimž hodlá nabídnout především nízkou spotřebu. Jak Micron říká, jeho paměti DDR3 potřebují napětí pouze 1,35 V, což je výrazně méně než 1,8 V u klasických GDDR3. Ovšem AMD stále více přechází na využívání typu GDDR5, na něž by se měl Micron také zaměřit, pokud chce v této oblasti něco z

DRAM průmysl byl již delší dobu před celosvětovou krizí velmi kompetitivní a některé firmy byly nuceny vyrábět, i když věděly, že jde spíše o ztrátovou záležitost. V těchto měsících tak přichází to, co muselo přijít. Qimonda hledá investora, jenž by jí pomohl postavit se opět na nohy, asijští výrobci využívají státní pomoc a další známý vyrobce, společnost Micron, byl nyní nucen zavřít továrnu v Boise, Idaho. Ta však vyráběla postarší paměti na 200mm waferech. To v nejbližší době připraví 500 lidí o práci a do konce fiskálního roku společnosti to bude až 2000. Tyto změny byly oznámeny až teď, a nezapočítávají se tedy do dříve oznámeného propouštění 15 procent pracovní síly. Společnost však bude v Boise pokračovat ve vývoji s použitím 300mm waferů a k tomu s dalšími aktivitami (design, jiná výroba, služby, atp.). Zdroj: X-bit labs

Známé společnosti Micron a Nanya oznámily, že spolupracují na vývoji nízkonapěťových pamětí DDR2, které budou využitelné u mobilních zařízení. Jedná se o typ LPDDR2 DRAM, jež mají mít zezačátku kapacitu 1 Gb, poběží při napětí 1,2 V, a mají tak nabídnout spotřebu o 50 procent nižší oproti LPDDR1. Oba zástupci firem, John Schreck (viceprezident DRAM designu, Micron) a Joe Ting (viceprezident, Nanya), se shodují na tom, že jejich nové LPDDR2 jsou důležité pro navýšení výkonu a snížení nároků na spotřebu. Obě firmy hodlají i nadále spolupracovat na budoucích verzích pamětí DRAM. Zdroj: techPowerUp!

Americká společnost Micron Technology patří řadu let mezi dvacet největších výrobců v oblasti polovodičů (15. místo v roce 2007). Největší část produkce tvoří paměti DRAM, FLASH, SDRAM a CMOS. Z pohledu jejich ekonomů bude první čtvrtletí 2009 pro společnost doslova fiasko. Obr.01 – Logo výrobce Původní odhady mluvily o ztrátě $ 0,45 centů na akcii. Bohužel klesající poptávka donutila snížit cenu DRAM modulů o 34 % a podobně na tom byla i cena FLASH pamětí – ta klesla o 24 % (oproti předchozímu čtvrtletí). Největší pesimisté odhadují znehodnocení jedné akcie až o $ 0,91 centů. Výsledný odhad ztrát je tedy $ 706 miliónů, loni byl na stejné období odhadován zisk $ 212 miliónů. Obr.02 – Paměťové moduly Polovodičový průmysl prožívá nejhorší období v historii. Přední taiwanští výrobci jako Inotera Memories, Nanya Technology, Powerchip Semiconductor Corporation (PSC) a ProMOS odhadují celkovou ztrátu mezi $ 606 – $ 908 miliony za čtvrtý kvartál 2008. Zdroj: TG Daily 1

Jedním z problémů pamětí NAND Flash dneška je omezený počet zapisovacích cyklů, což se řeší například systémem "wear levelling", tedy rovnoměrným využitím všech dostupných buněk. Společnosti Sun Microsystems a Micron Technology však nyní spojují síly, aby zvýšily životnost SLC (Single-Level Cell) buněk u NAND Flash pamětí. To prozatím vyústilo v buňky schopné dosáhnout celkem jednoho miliónu zapisovacích cyklů, což je zatím nejvíc ze všech typů NAND Flash. Micron prozatím produkuje vzorky těchto paměťových čipů s kapacitou 32 Gb, přičemž výroba ve velkém je plánována již na první kvartál příštího roku. A kromě toho se brzy v příštím roce představí také nové SLC i MLC NAND Flash vyráběné Micronem pomocí 34nm procesu. Zdroj: TZ Micron

Známý výrobce úložných řešení založených na flash pamětech, společnost Micron, představila svoji novou SSD kartu. Ta se připojuje přes slot PCI Express x8 a uživatelům nabízí rychlost více než 1 GB/s. Společnost konkrétně na serveru YouTube prezentovala testy, kdy jedna SSD karta dosahovala 800 MB/s a 150 000 IOPS (I/O operací za vteřinu). Konfigurace dvou karet pak dosahovala rychlosti 1 GB/s a 200 000 IOPS. Společnost dodává, že řešení dvou SSD karet bude brzy dostupné, cena však není zatím ani přibližně známa. Zdroj: TGdaily