Články s výrobcem Micron (strana 8 z 9)

Společnost Micron se v pondělí svěřila, že s velkovýrobou svých dlouho očekávaných disků RealSSD C200 s kapacitou 256 GB začne až na začátku příštího roku, konkrétně do března. Intel také již právě s Micronem začal s masovou produkcí 34nm NAND flash, avšak ty nemají být v nových SSD přítomny, takže snad příště. Dle předběžných informací půjde o 2,5palcové SSD s rozhraním SATA 300, rychlostí čtení 250 MB/s a zápusem 100 MB/s, což jsou podobné specifikace, jako nabízí již představené Intel X25, které si již našly cestu do našich testů. RealSSD C200 jinak využíjí MLC (multi-level cell) čipy NAND flash a jejich hlavním soupeřem se stanou právě asi X25. Zdroj: techPowerUp!

Společnosti Intel Corporation and Micron Technology oznámily, že společně začaly s výrobou NAND flash pamětí pomocí 34nm procesu. Jedná se o 32Gb MLC (Multi-Level Cell) čipy vyvinuté a vyráběné IM Flash Technologies, což je firma vlastněná právě Intelem a Micronem. Na trhu se tak objevují první 3Gb NAND flash pasující do 48pinového TSOP pouzdra. Intel a Micron tak předběhli svůj plán a očekávají, že jejich továrna v Lehi ke konci roku bude 50 procent svých produktů vyrábět právě 34nm procesem. Tyto čipy budou tvořeny na 300mm waferech a jeden z nich zabere plochu pouze 172 mm2. Využijí se tak především pro digitální fotoaparáty, hudební přehrávače a digitální kamery. Navíc se zcela jistě uplatní také v SSD discích. Zdroj: techPowerUp!

Společnosti Micron Technology a Qimonda se v blízké budoucnosti s velkou pravděpodobností oficiálně sloučí. Kupříkladu čistá ztráta Micronu dosáhla ve čtvrtém čtvrtletí fiskálního roku 2008 celkem 344 milionů amerických dolarů, tedy 45 centů na akcii, při příjmech 1,45 miliardy. Jednalo se již o sedmé čtvrtletí ve ztrátě, za celý fiskální rok 2008 dosáhla tato 1,6 miliardy (2,1 dolaru na akcii) při prodejích 5,8 miliardy. Qimonda je na tom podobně, ač zejména díky čipům GDDR5 a některým úsporám se jí má začít dařit; výsledky za minulé čtvrtletí však ještě nezveřejnila. Časy jsou nyní pro výrobce DRAM a NAND Flash čipů opravdu tvrdé, proto dle zdrojů blízkých oběma firmám již došlo k podpisu smluv o sloučení a vše by brzy mělo vyjít na veřejnost. Cílem tedy je sloučit výroby a zdroje a zachovat konkurenceschopnost proti Samsungu, který se právě malé výrobce snaží vytlačit z trhu. Hynix i Elpida se snaží udržet si podíl na trhu, v případě Elpidy i díky podpoře z

Společnost Micron Technology si již dle průmyslových zdrojů vybrala své partnery a brzy by měla začít vyrábět vlastní paměťové karty. Stane se tak jedním ze čtyř výrobců (dalšími jsou Samsung Electronics, Toshiba a Hynix Semiconductor), kteří povýšili z pouhého dodavatele NAND Flash čipů na výrobce paměťových médií. Partnerem pro dodávání řadičů se má stát InComm (není však vyloučeno, že později bude Micron odebírat i od jiných společností), partnerem pro výrobu pouzder bude Siliconware Precision Industries Ltd (SPIL), který již dlouhou dobu spolupracuje s Micronem ohledně pouzder pro samotné DRAM a NAND Flash čipy. SPIL dostal objednávku na paměťové karty od Micronu v prvním čtvrltetí roku, kdy se výrobce rozhodl nedodávat pouze čipy, ale vyrábět i vlastní karty z důvodu snižující se poptávky po čipech ze strany výrobců paměťových karet kvůli větší nabídce čipů i hotových karet na trhu a nižším cenám, jakožto většímu tlaku konkurence. Paměťové karty od Mi

Společnost Micron rozšiřuje nabídku SSD (solid state drive) o nové modely, kterými chce zaujmout i pomocí ceny. Jedná se o MLC (multi-level cell) model nesoucí plný název RealSSD C200, který nabízí kapacitu 256 GB či RealSSD P200 s kapacitou 128 GB. První model je velikosti 2,5“ a druhý 1,8.“ Oba pak shodně nabízí rozhraní Serial ATA. Rychlost četní je až 250 MB/s a zapisovat můžete rychlostí 100 MB/s. Přesná cena však bohužel nebyla představena, společnost pouze stanovila dostupnost v průběhu čtvrtého čtvrtletí. Zdroj: Dailytech

A zdá se, že to těmto firmám nebude dlouho trvat. Micron Technology a Nanya Technology, známé společnosti z oblasti pamětí DRAM a flash, oznámily, že již podepsaly smlouvu o vytvoření firmy se společnou majetkovou účastí. Ta dostala název MeiYa Technology. Toto partnerství má zhodnotit výrobní technologie, kapacity a zkušenosti obou firem. Součástí dohody je, že taiwanská továrna firmy Nanya bude vylepšena pro výrobu 300mm waferů (nyní se pracuje s 200mm pláty), což se má dokončit v roce 2009. Firmy také hodlají budoucí technologie vyvíjet společně a podělit se o ně. MeiYa bude vlastněna pouze Micronem a Nanyí, kde každá společnost bude mít přesně 50% podíl a každá do konce roku 2009 přispěje 550 milióny USD v hotovosti. Zdroj: X-bit labs

Společnost Micron začala dodávat vzorky nejrychlejších DRAM pamětí pro mobilní zařízení např. typu handheld nebo jiná zařízení s rozsáhlou výbavou a požadavkem na vysoký výkon nejrůznějších výpočtů, zejména multimediálního charakteru. Tyto čipy mají kapacitu 512 Mbit a běží na frekvenci 200 MHz (vzhledem k tomu, že využívají DDR přenosy, mají efektivní frekvenci 400 MHz). Splňují standard JEDEC s I/O napětím 1,8 V. K dispozici budou i 1,2 V verze se zlepšenou kvalitou signálu. Čipy jsou schopny provozu v teplotách od -40°C do +85°C. Zdroj: www.digit-life.com, www.micron.com

Společnosti Intel a Micron oznámily, že bychom se již zanedlouho mohli dočkat NAND flash pamětí s rychlostí označovanou jako 5x. To má znamenat, že budou asi pětkrát rychlejší, než jsou dnešní paměti tohoto typu, což začíná být velmi zajímavé. Nová technologie má dovolit rychlost čtení 200 MB/s a zápisu 100 MB/s, tedy podstatné zvýšení z hodnot 40 a 20 MB/s dnešních SLC (Single Level Cell) NAND čipů. Takové navýšení rychlosti umožnily také nové ONFI 2.0 standardy skupiny Open NAND Flash Interface Working Group, jež využívají DDR signálování a vyšších frekvencí. Firmy dle vlastních slov pracují na tom, aby se nová technologie co nejdříve dala využít v praxi, což se dotýká také konzumní elektroniky a počítačů. Nikdo však neřekl, kdy přesně se my jako koncoví zákazníci nové technologie dočkáme. Zdroj: DailyTech

Společnost Micron začala dodávat vzorky svých nových paměťových čipů DRAM DDR2, které jsou vyráběny úspornější 68nm technologií. Proces nazvaný 6F2 nahradí má nahradit současnou 80nm výrobu. Nové čipy při kapacitě 1 Gb zaberou plochu pouze 56 mm2, díky čemuž Micron zvýší výtěžnost z waferů, a tedy sníží náklady. Důležitá je také snížená spotřeba, dle společnosti až o dvacet procent, což se projeví hlavně v mobilních zařízeních a ve velkých datových centrech s množstvím uzlů osazených velkým počtem pamětí, kam budou směřovány i první dodávky koncových produktů. Masová produkce započne na začátku příštího roku, 68nm DDR3 a další čipy přijdou až v jeho druhé polovině. Zdroj: eeTimes

Snad všechny průzkumy v poslední době hlásí to samé, včetně toho od společnosti Isuppli. Velcí výrobci NAND Flash čipů, jako Hynix Semiconductor, Micron či Intel hromadně zvyšují své zisky. Například příjmy Hynixu se zvýšily ve třetím čtvrtletí o 79,1 % na 806 milionů amerických dolarů. U Micronu to bylo 285,4 milionu dolarů, o 75,5 % více; u Intelu byl nárůst nejnižší, 47,9 % na 132 milionů. Zisky Samsungu byly 1,7 miliardy, firma tak ztratila více jak 5 % trhu, nicméně stále je největším výrobcem. Na druhou stranu však výrobcům klesají zisky z výroby DRAM čipů, někteří jsou i v miliardových ztrátách. Co z toho plyne? Někteří již ohlásili snížení výroby DRAM čipů, jelikož k současné situaci vedla právě čím dál tím větší výroba a tím pádem i nutně nižší ceny. Stejný trend je nyní u Flash, které se zlevňují, kupují se více, a tím ještě více zlevňují. Nicméně jednou narazí na určitou hranici, podobně jako DRAM. Ty se zřejmě zdraží v prvním čtvrtletí rok

Společnost Micron začala s dodávkami vzorků 2Gbit DDR3 čipů, které umožní tvorbu až 8GB nebo 16GB paměťových modulů pro servery a až 4GB modulů pro desktopy. Jedná se o DDR3 čipy, které běží na efektivní frekvenci až 1333 MHz. K výrobě těchto paměťových čipů je používána 78nm technologie. Vyžadují standardní napájení 1,5 V, což je rozhodně pozitivum. Výrobci modulů nyní mohou vyrábět moduly stejné kapacity s polovičním počtem čipů, a při zachování standardního napájecího napětí lze očekávat také nižší výslednou spotřebu. Kdy se začne s masovou výrobou zatím nebylo zveřejněno. Zdroj: www.techspot.com, www.tgdaily.com

Poptávka po pamětech DRAM roste raketovým tempem, za což může z velké části nenasytný systém MS Vista. Semiconductor Industry Association (SIA) potvrdila, že prodej DRAM pamětí se oproti červnu minulého roku, kdy byly prodány paměti za 19,8 miliard amerických dolarů, zvýšil o 2,4 %. Kalifornská společnost Micron Technology zase říká, že průměrná kapacita operační paměti se zvýšila ze 772 MB v minulém roce na 1180 MB letos. Kevin Kilback, manažer v pobočce Micronu v Boise (v americkém státě Idaho), v interviu potvrdil, že klesající ceny DRAM dovolily výrobcům zvýšit kapacity pamětí bez velkého cenového navýšení. Za kvartál končící 31.5. spadly ceny DRAM o 35 %. Kilback dodává, že tahounem prodeje DRAM je systém MS Vista. Ačkoliv zákazníci stále mohou narazit na sestavy s 512 MB operační paměti, většina výrobců sestav k systému doporučuje 2 GB. Očekávaný průměr použité paměti je 1,5 GB v příštím roce. Trh ale táhnou i mobilní telefony, resp. NAND paměti. Spolu s popt

Dnes Micron vyrábí 1Gbit DDR3 čipy 78nm procesem a jsou tak řešením s nejmenším poměrem "cena za bit", poněvadž mají menší plochu než 512Mb DDR2 čipy. Tyto DDR3 čipy již byly validovány společností Intel. Nyní se už začíná hovořit i o 2Gbit čipech. Ty by měly přijít na trh až někdy v průběhu roku 2008 a to jen proto, že po nich zatím není poptávka. Jinak se totiž Micron nechal slyšet, že s jejich výrobou je schopen začít kdykoliv. Zdá se tedy, že se objeví až v průběhu léta 2008 a nejprve budou určeny do serverové oblasti, až poté pro klasická PC. DDR3-1600 čipy budou k dispozici až po přechodu výroby na 68mm. To by mělo nastat někdy v roce 2009. Co se týče zastoupení DDR3 pamětí na trhu, předpokládá se jejich masovější rozšíření až bude rozdíl cen mezi DDR2 a DDR3 pamětmi kolem 10-20%. DDR2 paměti už rozhodně levnější nebudou, jejich cena už nemá žádný prostor kam by mohla klesnout (už nyní je na hranici výrobnách nákladů), spíše se nyní s příchodem

Nová základní deska Gigabyte P35T-DQ6 postavená na chipsetu Intel P35 má nevídané možnosti taktování. Na tomto motherboardu bylo totiž zkoušeno taktování nových DDR3 modulů, konkrétně pamětí Micron DDR3-1066 o kapacitě 1GB. Jak už název napovídá, standardně tyto paměti poběží na 1066MHz. Efektivní frekvence modulů byla zvýšena ze základních 1066MHz až na neuvěřitelných 2080MHz. Časování CL10-10-10-24 je stejně tak neuvěřitelné, ovšem tentokrát v negativním slova smyslu. Jako procesor byl použit ještě nepředstavený Intel Core 2 Duo E6850. Jeho takt byla zvýšen z původní velmi slušné frekvence 3,0GHz na ještě vyšší frekvenci 3,64GHz, což znamenalo takt sběrnice výtečných 520MHz při násobiči 7. Je vidět, že už dnes mají DDR3 paměti dosti vysoký frekvenční potenciál. Zdroj: www.techreport.com

IM Flash Technologies, podnik, jenž vlastní společnosti Intel a Micron, dnes oznámil, že začne se stavbou nové továrny na výrobu 50nm pamětí flash pomocí 300mm waferů. Činí tak především proto, aby dokázali lépe konkurovat na dnešním rychle se rozvíjejícím trhu s těmito paměťmi, kde téměř s polovinou podílu vede Samsung následovaný Toshibou a Hynixem. Nová továrna se tak přidá k již existujícím v Manassasu (Virginia), Boise (Idaho) a momentálně stavěné v Lehi (Utah). Spuštění provozu je plánováno na druhou polovinu roku 2008, v níž se začne na 50nm technologii. Již dnes se v existujících továrnách touto technologií vyrábějí zkušební vzorky pamětí o kapacitě 4Gb. Avšak i přes nové továrný bude úloha Intelu a Micronu těžká. Samsung využívá svého dominantního postavení na trhu a chystá se ještě zrychlit. V září tato společnost potvrdila výrobu prvních 40nm flash čipů a navíc i novou technologii, která dovolí výrobu dokonce 20nm čipů. 32Gb 40nm čipy mají být využity v p

Senzor o šířce 1/5", tedy 5,1mm, nedávno představila firma Micron. Tato CMOS novinka by měla dovolit výrobcům webkamerek a telefonů ještě další zmenšení jejich zařízení. CMOS čip dostal označení MT9M019 a je schopen zachytávat video o rozlišení 1280 x 1024 při 30FPS a 640 x 480 dokonce při 60FPS. Firma udává vysokou citlivost těchto senzorů, jež by se měla pohybovat kolem 1 luxu. Nyní probíhá výroba zkušebních vzorků, ale výroba ve velkém se rozjede již koncem tohoto roku. Zdroj: TG Daily

Společnosti vyrábějící síťová řešení počínají zvedat přenosové rychlosti z 3 na 10Gbps a tato rychlost klade nároky i na paměťové moduly, které se musí přizpůsobit. Micron pro tento účel vyvinul další generaci pamětí, reduced latency DRAM - RLDRAM II. Oproti předešlým pamětem se dvakrát navýšila hustota zápisu i operační frekvence z 400MHz na 533Mhz a přitom snížila latence z 20 na 15ns. RDLRAM II je tedy důležitá pro výrobu 10Gbps zařízení, jež mají uspokojit nároky na propustnost dat, dnes tedy i s rostoucí oblibou hlasových a obrazových. Vybraným zákazníkům Micron již dnes posílá vzorky a s masovou produkcí má začít v prvním kvartálu 2007. Zdroj: Digit-Life

Firmy Intel a Micron spojují své úsilí a chtějí vytvořit podnik se společnou majetkovou účastí, do kterého obě strany ze začátku vloží celých 1.2 miliard dolarů. Cílem je výroba NAND flash pamětí, pro které bude mít užití hlavně Apple, kterážto firma se zatím zavázala odkoupit flash paměti za půl miliardy dolarů. Micron bude vlastnit 51% celého podniku, ale stejně se mohou objevit další hlasy proti Intelu, který se podle mnoha společností chová příliš monopolisticky. Jisté zatím ale je, že podnik s názvem IM Flash začne chrlit flash paměti počátkem příštího roku. Zdroj: TheInquirer

Micron Technology, přední světový výrobce čipů, uvádí na trh dva nové modely CMOS senzorů určených pro mobilní telefony a digitální fotoaparáty. Prvním a výkonnějším z čipů je 5-megapixelový MT9P001, ten se hodí jak pro mobilní telefony tak právě digitální fotoaparáty. Druhý 3.1-megapixelový model MT9T012 je zaměřen především do mobilních telefonů. Oba čipy jsou vyrobeny pomocí 2.2 mikronových prvků, podporují mechanické závěrky a umožňují použít paralelní i sériové rozhraní. MT9P001: CMOS technologie DigitalClarity nízká spotřeba rozlišení 2592 x 1944 bodů formát pro 1 / 2.5“ integrovaný 12-bitový AD převodník na čipu 12 snímků za vteřinu při plném rozlišení MT9T012: CMOS technologie DigitalClarity nízká spotřeba schopnost pracovat za nízkého osvětlení rozlišení 2056 x 1544 bodů formát pro 1 / 3.2“ maximální přenos 64 megapixelů za vteřinu při frekvenci 64MHz PIXCLK 10-bitový AD převodník na čipu maximálně 15 snímků za vteřinu Micron již začal se zkušebními d

Společnost Micron Technology, celosvětový dodavatel pamětí, polovodičových součástek, obrazových snímačů, Flash pamětí a mnoho dalšího, představuje své nízkoprofilové (Very Low Profile) Mini DIMM DDR2 paměti PC2-5300 a PC2-6400. Tyto unbuffered Mini DIMM DDR2 paměťové moduly budou k dostání ve velikostech 256MB, 512MB a 1GB a umožní návrhářům integrovat více modulů zabírajících stejně či méně prostoru. Menší velikost prospívá i lepšímu proudění vzduchu. Využití najdou hlavně v síťových serverech, routerech, hubech, switchích či sítových mostech. Hromadná výroba je plánovaná na čtvrté čtvrtletí tohoto roku a detailní technické informace jsou k dostání v manuálech na stránkách firmy Micron. Zdroje: www.micron.com, www.digit-life.com

Micron Technology uvedl na trh další ze svých pokročilých pamětí, jedná se o velmi nízké moduly VLP (Very Low Profile) s kapacitou 512MB a 1GB. Moduly MT18HTF6472Y-40EB3 s kapacitou 512MB a organizací 64Mbit x 72, a MT18HTF12872Y-40EB4 s kapacitou 1GB a organizací 128Mbit x 72 jsou klasické DDR2 paměti s podporou DDR2 a DDR. Jejich výška ale činí pouhých 18.3 mm, což je téměř třetina oproti klasickým rozměrům. Díky nízké výšce tak mohou výrobci systémů vyrábět menší a výkonnější systémy, případně zajistit lepší chlazení. Cena modulů není zatím známa. Zdroj: http://www.micron.com/products/modules/ddr2sdram/index.html

Společnost Micron oznámila, že je vedoucím výrobcem, který jako jediný v současnosti dodává hromadně paměťové čipy DDR2 o kapacitách 256Mbit, 512Mbit a 1Gbit (však znáte tisková prohlášení). Tyto čipy dovolují výrobu unbuffered i registred DIMM modulů s kapacitami 128MB až 4GB. Ve fiskálním období Q4 2003 (do 28. října) vyrobila společnost čipy DDR2 za $1 milion dolarů a v Q1 2004 plánuje tento zisk zdesetinásobit. Hynix plánuje výrobu 1Gbit DDR2 na první kvartál roku 2004. No, zdá se, že bude při příchodu platformy Grantsdale pamětí DDR2 dostatek. Zdroj: Digitimes

Společnost Micron představila své 256 Mbit paměťové čipy určené k použití s plánovanou čipovou sadou Lindenhurst, jejímž duchovním otcem je společnost Intel. Jedná se o moduly typu PC2-3200, které pracují s taktem 400 MHz. Výrobky odpovídají specifikaci sdružení JEDEC a budu dostupné v těchto kapacitách: Jednokanálová 256 MB Jednokanálová 512 MB Dvoukanálová 512 MB Moduly jsou typu registered a jsou určeny pro použití v serverech. Micron je po společnosti Elpida již druhým výrobcem, který nabízí paměťové moduly pro čipovou sadu Lindenhust. Zdroj: http://www.digit-life.com

Společnost Micron dodala první paměti GDDR3 pro ATI a nVidia. Ty jsou vyráběné 110 nm technologií a jedná se (v současné době) o nejrychlejší paměti na trhu. Na vývoji těchto pamětí spolupracoval Micron právě s ATI a sdružení JEDEC sleduje standardizaci DRR3 (za kolik měsíců/let se asi dočkáme finální specifikace?). Micron se celosvětově druhý největší výrobce pamětí s 19,6% globálního trhu.