Články s výrobcem Micron (strana 8 z 9)

Společnost Micron, jež si nyní hoví na pozici třetího největšího světového výrobce pamětí DRAM, chce dle Tech Connect Magazine rozšířit svou výrobu o paměti pro grafické karty. To by mohlo této firmě dopomoci k lepším ziskům (či spíše nižším ztrátám), protože, jak dnes každý ví, odvětví s paměťmi není pro výrobce zrovna růžovým sadem. Micron totiž v posledním kvartálu, který pro něj skončil 5. března, vykázal ztrátu 751 miliónů amerických dolarů. Firma proto chce začít s výrobou grafických pamětí SDRAM pomocí 50nm technologie a první produkty budou paměti DDR3 s frekvencemi od 1600 MHz výš. Společnost také doufá, že v brzké době získá objednávky od firem AMD a NVIDIA, jimž hodlá nabídnout především nízkou spotřebu. Jak Micron říká, jeho paměti DDR3 potřebují napětí pouze 1,35 V, což je výrazně méně než 1,8 V u klasických GDDR3. Ovšem AMD stále více přechází na využívání typu GDDR5, na něž by se měl Micron také zaměřit, pokud chce v této oblasti něco z

DRAM průmysl byl již delší dobu před celosvětovou krizí velmi kompetitivní a některé firmy byly nuceny vyrábět, i když věděly, že jde spíše o ztrátovou záležitost. V těchto měsících tak přichází to, co muselo přijít. Qimonda hledá investora, jenž by jí pomohl postavit se opět na nohy, asijští výrobci využívají státní pomoc a další známý vyrobce, společnost Micron, byl nyní nucen zavřít továrnu v Boise, Idaho. Ta však vyráběla postarší paměti na 200mm waferech. To v nejbližší době připraví 500 lidí o práci a do konce fiskálního roku společnosti to bude až 2000. Tyto změny byly oznámeny až teď, a nezapočítávají se tedy do dříve oznámeného propouštění 15 procent pracovní síly. Společnost však bude v Boise pokračovat ve vývoji s použitím 300mm waferů a k tomu s dalšími aktivitami (design, jiná výroba, služby, atp.). Zdroj: X-bit labs

Známé společnosti Micron a Nanya oznámily, že spolupracují na vývoji nízkonapěťových pamětí DDR2, které budou využitelné u mobilních zařízení. Jedná se o typ LPDDR2 DRAM, jež mají mít zezačátku kapacitu 1 Gb, poběží při napětí 1,2 V, a mají tak nabídnout spotřebu o 50 procent nižší oproti LPDDR1. Oba zástupci firem, John Schreck (viceprezident DRAM designu, Micron) a Joe Ting (viceprezident, Nanya), se shodují na tom, že jejich nové LPDDR2 jsou důležité pro navýšení výkonu a snížení nároků na spotřebu. Obě firmy hodlají i nadále spolupracovat na budoucích verzích pamětí DRAM. Zdroj: techPowerUp!

Americká společnost Micron Technology patří řadu let mezi dvacet největších výrobců v oblasti polovodičů (15. místo v roce 2007). Největší část produkce tvoří paměti DRAM, FLASH, SDRAM a CMOS. Z pohledu jejich ekonomů bude první čtvrtletí 2009 pro společnost doslova fiasko. Obr.01 – Logo výrobce Původní odhady mluvily o ztrátě $ 0,45 centů na akcii. Bohužel klesající poptávka donutila snížit cenu DRAM modulů o 34 % a podobně na tom byla i cena FLASH pamětí – ta klesla o 24 % (oproti předchozímu čtvrtletí). Největší pesimisté odhadují znehodnocení jedné akcie až o $ 0,91 centů. Výsledný odhad ztrát je tedy $ 706 miliónů, loni byl na stejné období odhadován zisk $ 212 miliónů. Obr.02 – Paměťové moduly Polovodičový průmysl prožívá nejhorší období v historii. Přední taiwanští výrobci jako Inotera Memories, Nanya Technology, Powerchip Semiconductor Corporation (PSC) a ProMOS odhadují celkovou ztrátu mezi $ 606 – $ 908 miliony za čtvrtý kvartál 2008. Zdroj: TG Daily 1

Jedním z problémů pamětí NAND Flash dneška je omezený počet zapisovacích cyklů, což se řeší například systémem "wear levelling", tedy rovnoměrným využitím všech dostupných buněk. Společnosti Sun Microsystems a Micron Technology však nyní spojují síly, aby zvýšily životnost SLC (Single-Level Cell) buněk u NAND Flash pamětí. To prozatím vyústilo v buňky schopné dosáhnout celkem jednoho miliónu zapisovacích cyklů, což je zatím nejvíc ze všech typů NAND Flash. Micron prozatím produkuje vzorky těchto paměťových čipů s kapacitou 32 Gb, přičemž výroba ve velkém je plánována již na první kvartál příštího roku. A kromě toho se brzy v příštím roce představí také nové SLC i MLC NAND Flash vyráběné Micronem pomocí 34nm procesu. Zdroj: TZ Micron

Známý výrobce úložných řešení založených na flash pamětech, společnost Micron, představila svoji novou SSD kartu. Ta se připojuje přes slot PCI Express x8 a uživatelům nabízí rychlost více než 1 GB/s. Společnost konkrétně na serveru YouTube prezentovala testy, kdy jedna SSD karta dosahovala 800 MB/s a 150 000 IOPS (I/O operací za vteřinu). Konfigurace dvou karet pak dosahovala rychlosti 1 GB/s a 200 000 IOPS. Společnost dodává, že řešení dvou SSD karet bude brzy dostupné, cena však není zatím ani přibližně známa. Zdroj: TGdaily

Společnost Micron se v pondělí svěřila, že s velkovýrobou svých dlouho očekávaných disků RealSSD C200 s kapacitou 256 GB začne až na začátku příštího roku, konkrétně do března. Intel také již právě s Micronem začal s masovou produkcí 34nm NAND flash, avšak ty nemají být v nových SSD přítomny, takže snad příště. Dle předběžných informací půjde o 2,5palcové SSD s rozhraním SATA 300, rychlostí čtení 250 MB/s a zápusem 100 MB/s, což jsou podobné specifikace, jako nabízí již představené Intel X25, které si již našly cestu do našich testů. RealSSD C200 jinak využíjí MLC (multi-level cell) čipy NAND flash a jejich hlavním soupeřem se stanou právě asi X25. Zdroj: techPowerUp!

Společnosti Intel Corporation and Micron Technology oznámily, že společně začaly s výrobou NAND flash pamětí pomocí 34nm procesu. Jedná se o 32Gb MLC (Multi-Level Cell) čipy vyvinuté a vyráběné IM Flash Technologies, což je firma vlastněná právě Intelem a Micronem. Na trhu se tak objevují první 3Gb NAND flash pasující do 48pinového TSOP pouzdra. Intel a Micron tak předběhli svůj plán a očekávají, že jejich továrna v Lehi ke konci roku bude 50 procent svých produktů vyrábět právě 34nm procesem. Tyto čipy budou tvořeny na 300mm waferech a jeden z nich zabere plochu pouze 172 mm2. Využijí se tak především pro digitální fotoaparáty, hudební přehrávače a digitální kamery. Navíc se zcela jistě uplatní také v SSD discích. Zdroj: techPowerUp!

Společnosti Micron Technology a Qimonda se v blízké budoucnosti s velkou pravděpodobností oficiálně sloučí. Kupříkladu čistá ztráta Micronu dosáhla ve čtvrtém čtvrtletí fiskálního roku 2008 celkem 344 milionů amerických dolarů, tedy 45 centů na akcii, při příjmech 1,45 miliardy. Jednalo se již o sedmé čtvrtletí ve ztrátě, za celý fiskální rok 2008 dosáhla tato 1,6 miliardy (2,1 dolaru na akcii) při prodejích 5,8 miliardy. Qimonda je na tom podobně, ač zejména díky čipům GDDR5 a některým úsporám se jí má začít dařit; výsledky za minulé čtvrtletí však ještě nezveřejnila. Časy jsou nyní pro výrobce DRAM a NAND Flash čipů opravdu tvrdé, proto dle zdrojů blízkých oběma firmám již došlo k podpisu smluv o sloučení a vše by brzy mělo vyjít na veřejnost. Cílem tedy je sloučit výroby a zdroje a zachovat konkurenceschopnost proti Samsungu, který se právě malé výrobce snaží vytlačit z trhu. Hynix i Elpida se snaží udržet si podíl na trhu, v případě Elpidy i díky podpoře z

Společnost Micron Technology si již dle průmyslových zdrojů vybrala své partnery a brzy by měla začít vyrábět vlastní paměťové karty. Stane se tak jedním ze čtyř výrobců (dalšími jsou Samsung Electronics, Toshiba a Hynix Semiconductor), kteří povýšili z pouhého dodavatele NAND Flash čipů na výrobce paměťových médií. Partnerem pro dodávání řadičů se má stát InComm (není však vyloučeno, že později bude Micron odebírat i od jiných společností), partnerem pro výrobu pouzder bude Siliconware Precision Industries Ltd (SPIL), který již dlouhou dobu spolupracuje s Micronem ohledně pouzder pro samotné DRAM a NAND Flash čipy. SPIL dostal objednávku na paměťové karty od Micronu v prvním čtvrltetí roku, kdy se výrobce rozhodl nedodávat pouze čipy, ale vyrábět i vlastní karty z důvodu snižující se poptávky po čipech ze strany výrobců paměťových karet kvůli větší nabídce čipů i hotových karet na trhu a nižším cenám, jakožto většímu tlaku konkurence. Paměťové karty od Mi

Společnost Micron rozšiřuje nabídku SSD (solid state drive) o nové modely, kterými chce zaujmout i pomocí ceny. Jedná se o MLC (multi-level cell) model nesoucí plný název RealSSD C200, který nabízí kapacitu 256 GB či RealSSD P200 s kapacitou 128 GB. První model je velikosti 2,5“ a druhý 1,8.“ Oba pak shodně nabízí rozhraní Serial ATA. Rychlost četní je až 250 MB/s a zapisovat můžete rychlostí 100 MB/s. Přesná cena však bohužel nebyla představena, společnost pouze stanovila dostupnost v průběhu čtvrtého čtvrtletí. Zdroj: Dailytech

A zdá se, že to těmto firmám nebude dlouho trvat. Micron Technology a Nanya Technology, známé společnosti z oblasti pamětí DRAM a flash, oznámily, že již podepsaly smlouvu o vytvoření firmy se společnou majetkovou účastí. Ta dostala název MeiYa Technology. Toto partnerství má zhodnotit výrobní technologie, kapacity a zkušenosti obou firem. Součástí dohody je, že taiwanská továrna firmy Nanya bude vylepšena pro výrobu 300mm waferů (nyní se pracuje s 200mm pláty), což se má dokončit v roce 2009. Firmy také hodlají budoucí technologie vyvíjet společně a podělit se o ně. MeiYa bude vlastněna pouze Micronem a Nanyí, kde každá společnost bude mít přesně 50% podíl a každá do konce roku 2009 přispěje 550 milióny USD v hotovosti. Zdroj: X-bit labs

Společnost Micron začala dodávat vzorky nejrychlejších DRAM pamětí pro mobilní zařízení např. typu handheld nebo jiná zařízení s rozsáhlou výbavou a požadavkem na vysoký výkon nejrůznějších výpočtů, zejména multimediálního charakteru. Tyto čipy mají kapacitu 512 Mbit a běží na frekvenci 200 MHz (vzhledem k tomu, že využívají DDR přenosy, mají efektivní frekvenci 400 MHz). Splňují standard JEDEC s I/O napětím 1,8 V. K dispozici budou i 1,2 V verze se zlepšenou kvalitou signálu. Čipy jsou schopny provozu v teplotách od -40°C do +85°C. Zdroj: www.digit-life.com, www.micron.com

Společnosti Intel a Micron oznámily, že bychom se již zanedlouho mohli dočkat NAND flash pamětí s rychlostí označovanou jako 5x. To má znamenat, že budou asi pětkrát rychlejší, než jsou dnešní paměti tohoto typu, což začíná být velmi zajímavé. Nová technologie má dovolit rychlost čtení 200 MB/s a zápisu 100 MB/s, tedy podstatné zvýšení z hodnot 40 a 20 MB/s dnešních SLC (Single Level Cell) NAND čipů. Takové navýšení rychlosti umožnily také nové ONFI 2.0 standardy skupiny Open NAND Flash Interface Working Group, jež využívají DDR signálování a vyšších frekvencí. Firmy dle vlastních slov pracují na tom, aby se nová technologie co nejdříve dala využít v praxi, což se dotýká také konzumní elektroniky a počítačů. Nikdo však neřekl, kdy přesně se my jako koncoví zákazníci nové technologie dočkáme. Zdroj: DailyTech

Společnost Micron začala dodávat vzorky svých nových paměťových čipů DRAM DDR2, které jsou vyráběny úspornější 68nm technologií. Proces nazvaný 6F2 nahradí má nahradit současnou 80nm výrobu. Nové čipy při kapacitě 1 Gb zaberou plochu pouze 56 mm2, díky čemuž Micron zvýší výtěžnost z waferů, a tedy sníží náklady. Důležitá je také snížená spotřeba, dle společnosti až o dvacet procent, což se projeví hlavně v mobilních zařízeních a ve velkých datových centrech s množstvím uzlů osazených velkým počtem pamětí, kam budou směřovány i první dodávky koncových produktů. Masová produkce započne na začátku příštího roku, 68nm DDR3 a další čipy přijdou až v jeho druhé polovině. Zdroj: eeTimes

Snad všechny průzkumy v poslední době hlásí to samé, včetně toho od společnosti Isuppli. Velcí výrobci NAND Flash čipů, jako Hynix Semiconductor, Micron či Intel hromadně zvyšují své zisky. Například příjmy Hynixu se zvýšily ve třetím čtvrtletí o 79,1 % na 806 milionů amerických dolarů. U Micronu to bylo 285,4 milionu dolarů, o 75,5 % více; u Intelu byl nárůst nejnižší, 47,9 % na 132 milionů. Zisky Samsungu byly 1,7 miliardy, firma tak ztratila více jak 5 % trhu, nicméně stále je největším výrobcem. Na druhou stranu však výrobcům klesají zisky z výroby DRAM čipů, někteří jsou i v miliardových ztrátách. Co z toho plyne? Někteří již ohlásili snížení výroby DRAM čipů, jelikož k současné situaci vedla právě čím dál tím větší výroba a tím pádem i nutně nižší ceny. Stejný trend je nyní u Flash, které se zlevňují, kupují se více, a tím ještě více zlevňují. Nicméně jednou narazí na určitou hranici, podobně jako DRAM. Ty se zřejmě zdraží v prvním čtvrtletí rok

Společnost Micron začala s dodávkami vzorků 2Gbit DDR3 čipů, které umožní tvorbu až 8GB nebo 16GB paměťových modulů pro servery a až 4GB modulů pro desktopy. Jedná se o DDR3 čipy, které běží na efektivní frekvenci až 1333 MHz. K výrobě těchto paměťových čipů je používána 78nm technologie. Vyžadují standardní napájení 1,5 V, což je rozhodně pozitivum. Výrobci modulů nyní mohou vyrábět moduly stejné kapacity s polovičním počtem čipů, a při zachování standardního napájecího napětí lze očekávat také nižší výslednou spotřebu. Kdy se začne s masovou výrobou zatím nebylo zveřejněno. Zdroj: www.techspot.com, www.tgdaily.com

Poptávka po pamětech DRAM roste raketovým tempem, za což může z velké části nenasytný systém MS Vista. Semiconductor Industry Association (SIA) potvrdila, že prodej DRAM pamětí se oproti červnu minulého roku, kdy byly prodány paměti za 19,8 miliard amerických dolarů, zvýšil o 2,4 %. Kalifornská společnost Micron Technology zase říká, že průměrná kapacita operační paměti se zvýšila ze 772 MB v minulém roce na 1180 MB letos. Kevin Kilback, manažer v pobočce Micronu v Boise (v americkém státě Idaho), v interviu potvrdil, že klesající ceny DRAM dovolily výrobcům zvýšit kapacity pamětí bez velkého cenového navýšení. Za kvartál končící 31.5. spadly ceny DRAM o 35 %. Kilback dodává, že tahounem prodeje DRAM je systém MS Vista. Ačkoliv zákazníci stále mohou narazit na sestavy s 512 MB operační paměti, většina výrobců sestav k systému doporučuje 2 GB. Očekávaný průměr použité paměti je 1,5 GB v příštím roce. Trh ale táhnou i mobilní telefony, resp. NAND paměti. Spolu s popt

Dnes Micron vyrábí 1Gbit DDR3 čipy 78nm procesem a jsou tak řešením s nejmenším poměrem "cena za bit", poněvadž mají menší plochu než 512Mb DDR2 čipy. Tyto DDR3 čipy již byly validovány společností Intel. Nyní se už začíná hovořit i o 2Gbit čipech. Ty by měly přijít na trh až někdy v průběhu roku 2008 a to jen proto, že po nich zatím není poptávka. Jinak se totiž Micron nechal slyšet, že s jejich výrobou je schopen začít kdykoliv. Zdá se tedy, že se objeví až v průběhu léta 2008 a nejprve budou určeny do serverové oblasti, až poté pro klasická PC. DDR3-1600 čipy budou k dispozici až po přechodu výroby na 68mm. To by mělo nastat někdy v roce 2009. Co se týče zastoupení DDR3 pamětí na trhu, předpokládá se jejich masovější rozšíření až bude rozdíl cen mezi DDR2 a DDR3 pamětmi kolem 10-20%. DDR2 paměti už rozhodně levnější nebudou, jejich cena už nemá žádný prostor kam by mohla klesnout (už nyní je na hranici výrobnách nákladů), spíše se nyní s příchodem

Nová základní deska Gigabyte P35T-DQ6 postavená na chipsetu Intel P35 má nevídané možnosti taktování. Na tomto motherboardu bylo totiž zkoušeno taktování nových DDR3 modulů, konkrétně pamětí Micron DDR3-1066 o kapacitě 1GB. Jak už název napovídá, standardně tyto paměti poběží na 1066MHz. Efektivní frekvence modulů byla zvýšena ze základních 1066MHz až na neuvěřitelných 2080MHz. Časování CL10-10-10-24 je stejně tak neuvěřitelné, ovšem tentokrát v negativním slova smyslu. Jako procesor byl použit ještě nepředstavený Intel Core 2 Duo E6850. Jeho takt byla zvýšen z původní velmi slušné frekvence 3,0GHz na ještě vyšší frekvenci 3,64GHz, což znamenalo takt sběrnice výtečných 520MHz při násobiči 7. Je vidět, že už dnes mají DDR3 paměti dosti vysoký frekvenční potenciál. Zdroj: www.techreport.com

IM Flash Technologies, podnik, jenž vlastní společnosti Intel a Micron, dnes oznámil, že začne se stavbou nové továrny na výrobu 50nm pamětí flash pomocí 300mm waferů. Činí tak především proto, aby dokázali lépe konkurovat na dnešním rychle se rozvíjejícím trhu s těmito paměťmi, kde téměř s polovinou podílu vede Samsung následovaný Toshibou a Hynixem. Nová továrna se tak přidá k již existujícím v Manassasu (Virginia), Boise (Idaho) a momentálně stavěné v Lehi (Utah). Spuštění provozu je plánováno na druhou polovinu roku 2008, v níž se začne na 50nm technologii. Již dnes se v existujících továrnách touto technologií vyrábějí zkušební vzorky pamětí o kapacitě 4Gb. Avšak i přes nové továrný bude úloha Intelu a Micronu těžká. Samsung využívá svého dominantního postavení na trhu a chystá se ještě zrychlit. V září tato společnost potvrdila výrobu prvních 40nm flash čipů a navíc i novou technologii, která dovolí výrobu dokonce 20nm čipů. 32Gb 40nm čipy mají být využity v p

Senzor o šířce 1/5", tedy 5,1mm, nedávno představila firma Micron. Tato CMOS novinka by měla dovolit výrobcům webkamerek a telefonů ještě další zmenšení jejich zařízení. CMOS čip dostal označení MT9M019 a je schopen zachytávat video o rozlišení 1280 x 1024 při 30FPS a 640 x 480 dokonce při 60FPS. Firma udává vysokou citlivost těchto senzorů, jež by se měla pohybovat kolem 1 luxu. Nyní probíhá výroba zkušebních vzorků, ale výroba ve velkém se rozjede již koncem tohoto roku. Zdroj: TG Daily

Společnosti vyrábějící síťová řešení počínají zvedat přenosové rychlosti z 3 na 10Gbps a tato rychlost klade nároky i na paměťové moduly, které se musí přizpůsobit. Micron pro tento účel vyvinul další generaci pamětí, reduced latency DRAM - RLDRAM II. Oproti předešlým pamětem se dvakrát navýšila hustota zápisu i operační frekvence z 400MHz na 533Mhz a přitom snížila latence z 20 na 15ns. RDLRAM II je tedy důležitá pro výrobu 10Gbps zařízení, jež mají uspokojit nároky na propustnost dat, dnes tedy i s rostoucí oblibou hlasových a obrazových. Vybraným zákazníkům Micron již dnes posílá vzorky a s masovou produkcí má začít v prvním kvartálu 2007. Zdroj: Digit-Life

Firmy Intel a Micron spojují své úsilí a chtějí vytvořit podnik se společnou majetkovou účastí, do kterého obě strany ze začátku vloží celých 1.2 miliard dolarů. Cílem je výroba NAND flash pamětí, pro které bude mít užití hlavně Apple, kterážto firma se zatím zavázala odkoupit flash paměti za půl miliardy dolarů. Micron bude vlastnit 51% celého podniku, ale stejně se mohou objevit další hlasy proti Intelu, který se podle mnoha společností chová příliš monopolisticky. Jisté zatím ale je, že podnik s názvem IM Flash začne chrlit flash paměti počátkem příštího roku. Zdroj: TheInquirer