Společnosti Intel a Micron oznámily, že bychom se již zanedlouho mohli dočkat NAND flash pamětí s rychlostí označovanou jako 5x. To má znamenat, že budou asi pětkrát rychlejší, než jsou dnešní paměti tohoto typu, což začíná být velmi zajímavé. Nová technologie má dovolit rychlost čtení 200 MB/s a zápisu 100 MB/s, tedy podstatné zvýšení z hodnot 40 a 20 MB/s dnešních SLC (Single Level Cell) NAND čipů. Takové navýšení rychlosti umožnily také nové ONFI 2.0 standardy skupiny Open NAND Flash Interface Working Group, jež využívají DDR signálování a vyšších frekvencí. Firmy dle vlastních slov pracují na tom, aby se nová technologie co nejdříve dala využít v praxi, což se dotýká také konzumní elektroniky a počítačů. Nikdo však neřekl, kdy přesně se my jako koncoví zákazníci nové technologie dočkáme. Zdroj: DailyTech
Společnosti Intel a Micron oznámily, že bychom se již zanedlouho mohli dočkat NAND flash pamětí s rychlostí označovanou jako 5x. To má znamenat, že budou asi pětkrát rychlejší, než jsou dnešní paměti tohoto typu, což začíná být velmi zajímavé.
Nová technologie má dovolit rychlost čtení 200 MB/s a zápisu 100 MB/s, tedy podstatné zvýšení z hodnot 40 a 20 MB/s dnešních SLC (Single Level Cell) NAND čipů. Takové navýšení rychlosti umožnily také nové ONFI 2.0 standardy skupiny Open NAND Flash Interface Working Group, jež využívají DDR signálování a vyšších frekvencí. Firmy dle vlastních slov pracují na tom, aby se nová technologie co nejdříve dala využít v praxi, což se dotýká také konzumní elektroniky a počítačů. Nikdo však neřekl, kdy přesně se my jako koncoví zákazníci nové technologie dočkáme.
Zdroj:
