Korejský výrobce paměťových produktů Hynix uvedl na trh paměťové čipy typu DDR-II o kapacitě 1024 Mbit. Pro jejich výrobu byla použita technologie 110 nm. Společnost poskytla pro testování výrobky o kapacitě 512 Mbit pracující s takty 533-667 MHz. Dostupné budou moduly o kapacitách 512 Mbit a 1024 Mbit, které budou vyráběny v 60-ball, 68-ball a 84-ball FBGA provedení. Čipy budou splňovat specifikaci sdružení JEDEC.
Korejský výrobce paměťových produktů Hynix uvedl na trh paměťové čipy typu DDR-II o kapacitě 1024 Mbit. Pro jejich výrobu byla použita technologie 110 nm. Společnost poskytla pro testování výrobky o kapacitě 512 Mbit pracující s takty 533-667 MHz. Dostupné budou moduly o kapacitách 512 Mbit a 1024 Mbit, které budou vyráběny v 60-ball, 68-ball a 84-ball FBGA provedení. Čipy budou splňovat specifikaci sdružení JEDEC.
