Zpět na článek

Diskuze: Samsung překonal 10nm hranici pro výrobu DRAM čipů

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

snajprik
snajprik
Level Level
dnes 14:28

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Prave ten kondenzator pri tranzistore je problem fyzika nepusti a musi stale mať rovnaky objem, tak že je plytvanie procesom ak sa použije niečo lepšie.

Reklama
Reklama