Zpět na článek

Diskuze: Samsung překonal 10nm hranici pro výrobu DRAM čipů

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

snajprik
snajprik
Level Level
včera 14:28

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

Prave ten kondenzator pri tranzistore je problem fyzika nepusti a musi stale mať rovnaky objem, tak že je plytvanie procesom ak sa použije niečo lepšie.

akulacz
akulacz
Level Level
Procesor: AMD
Grafická karta: AMD
Operační systém: Linux
včera 18:28

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@snajprik Právě že lepší tranzistor může umožnit použít menší kapacitu a tím zvětšit densitu či zvýšit rychlost. Většinou bývá ten kondenzátor mnohem větší než transistor a tak definuje velikost celé buňky, výrobci se pak soustředí spíše na zlepšování jeho vlastností než velikosti, proto jsou proti logice zdánlivě pozadu...

A využít na nic jiného to nepůjde, jde o úplně jinou vývojovou větev procesů optimalizovanou pouze na výrobu pamětí.

Richard Kloubsky
Richard Kloubsky
Level Level
dnes 10:18

Komentáře tohoto uživatele máš zablokované.

@snajprik Tak teoreticky by se daly zmenšit i kondenzátory. Menší plocha (objem) = menší kapacita a tím rychlejší nabíjení i vybíjení. tRFC by sice šlo dolů, ale tREFi také, takže poměr času, kdy je paměť ve stavu obnovování by mohl zůstat skoro stejný.

Reklama
Reklama