Společnost Samsung Electronics oznámila, že úspěšně vyrobila testovací vzorek 2Gbit NAND flash paměťového čipu za použití 90-nanometrové (chcete-li 0,09mikronové) technologie. Od třetího řvrtletí příštího roku se předpokládá výroba až dvaceti tisíc 4GB paměťových karet měsíčně. Tyto média budou vhodná pro fotoaparáty, herní konzole a další mobilní zařízení. Dalším plánem Samsungu je zvýšení zisků na trhu s DRAM z $14 miliard dolarů v roce 2005 na $25 miliard v roce 2010.
Společnost Samsung Electronics oznámila, že úspěšně vyrobila testovací vzorek 2Gbit NAND flash paměťového čipu za použití 90-nanometrové (chcete-li 0,09mikronové) technologie. Od třetího řvrtletí příštího roku se předpokládá výroba až dvaceti tisíc 4GB paměťových karet měsíčně. Tyto média budou vhodná pro fotoaparáty, herní konzole a další mobilní zařízení. Dalším plánem Samsungu je zvýšení zisků na trhu s DRAM z $14 miliard dolarů v roce 2005 na $25 miliard v roce 2010.
