Společnost Samsung oznámila, že odstartovala hromadnou výrobu 1GB paměťových modulů DDR-II, které jsou založeny na čipech o kapacitě 512Mbit. S dvojnásobnou propustností oproti standardním pamětem DDR na totožné frekvenci nabízí DDR-II rychlost přenosu dat 533Mbps, případně až 667Mbps. Napájení modulů je 1,8V. Samsung tak vyvrací tvrzení, že paměti DDR-II se začnou vyrábět až v roce 2004, které zaznělo na letošní akci Platform Conference. Zdroj: DigiTimes
Společnost Samsung oznámila, že odstartovala hromadnou výrobu 1GB paměťových modulů DDR-II, které jsou založeny na čipech o kapacitě 512Mbit. S dvojnásobnou propustností oproti standardním pamětem DDR na totožné frekvenci nabízí DDR-II rychlost přenosu dat 533Mbps, případně až 667Mbps. Napájení modulů je 1,8V. Samsung tak vyvrací tvrzení, že paměti DDR-II se začnou vyrábět až v roce 2004, které zaznělo na letošní akci Platform Conference.
Zdroj: DigiTimes
