Paměti RAM (strana 46 z 55)

Společnost Intel certifikovala paměťový modul o velikosti 512MB vyráběný korporací Hynix Semiconductor, přičemž předchozí model o velikosti 256MB obdržel certifikaci v únoru.. Jedná se o paměť typu PC3200 DDR SDRAM (DDR 400), Podpora PC3200 paměťových čipů od Hynixu je vestavěna do čipsetů Springdale a Canterwood. Marketingový prezident Hynixu Farhard Tabrizi oznámil, že by společnost měla na konci roku 2003 kontrolovat 35% trhu s pamětmi DDR 400. Za tímto účelem bude zvýšena produkce o 60 až 90%. V současnosti se zájem společnosti orientuje především na paměti DDR 400, DDR2 a GDDR 2/3.

Společnost Micron dodala první paměti GDDR3 pro ATI a nVidia. Ty jsou vyráběné 110 nm technologií a jedná se (v současné době) o nejrychlejší paměti na trhu. Na vývoji těchto pamětí spolupracoval Micron právě s ATI a sdružení JEDEC sleduje standardizaci DRR3 (za kolik měsíců/let se asi dočkáme finální specifikace?). Micron se celosvětově druhý největší výrobce pamětí s 19,6% globálního trhu.

Společnost Dataram začala jako první výrobce dodávat 2GB paměťové moduly pro servery série Xseries 255 a 360, jež jsou vyráběny korporací IBM. Paměť je dodávána v jednom 2GB velikém DDR ECC DIMM modulu. Dataram tvrdí, že moduly jsou kompatibilní s boxy obsahujícími podporu technologie nazvané „chipkill“. Cena zatím není známa.

V současné době neexistuje žádný standard pro paměti PC3200 s podporou ECC (tyto paměti se používají u serverů s vysokou mírou spolehlivosti). Někteří výrobci paměťových modulů (kupříkladu Kingston) však dodávají vlastní řešení PC3200 s ECC. Sdružení JEDEC nedávno vydalo předběžnou specifikaci PC3200 ECC a v krátké době (přesný termín bohužel neznáme) bude vydána finální specifikace.

Intel se dohodl s Elpidou, že investuje přibližně 100 milionů amerických dolarů do jejího vývoje nových výrobních procesů pro paměti. Elpida plánuje vložené prostředky využít pro nákup výrobních zařízení, které by umožnily produkci 300mm waferů, vyráběných 100nm procesem v Hirošimě. Společnosti dále podepsaly dlouhodobé obchodní dohody, na základě kterých budou sdílet své výrobní plány a společně se budou podílet na vývoji nové DRAM architektury.

Společnost GEIL představila novou sérii pamětí PC3500 Ultra Low Latency, což je typ DDR 433. Paměti jsou především určeny pro instalaci do základních desek s čipsety i865/875, které podporují 800MHz FSB a jsou vybaveny dvoukanálovým paměťovým řadičem. PCB je vyrobeno ze šesti vrstev s paměti jsou vybaveny speciálním chladičem, který zajišťuje lepší odvod tepla a tím i stabilitu. Časování pamětí je 2 6-3-3 1T, napájecí napětí pak 2.5-2.9V.

Elpida oznámila uvedení prvního DDR SDRAM paměťového modulu s kapacitou 256MB pro mobilní zařízení. Modul nese označení EDL2516CBBH, je vyráběn 110 nm procesem a pracuje na frekvenci 400 MHz. Oproti klasickým modelům přináší 90% úsporu ve spotřebě a 10% úsporu ve velikosti. Pro napájení je použito napětí 1.8V +/- 0.15V a velikost modulu je 9x13mm. Vestavěna je funkce automatického tepelně kompenzovaného samostatného obnovování ATCSR, která pracuje s taktem 8192 obnovovacích cyklů za 64ms a způsobuje nižší energetickou spotřebu. Nyní jsou již k dispozici testovací vzorky, s hromadnou výrobou se začne v červnu.

Společnost Buffalo začalo nabízet sérii paměťových modulů PC3700, což je DDR 466. V této řadě je nabízeno pět produktů, přičemž tři moduly mají velikost 256 MB a dva moduly 512 MB. Všechny modely se vyrábějí ve 184-pinovém provedení s CAS latencí 2,5. Modely o kapacitě 256 MB vyrábí Twinmos, OCZ a GeIL Platinum s cenami 90, 114 a 122 $; modely 512 MB pak OCZ nebo GeIL Platinum za ceny 228 a 229 $. Nejvýkonnější provedení GeIL Platinum je vybaveno časováním 7-3-3 2T.

Společnost Elpida oznámila úspěšnou verifikaci svých paměťových modulů DDR-II PC4200 společností Intel. Společně s tímto oznámením také dala najevo, že je připravena začít hromadnou výrobu těchto paměťových modulů a v brzké době hodlá začít s produkcí pamětí DDR-II PC5400.

Společnost LexarMedia uvedla a trh nové Compact Flash karty s kapacitou 1, 2 a 4 GB. U 1GB modelu se prodává typ I i II, u 2 GB modelu pouze typ I a u 4GB modelu pouze typ II. Maximální dosažitelná přenosová rychlost pro data proudící z nebo do PC je 16,6 MB/s. Aktivační čas karty je menší než 10 ms. Pro napájení je použito napětí 3.3V ± 5% nebo 5V ± 10%.

Společnost Infineon Technologies AG začala používat svůj pokročilý 110 nm proces pro výrobu DRAM produktů. Prvními výrobky vyrobenými touto technologií budou paměťové moduly 256 Mbit DDR. Nový proces je výhodný pro výrobu velmi rychlých pamětí jako je DDR-II a dovoluje použít paměťovou hustotu až 1 Gb na čip. Použitím procesu dochází ke snížení velikosti čipů až o 30% a také k poklesu jejich výrobní ceny.

Společnost Elpida začala s prodejem nového paměťového modulu 1 GB DDR SO-DIMM. Jedná se o paměťový modul s označením PC2700. Dle známějšího označení je to tedy modul DDR 333 SDRAM. Pro výrobu modulu jsou použity 512 Mbit čipy vyráběné 110 nm technologií s x8 architekturou. Podle standardu sdružení JEDEC jsou tyto 200-pinové moduly organizovány jako 128 M x 64 ve dvou bancích. Jejich CAS Latency je 2,5 a napětí 2,5±0,2 V.

Společnost OCZ Technology rozšířila svojí řadu paměťových EL DDR produktů o edici Platinum. Tato série zkracuje časování pamětí a snižuje vyzařované teplo. OCZ EL DDR Platinum Edition paměťové moduly jsou vyráběny jako jedno nebo dvoukanálové PC3500 (434 MHz) s časováním 2-2-2-5. Byly představeny 4,5 ns modely s 256 nebo 512 MB paměti. Pro výrobu se používají nejlepší čipy s ULN (Ultra low noise) PCB a napětím 2,6V.

Společnost Rambus představila své finanční výsledky za poslední čtvrtletí končící 31.3.2003. Společnost dosáhla příjmů 28,1 milionu $, což je 9% nárůst oproti předchozímu čtvrtletí a 19% nárůst oproti stejné periodě minulého roku. Čistý zisk byl 5,1 milionu $ v porovnáním s 5,5 milionu $ v předchozím čtvrtletí a 6,7 milionu $ ve stejné periodě minulého roku. Hlavní kontrakty byly podepsány se společnostmi Yellowstone a Redwood Technology.

Globální vzrůst produkce pamětí dosáhl meziměsíčního (březen/únor) vzrůstu 6,05%. Z toho připadá na Taiwan +20%, Německo +12,59%, USA +4,53% a Japonsko -14,1%. Pokles u Japonských výrobců je způsoben odchodem společnosti Mitsubishi Electric z tohoto odvětví.

Společnost Intel oznámila zahájení produkce flash pamětí 130 nm technologií ve své továrně v Irsku. Modernizace této továrny stála cca 200 miliónů amerických dolarů a k současný počet 3200 zaměstnanců se má v budoucnu ještě zvýšit.

Společnost Plextor je známá jako výrobce kvalitních a velice dobře hodnocených optických mechanik. Nyní uvedla na trh poněkud netradiční zařízení (alespoň na svoje klasické produkty), v podobě USB 2.0 flash disků. Jedná se o tzv. sérii PlexFlash do které spadají celkem tři modely o kapacitách 128 MB (79 Euro), 256 MB (145 euro) a 512 MB (279 Euro). Rychlost zápisu u těchto flash disků činí 4 MB/s a rychlost čtení pak 5 MB/s.

Společnosti Infineon Technology AG a Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) podepsali dohodu o prohloubení vzájemné spolupráce. Na základě této dohody poskytne společnost Infineon 110 nm výrobní technologii DRAM čipů společně s know-how 300 mm waferů společnosti SMIC. Ta zase na oplátku bude touto technologií vyrábět výlučně pro Infineon.

V pondělí odhalila společnost Micron své nové paměťové čipy DDR400 s kapacitou 512Mbit, které by měly být schváleny někdy v polovině roku 2003. Tyto čipy jsou vyráběny 0,11mikronovým procesem a odpovídají specifikaci JEDEC DDR400. Paměti...