JEDEC souhlasí s použitím DDR400 u serverů
V současné době neexistuje žádný standard pro paměti PC3200 s podporou ECC (tyto paměti se používají u serverů s vysokou mírou spolehlivosti). Někteří výrobci paměťových modulů (kupříkladu Kingston) však dodávají vlastní řešení PC3200 s ECC. Sdružení JEDEC nedávno vydalo předběžnou specifikaci PC3200 ECC a v krátké době (přesný termín bohužel neznáme) bude vydána finální specifikace.
Intel investuje 100 milionů do Elpida Memory
Intel se dohodl s Elpidou, že investuje přibližně 100 milionů amerických dolarů do jejího vývoje nových výrobních procesů pro paměti. Elpida plánuje vložené prostředky využít pro nákup výrobních zařízení, které by umožnily produkci 300mm waferů, vyráběných 100nm procesem v Hirošimě. Společnosti dále podepsaly dlouhodobé obchodní dohody, na základě kterých budou sdílet své výrobní plány a společně se budou podílet na vývoji nové DRAM architektury.
XtremeDDR nabízí speciální řadu pamětí pro overlockery
Pokud patříte mezi skalní příznivce first person akcí, doporučuji vám přečtení tohoto článku. Představíme si v něm speciální řadu pamětí od společnosti XtremeDDR, která je vhodná pro overlocking a nabízí vysoký výkon v 3D hrách.
Nová série pamětí od GEIL
Společnost GEIL představila novou sérii pamětí PC3500 Ultra Low Latency, což je typ DDR 433. Paměti jsou především určeny pro instalaci do základních desek s čipsety i865/875, které podporují 800MHz FSB a jsou vybaveny dvoukanálovým paměťovým řadičem. PCB je vyrobeno ze šesti vrstev s paměti jsou vybaveny speciálním chladičem, který zajišťuje lepší odvod tepla a tím i stabilitu. Časování pamětí je 2 6-3-3 1T, napájecí napětí pak 2.5-2.9V.
První 256MB DDR SDRAM paměťový modul pro mobilní zařízení
Elpida oznámila uvedení prvního DDR SDRAM paměťového modulu s kapacitou 256MB pro mobilní zařízení. Modul nese označení EDL2516CBBH, je vyráběn 110 nm procesem a pracuje na frekvenci 400 MHz. Oproti klasickým modelům přináší 90% úsporu ve spotřebě a 10% úsporu ve velikosti. Pro napájení je použito napětí 1.8V +/- 0.15V a velikost modulu je 9x13mm. Vestavěna je funkce automatického tepelně kompenzovaného samostatného obnovování ATCSR, která pracuje s taktem 8192 obnovovacích cyklů za 64ms a způsobuje nižší energetickou spotřebu. Nyní jsou již k dispozici testovací vzorky, s hromadnou výrobou se začne v červnu.
Nová série pamětí vhodná pro overlockery
Dnes si představíme sérii paměťových modulů Golden Sample, která je jistě snem nejednoho českého uživatele PC. Kromě vysokého výkonu a přetaktovatelnosti byl kladen důraz také na vnější design pamětí. Moduly se prodávají v u nás neobvyklém retailovém balení. Pokud se chcete dozvědět více informací, přečtěte si následující článek.
Paměťové čipy PC 3700 od společnosti Buffalo
Společnost Buffalo začalo nabízet sérii paměťových modulů PC3700, což je DDR 466. V této řadě je nabízeno pět produktů, přičemž tři moduly mají velikost 256 MB a dva moduly 512 MB. Všechny modely se vyrábějí ve 184-pinovém provedení s CAS latencí 2,5. Modely o kapacitě 256 MB vyrábí Twinmos, OCZ a GeIL Platinum s cenami 90, 114 a 122 $; modely 512 MB pak OCZ nebo GeIL Platinum za ceny 228 a 229 $. Nejvýkonnější provedení GeIL Platinum je vybaveno časováním 7-3-3 2T.
Specifikace pamětí RLDRAM II
Byla oznámena nová specifikace pamětí nazvaná RLDRAM II, použitelná především v aplikacích vyžadujících rychlý přímý přístup a vysokou datovou propustností. Na specifikaci se spolupodílejí společnosti Micron Technology Inc. a Infineon Technologies AG.
Elpida připravena na hromadnou výrobu DDR-II
Společnost Elpida oznámila úspěšnou verifikaci svých paměťových modulů DDR-II PC4200 společností Intel. Společně s tímto oznámením také dala najevo, že je připravena začít hromadnou výrobu těchto paměťových modulů a v brzké době hodlá začít s produkcí pamětí DDR-II PC5400.
LexarMedia začal vyrábět vysokokapacitní Compact Flash karty
Společnost LexarMedia uvedla a trh nové Compact Flash karty s kapacitou 1, 2 a 4 GB. U 1GB modelu se prodává typ I i II, u 2 GB modelu pouze typ I a u 4GB modelu pouze typ II. Maximální dosažitelná přenosová rychlost pro data proudící z nebo do PC je 16,6 MB/s. Aktivační čas karty je menší než 10 ms. Pro napájení je použito napětí 3.3V ± 5% nebo 5V ± 10%.
Společnost Infineon používá 110 nm proces pro výrobu DRAM čipů
Společnost Infineon Technologies AG začala používat svůj pokročilý 110 nm proces pro výrobu DRAM produktů. Prvními výrobky vyrobenými touto technologií budou paměťové moduly 256 Mbit DDR. Nový proces je výhodný pro výrobu velmi rychlých pamětí jako je DDR-II a dovoluje použít paměťovou hustotu až 1 Gb na čip. Použitím procesu dochází ke snížení velikosti čipů až o 30% a také k poklesu jejich výrobní ceny.
Společnost Elpida představila nový 1 GB paměťový modul
Společnost Elpida začala s prodejem nového paměťového modulu 1 GB DDR SO-DIMM. Jedná se o paměťový modul s označením PC2700. Dle známějšího označení je to tedy modul DDR 333 SDRAM. Pro výrobu modulu jsou použity 512 Mbit čipy vyráběné 110 nm technologií s x8 architekturou. Podle standardu sdružení JEDEC jsou tyto 200-pinové moduly organizovány jako 128 M x 64 ve dvou bancích. Jejich CAS Latency je 2,5 a napětí 2,5±0,2 V.
Nová řada pamětí od společnost OCZ
Společnost OCZ Technology rozšířila svojí řadu paměťových EL DDR produktů o edici Platinum. Tato série zkracuje časování pamětí a snižuje vyzařované teplo. OCZ EL DDR Platinum Edition paměťové moduly jsou vyráběny jako jedno nebo dvoukanálové PC3500 (434 MHz) s časováním 2-2-2-5. Byly představeny 4,5 ns modely s 256 nebo 512 MB paměti. Pro výrobu se používají nejlepší čipy s ULN (Ultra low noise) PCB a napětím 2,6V.
Společnost Rambus představila své finanční výsledky za poslední čtvrtletí
Společnost Rambus představila své finanční výsledky za poslední čtvrtletí končící 31.3.2003. Společnost dosáhla příjmů 28,1 milionu $, což je 9% nárůst oproti předchozímu čtvrtletí a 19% nárůst oproti stejné periodě minulého roku. Čistý zisk byl 5,1 milionu $ v porovnáním s 5,5 milionu $ v předchozím čtvrtletí a 6,7 milionu $ ve stejné periodě minulého roku. Hlavní kontrakty byly podepsány se společnostmi Yellowstone a Redwood Technology.
Růst produkce pamětí dosáhl meziměsíční hodnoty 6,05%
Globální vzrůst produkce pamětí dosáhl meziměsíčního (březen/únor) vzrůstu 6,05%. Z toho připadá na Taiwan +20%, Německo +12,59%, USA +4,53% a Japonsko -14,1%. Pokles u Japonských výrobců je způsoben odchodem společnosti Mitsubishi Electric z tohoto odvětví.
Intel spouští 130 nm produkci flash pamětí
Společnost Intel oznámila zahájení produkce flash pamětí 130 nm technologií ve své továrně v Irsku. Modernizace této továrny stála cca 200 miliónů amerických dolarů a k současný počet 3200 zaměstnanců se má v budoucnu ještě zvýšit.
Plextor uvádí USB 2.0 flash disky
Společnost Plextor je známá jako výrobce kvalitních a velice dobře hodnocených optických mechanik. Nyní uvedla na trh poněkud netradiční zařízení (alespoň na svoje klasické produkty), v podobě USB 2.0 flash disků. Jedná se o tzv. sérii PlexFlash do které spadají celkem tři modely o kapacitách 128 MB (79 Euro), 256 MB (145 euro) a 512 MB (279 Euro). Rychlost zápisu u těchto flash disků činí 4 MB/s a rychlost čtení pak 5 MB/s.
Infineon a SMIC rozšiřují spolupráci
Společnosti Infineon Technology AG a Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) podepsali dohodu o prohloubení vzájemné spolupráce. Na základě této dohody poskytne společnost Infineon 110 nm výrobní technologii DRAM čipů společně s know-how 300 mm waferů společnosti SMIC. Ta zase na oplátku bude touto technologií vyrábět výlučně pro Infineon.
Micron představil 512Mbit čipy DDR400
V pondělí odhalila společnost Micron své nové paměťové čipy DDR400 s kapacitou 512Mbit, které by měly být schváleny někdy v polovině roku 2003. Tyto čipy jsou vyráběny 0,11mikronovým procesem a odpovídají specifikaci JEDEC DDR400. Paměti...
Začala produkce DDR-II od Samsungu
Společnost Samsung oznámila, že odstartovala hromadnou výrobu 1GB paměťových modulů DDR-II, které jsou založeny na čipech o kapacitě 512Mbit. S dvojnásobnou propustností oproti standardním pamětem DDR na totožné frekvenci nabízí DDR-II rychlost přenosu dat 533Mbps, případně až 667Mbps. Napájení modulů je 1,8V. Samsung tak vyvrací tvrzení, že paměti DDR-II se začnou vyrábět až v roce 2004, které zaznělo na letošní akci Platform Conference. Zdroj: DigiTimes
TwinMOS PC3700 v testu
Na serveru Virtual Zone se objevily výsledky datové propustnosti paměťových modulů TwinMOS PC3700. Se základní deskou EPoX 8RGA+, pracovní frekvencí pamětí 241 MHz a ve dvoukanálovém uspořádání přesahuje datová propustnost hodnotu 3500 MB/s. Screenshot z programu SiSoft Sandra naleznete zde.
Nové paměťové moduly HyperX od Kingstonu
Významný výrobce paměťových modulů, Kingston, rozšířil svou řadu HyperX o nové zástupce s kapacitami 256MB a 512MB na frekvencích 333MHz a 400MHz. K tomu můžeme přičíst dřívější "overclockerské" moduly na 370MHz (PC3000) a 434MHz (PC3500), které jsou nyní nově s latencí CL2 a mají výšku 1,2" (30,5mm). Kompletní řadu pamětí HyperX včetně časování a cen naleznete na Digit-Life.
TwinMOS DDR466 SDRAM
Krátce po té co sdružení JEDEC akceptovalo standard DDR400 uvádí společnost TwinMOS paměťové moduly DDR SDRAM PC3700. Ty pracují s frekvencí 466 MHz (reálně 233 MHz) a zaručují datovou propustnost 3728 MB/s. Fotografii paměťového modulu si můžete prohlédnout zde.
Samsung, Hynix a Infineon získávají certifikaci od Intelu
Společnosti Samsung, Hynix a Infineon oznámily získání certifikace od Intel pro svoje 256 Mbitové čipy DDR400. Tato certifikace se týká použití s přicházející čipovou sadou Springdale, která podporuje paměťovou technologii DDR400.