Paměti RAM (strana 47 z 56)

Paměťové čipy PC 3700 od společnosti Buffalo

Paměťové čipy PC 3700 od společnosti Buffalo

Společnost Buffalo začalo nabízet sérii paměťových modulů PC3700, což je DDR 466. V této řadě je nabízeno pět produktů, přičemž tři moduly mají velikost 256 MB a dva moduly 512 MB. Všechny modely se vyrábějí ve 184-pinovém provedení s CAS latencí 2,5. Modely o kapacitě 256 MB vyrábí Twinmos, OCZ a GeIL Platinum s cenami 90, 114 a 122 $; modely 512 MB pak OCZ nebo GeIL Platinum za ceny 228 a 229 $. Nejvýkonnější provedení GeIL Platinum je vybaveno časováním 7-3-3 2T.

19. 5. 2003 00:00
Specifikace pamětí RLDRAM II

Specifikace pamětí RLDRAM II

Byla oznámena nová specifikace pamětí nazvaná RLDRAM II, použitelná především v aplikacích vyžadujících rychlý přímý přístup a vysokou datovou propustností. Na specifikaci se spolupodílejí společnosti Micron Technology Inc. a Infineon Technologies AG.

15. 5. 2003 00:00
Reklama
Elpida připravena na hromadnou výrobu DDR-II

Elpida připravena na hromadnou výrobu DDR-II

Společnost Elpida oznámila úspěšnou verifikaci svých paměťových modulů DDR-II PC4200 společností Intel. Společně s tímto oznámením také dala najevo, že je připravena začít hromadnou výrobu těchto paměťových modulů a v brzké době hodlá začít s produkcí pamětí DDR-II PC5400.

12. 5. 2003 00:00
LexarMedia začal vyrábět vysokokapacitní Compact Flash karty

LexarMedia začal vyrábět vysokokapacitní Compact Flash karty

Společnost LexarMedia uvedla a trh nové Compact Flash karty s kapacitou 1, 2 a 4 GB. U 1GB modelu se prodává typ I i II, u 2 GB modelu pouze typ I a u 4GB modelu pouze typ II. Maximální dosažitelná přenosová rychlost pro data proudící z nebo do PC je 16,6 MB/s. Aktivační čas karty je menší než 10 ms. Pro napájení je použito napětí 3.3V ± 5% nebo 5V ± 10%.

8. 5. 2003 00:00
Společnost Infineon používá 110 nm proces pro výrobu DRAM čipů

Společnost Infineon používá 110 nm proces pro výrobu DRAM čipů

Společnost Infineon Technologies AG začala používat svůj pokročilý 110 nm proces pro výrobu DRAM produktů. Prvními výrobky vyrobenými touto technologií budou paměťové moduly 256 Mbit DDR. Nový proces je výhodný pro výrobu velmi rychlých pamětí jako je DDR-II a dovoluje použít paměťovou hustotu až 1 Gb na čip. Použitím procesu dochází ke snížení velikosti čipů až o 30% a také k poklesu jejich výrobní ceny.

3. 5. 2003 00:00
Společnost Elpida představila nový 1 GB paměťový modul

Společnost Elpida představila nový 1 GB paměťový modul

Společnost Elpida začala s prodejem nového paměťového modulu 1 GB DDR SO-DIMM. Jedná se o paměťový modul s označením PC2700. Dle známějšího označení je to tedy modul DDR 333 SDRAM. Pro výrobu modulu jsou použity 512 Mbit čipy vyráběné 110 nm technologií s x8 architekturou. Podle standardu sdružení JEDEC jsou tyto 200-pinové moduly organizovány jako 128 M x 64 ve dvou bancích. Jejich CAS Latency je 2,5 a napětí 2,5±0,2 V.

25. 4. 2003 00:00
Nová řada pamětí od společnost OCZ

Nová řada pamětí od společnost OCZ

Společnost OCZ Technology rozšířila svojí řadu paměťových EL DDR produktů o edici Platinum. Tato série zkracuje časování pamětí a snižuje vyzařované teplo. OCZ EL DDR Platinum Edition paměťové moduly jsou vyráběny jako jedno nebo dvoukanálové PC3500 (434 MHz) s časováním 2-2-2-5. Byly představeny 4,5 ns modely s 256 nebo 512 MB paměti. Pro výrobu se používají nejlepší čipy s ULN (Ultra low noise) PCB a napětím 2,6V.

24. 4. 2003 00:00
Reklama
Společnost Rambus představila své finanční výsledky za poslední čtvrtletí

Společnost Rambus představila své finanční výsledky za poslední čtvrtletí

Společnost Rambus představila své finanční výsledky za poslední čtvrtletí končící 31.3.2003. Společnost dosáhla příjmů 28,1 milionu $, což je 9% nárůst oproti předchozímu čtvrtletí a 19% nárůst oproti stejné periodě minulého roku. Čistý zisk byl 5,1 milionu $ v porovnáním s 5,5 milionu $ v předchozím čtvrtletí a 6,7 milionu $ ve stejné periodě minulého roku. Hlavní kontrakty byly podepsány se společnostmi Yellowstone a Redwood Technology.

23. 4. 2003 00:00
Růst produkce pamětí dosáhl meziměsíční hodnoty 6,05%

Růst produkce pamětí dosáhl meziměsíční hodnoty 6,05%

Globální vzrůst produkce pamětí dosáhl meziměsíčního (březen/únor) vzrůstu 6,05%. Z toho připadá na Taiwan +20%, Německo +12,59%, USA +4,53% a Japonsko -14,1%. Pokles u Japonských výrobců je způsoben odchodem společnosti Mitsubishi Electric z tohoto odvětví.

7. 4. 2003 00:00
Intel spouští 130 nm produkci flash pamětí

Intel spouští 130 nm produkci flash pamětí

Společnost Intel oznámila zahájení produkce flash pamětí 130 nm technologií ve své továrně v Irsku. Modernizace této továrny stála cca 200 miliónů amerických dolarů a k současný počet 3200 zaměstnanců se má v budoucnu ještě zvýšit.

7. 4. 2003 00:00
Plextor uvádí USB 2.0 flash disky

Plextor uvádí USB 2.0 flash disky

Společnost Plextor je známá jako výrobce kvalitních a velice dobře hodnocených optických mechanik. Nyní uvedla na trh poněkud netradiční zařízení (alespoň na svoje klasické produkty), v podobě USB 2.0 flash disků. Jedná se o tzv. sérii PlexFlash do které spadají celkem tři modely o kapacitách 128 MB (79 Euro), 256 MB (145 euro) a 512 MB (279 Euro). Rychlost zápisu u těchto flash disků činí 4 MB/s a rychlost čtení pak 5 MB/s.

5. 4. 2003 00:00
Infineon a SMIC rozšiřují spolupráci

Infineon a SMIC rozšiřují spolupráci

Společnosti Infineon Technology AG a Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) podepsali dohodu o prohloubení vzájemné spolupráce. Na základě této dohody poskytne společnost Infineon 110 nm výrobní technologii DRAM čipů společně s know-how 300 mm waferů společnosti SMIC. Ta zase na oplátku bude touto technologií vyrábět výlučně pro Infineon.

31. 3. 2003 01:00
Reklama
Micron představil 512Mbit čipy DDR400

Micron představil 512Mbit čipy DDR400

V pondělí odhalila společnost Micron své nové paměťové čipy DDR400 s kapacitou 512Mbit, které by měly být schváleny někdy v polovině roku 2003. Tyto čipy jsou vyráběny 0,11mikronovým procesem a odpovídají specifikaci JEDEC DDR400. Paměti...

27. 3. 2003 00:00
Začala produkce DDR-II od Samsungu

Začala produkce DDR-II od Samsungu

Společnost Samsung oznámila, že odstartovala hromadnou výrobu 1GB paměťových modulů DDR-II, které jsou založeny na čipech o kapacitě 512Mbit. S dvojnásobnou propustností oproti standardním pamětem DDR na totožné frekvenci nabízí DDR-II rychlost přenosu dat 533Mbps, případně až 667Mbps. Napájení modulů je 1,8V. Samsung tak vyvrací tvrzení, že paměti DDR-II se začnou vyrábět až v roce 2004, které zaznělo na letošní akci Platform Conference. Zdroj: DigiTimes

25. 3. 2003 00:00
TwinMOS PC3700 v testu

TwinMOS PC3700 v testu

Na serveru Virtual Zone se objevily výsledky datové propustnosti paměťových modulů TwinMOS PC3700. Se základní deskou EPoX 8RGA+, pracovní frekvencí pamětí 241 MHz a ve dvoukanálovém uspořádání přesahuje datová propustnost hodnotu 3500 MB/s. Screenshot z programu SiSoft Sandra naleznete zde.

24. 3. 2003 00:00
Nové paměťové moduly HyperX od Kingstonu

Nové paměťové moduly HyperX od Kingstonu

Významný výrobce paměťových modulů, Kingston, rozšířil svou řadu HyperX o nové zástupce s kapacitami 256MB a 512MB na frekvencích 333MHz a 400MHz. K tomu můžeme přičíst dřívější "overclockerské" moduly na 370MHz (PC3000) a 434MHz (PC3500), které jsou nyní nově s latencí CL2 a mají výšku 1,2" (30,5mm). Kompletní řadu pamětí HyperX včetně časování a cen naleznete na Digit-Life.

7. 3. 2003 00:00
TwinMOS DDR466 SDRAM

TwinMOS DDR466 SDRAM

Krátce po té co sdružení JEDEC akceptovalo standard DDR400 uvádí společnost TwinMOS paměťové moduly DDR SDRAM PC3700. Ty pracují s frekvencí 466 MHz (reálně 233 MHz) a zaručují datovou propustnost 3728 MB/s. Fotografii paměťového modulu si můžete prohlédnout zde.

5. 3. 2003 00:00
Reklama
Samsung, Hynix a Infineon získávají certifikaci od Intelu

Samsung, Hynix a Infineon získávají certifikaci od Intelu

Společnosti Samsung, Hynix a Infineon oznámily získání certifikace od Intel pro svoje 256 Mbitové čipy DDR400. Tato certifikace se týká použití s přicházející čipovou sadou Springdale, která podporuje paměťovou technologii DDR400.

21. 2. 2003 00:00
Rekordně nízké ceny DDR DRAM čipů

Rekordně nízké ceny DDR DRAM čipů

Ceny paměťových čipů 256 Mb DDR DRAM klesly 6. února na rekordní hranici $3,9 za čip. Vůbec poprvé ve své historii se tak dostaly pod hranici $4. Před rokem se pohybovaly ceny kolem $7,5 a ve druhé polovině roku 2002 se dostaly až na $9. Prozatím však analytici předpokládají setrvání cen paměťových modulů a jejich oslabení v dubnu až květnu – po té co výrobci spotřebují současné zásoby.

10. 2. 2003 00:00
Platform Conference 2003: Detaily o DDR-II a další…

Platform Conference 2003: Detaily o DDR-II a další…

Tento týden probíhá v Kalifornii událost zvaná Platform Conference, na které se letos probírají hlavně detaily o pamětech. V tomto článku Vám přinášíme podrobnosti o frekvencích a datu vypuštění pamětí DDR-II, něco o grafických pamětech a RDRAM z produkce Samsungu, zprávy o GDDR3 na grafických kartách GeForce FX a R350 a pár detailů o HyperTransportu 2.0.

7. 2. 2003 00:00
OCZ představuje DDR SDRAM PC3200 s časováním 2-2-2

OCZ představuje DDR SDRAM PC3200 s časováním 2-2-2

Společnost OCZ je známá jako výrobce paměťových modulů určených pro všechny kdo ze svého počítače chtějí dostat maximum. Nyní představila paměťové moduly DDR SDRAM PC3200 EL (enhanced latency) s časováním 2-2-2. Tato novinka je odstupná ve velikostech 256 a 512 MB a je určena pro 200 MHz paměťovou sběrnici

5. 2. 2003 00:00
Samsung představil 72 Mbit DDR-III SRAM modul

Samsung představil 72 Mbit DDR-III SRAM modul

Samsung je poslední dobou velkým průkopníkem nových paměťových technologií, např. dodává DDR-II pro GeForceFX. Nyní ale oznámil vypuštění nového modulu DDR-III SRAM pro servery a pracovní stanice o velikosti 72 Mbit, který čte/zapisuje data rychlostí až 1,5GB/s. Je vyráběn KrF litografií pomocí 90nm procesu a potřebné napětí bude 1,2V. Tyto moduly by měly být k dispozici v druhém pololetí letošního roku. Zdroj: Digit-life

29. 1. 2003 00:00
Reklama
Nové 288Mbit čipy PC1066 RDRAM od Elpidy

Nové 288Mbit čipy PC1066 RDRAM od Elpidy

Významný výrobce paměťových čipů, Elpida, včera vypustila první vzorky nových RDRAM. Tyto vzorky označené EDR2518ABSE mají kapacitu 288Mbit a běží na frekvenci 1066MHz. Tyto paměťové čipy budou od března k dispozici pro své nejběžnější využití – komunikační zařízení OC-192 (10Gbps) a 32-bitové moduly RDRAM RIMM PC4200. Výrobní proces je 0,13mikronový a v budoucnu plánuje společnost i 288Mbit čipy na frekvenci 1200MHz a 1333MHz. Zdroj: Virtual Zone

29. 1. 2003 00:00
Paměťový modul DDR o velikosti 4GB

Paměťový modul DDR o velikosti 4GB

Podle serveru Guru3D vypustila společnost Samsung největší dostupný paměťový modul o velikosti 4GB, který je určen pro servery, pracovní stanice a superpočítače. Je vyráběn 0,10mikronovým procesem, propustnost je 266Mbps nebo 333Mbps a konfigurace jsou x4, x8 a x16-bit. Tento DIMM s kapacitou 4GB obsahuje 36 čipů o velikosti 1Gbit.

22. 1. 2003 00:00
Reklama
Reklama