Paměti RAM (strana 48 z 55)

Společnost Hynix Semiconductor plánuje koncem letošního roku spustit výrobu 512Mbit DDR paměťových čipů vyráběných 0,10mikronovým procesem. Tyto čipy, stejně jako 256Mbit a 1Gbit čipy plánované na první polovinu příštího roku, jsou kompatibilní se standardy PC2700 a PC2100 DDR SDRAM, stejně jako s DDR400, které ještě nebyly oficiálně uznány. Nový výrobní proces pomůže společnosti zvýšit výtěžnost a tím snížit výrobní náklady. Zdroj: X-Bit Labs

Známý výrobce paměťových modulů, Kingston Technology, oznámil, že začíná produkovat 256MB a 512MB moduly pamětí DDR400, ale pouze s „omezenou dostupností“. Paměti byly testovány na platformě Agilent 83000 s čipsetem podporujícím DDR400. Jedná se konkrétně o 256MB 400MHz DDR DIMM, CL 2.5 (KVR400X64C25/256) a 512MB 400MHz DDR DIMM, CL 2.5 (KVR400CX64C25/512), které se začnou hromadně vyrábět v Q4 2002. Zdroj: Digit-Life

Fujitsu a AMD potvrdily, že plánují společně vyrábět flash paměti. Od ledna příštího roku by se měly společnosti za tímto účelem spojit a AMD bude produkovat 60%, zatímco Fujitsu se bude podílet 40%. Podle Gartner Group ovládal trh s flash paměťmi v roce 2001 Intel se 25,7%, kde AMD a Fujitsu obsadily další dvě místa v pořadí. Po spojení by se měl podíl na trhu vyšplhat na 23,4%. Zdroj: Digit-Life

Lahůdku pro overclockery připravil dodavatel pamětí Corsair Memory díky svým novým modulům XMS3500 CL2 (XMS - eXtreme Memory Speed). Jsou ověřeny pro frekvenci 434MHz s CAS latency pouhé dva cykly a vycházejí ve dvou kapacitách – 256MB (CMX256A-3500C2) a 512MB (CMX512-3500C2). Tyto moduly byly ověřeny pro čipset VIA KT400 a jsou k dostání okamžitě. Více na Virtual Zone.

Společnost SMART Modular Technologies vypustila dva nové nízkoprofilové paměťové moduly, 1GB PC2100 Registred DIMM (výška 1“) a 512MB PC2700 ECC SO-DIMM (výška 1,25“). Tyto moduly jsou určeny převážně pro komunikační zařízení, bezdrátové stanice, gigabit routery apod. Oba jsou klasické 184-pinové DDR a jejich latence je CL2.5. Zdroj: Digit-Life

Společnost Elpida ohlásila paměťový modul DDR SDRAM PC2100 v provedení SO-DIMM, který je určen pro notebooky. Tento paměťový modul je založen na 512 Mbit DDR SDRAM čipech s latencí 2 či 2,5 vyráběných 130 nm technologií. Fotku tohoto paměťového modulu můžete vidět zde. Zdroj: Digit-Life

Společnost Samsung Electronics oznámila započetí dodávek paměťových modulů DDR SDRAM PC2100 Registered o kapacitě 2 GB, které jsou postaveny na 512 Mbit DDR266 čipech. Tyto paměťové moduly budou poprvé uvedeny s serverech HP ProLiant ML530, ML570 a DL580.

Poté, co společnost Toshiba a NEC oznámily spolupráci na společném DVD formátu se také přiznaly k vývoji magnetických pamětí. Chtějí tak urychlit vývoj MRAM, ale kolem března 2005, kdy se plánuje ukončení výzkumu, se nebudou podílet na komercializaci této technologie. Do dneška byly magnetické paměti vyvíjeny společnostmi Motorola, IBM a Infineon a doufejme, že dalších 20 inženýrů z NEC a Toshiby přispěje k brzkému dokončení MRAM. Zdroj: Silicon Strategies

Společnost Samsung Electronics oznámila, že úspěšně vyrobila testovací vzorek 2Gbit NAND flash paměťového čipu za použití 90-nanometrové (chcete-li 0,09mikronové) technologie. Od třetího řvrtletí příštího roku se předpokládá výroba až dvaceti tisíc 4GB paměťových karet měsíčně. Tyto média budou vhodná pro fotoaparáty, herní konzole a další mobilní zařízení. Dalším plánem Samsungu je zvýšení zisků na trhu s DRAM z $14 miliard dolarů v roce 2005 na $25 miliard v roce 2010.

Zajímá vás jaká je budoucnost operačních pamětí podle společnosti Intel ? Na serveru Virtual Zone publikovali snímek pořízený během IDF, který zachycuje plány s různými paměťovými technologiemi. Kupříkladu SDRAM PC133 by měla v průběhu příštího roku skončit a zároveň započne éra technologie DDRII400. Pro výkonné sestavy a pracovní stanice se bude v dalších letech využívat technologie RDRAM PC1066 a DDR333 pak zůstává pro oblast mainstreamu (označená jako price/performance). Celou roadmap si můžete prohlédnout zde.

Společnost Intel bude podporovat paměťovou technologii RDRAM PC1066 ve svých budoucích čipových sadách. Teoretická paměťová propustnost se díky této technologii zvýší o 33%. Další zajímavou zprávou je, čtyř kanálový paměťový řadič RDRAM na kterém pracuje společnost Rambus. Využívat bude dva 32-bitové paměťové moduly RDRAM a dále tak zvýší výkon této technologie, otázkou je nakolik a zejména pak jaká bude cena, která je u technologie RDRAM tradičně vysoká ?

Mnoho zkratek v nadpisu neznamená nic jiného, než že společnost Samsung vypustila paměťový modul DDR266 SODIMM (Small Outline DIMM) o kapacitě 1GB, s korekcí chyb ECC. Tento paměťový modul se skládá z devíti 1 Gbit čipů (standardně 512 Mbit) a musí být napájen 2,5V. Hromadná výroba těchto pamětí (označení M485L2923MTO-CBO) začne v září.

Patříte mezi příznivce extrémních výkonů ? Potom vás zcela jistě zaujmou operační paměti značky Geil. Mezi její nabídku se řadí paměťové moduly DDD333 (CAS 2 5-2-2 1T), DDR400 (CAS 2 6-3-3 1T) a nakonec již zmiňované DDR433 (CAS 2.5 6-3-3 2T). Na tyto paměťové moduly je poskytována doživotní záruka a jsou odstupné v maximální velikosti 512 MB. Fotografie a výsledky testů SiSoft Sandra 2002 můžete vidět na této adrese.

Společnost Apacer Technology vypustila nové CompactFlash karty pro digitální kamery a podobná zařízení. Jejich název je Velox Pro, kapacita 128MB a díky paralelnímu ukládání jsou více než třikrát rychlejší než stávající CompactFlash. Nahrávací rychlost je totiž až 4 MB/s oproti 1,2 MB/s u starších modelů. Apacer Velox Pro 128MB se objeví tento týden za cenu cca o 20% vyšší než stávající flash paměti a v září pak bude uvolněna i 256MB verze.

Společnost AMD představila 64 Mbit paměťový čip pracující s napětím 1,8 V, který je určen pro trh mobilních telefonů. Podle informací od AMD by tento paměŤový čip měl z režimu standy snížit svoji spotřebu o 95% (zatím jeto však pouze informace od AMD). Základní parametry tohoto čipu jsou následující: označení Am29BDS640G, 170 nm výrobní proces, 70 ns náhodná přístupová doba a 13,5 ns synchronní přístupová doba.

Společnost Winbond oznámila plány na vývoj a produkci paměťových čipů DDR400 SDRAM při použití 130 nm výrobní technologie (podotýkám, že DDR400 není oficiálně schválená sdružením JEDEC). Koncem třetího čtvrtletí tohoto roku bychom se měli dočkat prvních výsledků :-).

Přestože JEDEC neuznal paměti typu PC3200 DDR SDRAM průmyslovým standardem, Samsung si poradil jinak. Tento jeden z největších výrobců pamětí se totiž dohodl s hlavními producenty čipových sad, společnostmi VIA, SiS a nVidia, o podpoře DDR400. A nejen to, jednání vyústila k tomu, že zatímco tyto tři společnosti budou vyrábět sady pro DDR400, Samsung je bude v dostatečném množství dodávat na trh. Takže bez ohledu na JEDEC se DDR400 de facto stávají standardem.

Po šesti týdnech od vypuštění prvních 533MHz a 667MHz čipů DDR II se odhodlal Samsung k vypuštění 128Mbit čipu DDR II s frekvencí 1GHz! Pracuje na 1,8V a používá technologii ODT a balení FBGA. Hromadně dodávky se plánují již na září tohoto roku. Mimo to učinil Samsung zajímavé prohlášení: Ke konci roku chce vlastnit 80% trhu s grafickými čipy DDR SDRAM. Vskutku odvážná myšlenka :-)

Když jsme nedávno psali o základní desce VIA P4PB 400, vynechali jsme jednu podstatnou věc. Paměti, pro něž je motherboard stavěn, nejsou k dispozici. Hlavní dodavatel pamětí, jihokorejský Samsung, se totiž soustředí na výrobu typů DDR266 a DDR333, zatímco DDR400, které měly být v tuto chvíli na trhu, prostě nejsou. Jestli proto chcete využít 400MHz DDR modulů, musíte buď taktovat, nebo čekat.