Články s výrobcem Elpida (strana 2 z 3)

V poslední době nad cenami DDR2 modulů moc jásat nemůžeme. Oproti stavu v létě minulého roku vyskočila jejich cena asi o 50% a od prosince klesá jen velmi pomalu. To by se v nejbližší době mělo změnit. Podle společnosti Elpida by se ceny DDR2 čipů měly v tomto čtvrtletí snížit o cca 20%. Ke konci března by tedy moduly mohly mít už vcelku zajímavé ceny. Nicméně se předpokládá, že i přes 20% zlevnění čipů se průměrné prodejní ceny paměťových modulů všech výrobců sníží asi jen o 10%. 2GB DDR2-667 kit by tak mohl místo $200 stát asi $180 (tedy výsledná cena klesne z cca 5600Kč na 5100Kč s DPH). Zdroj: www.digitimes.com, www.techreport.com

Společnost Elpida oznámila, že začíná s hromadnou produkcí paměťových čipů 70nm výrobním procesem. To se má primárně dít v hlavní továrně v Hirošimě v Japonsku. Vyráběny takto budou 512Mb a 1Gb paměťové DDR2 SDRAM čipy. V současné době převažuje 90nm výrobní proces. Nový 70nm proces umožní společnosti zvýšit rychlosti a zmenšit rozměry čipu, nemluvě o výrazném snížení výrobních nákladů. První kousky na trhu bychom měli vidět začátkem roku 2007. Zdroj: dailytech

Společnosti Elpida Memory and Powerchip Semiconductor Corp. (PSC) společně oznámili založení podniku se společnou majetkovou účastí. Vedení nově vzniklého podniku bude umístěno v továrně ležící v Central Taiwan Science Parku. Nyní chtějí postavit společně další továrny na výrobu DRAM (dynamic random access memory) pamětí ve stejné lokalitě, které budou společně spravovat. Investice se očekávají ve výši zhruba €930 milionů. To má přinést výrazné zvýšení produkčních kapacit obou společností. V budoucnu by se mělo produkovat v současné a nových továrnách až 240 000 kusů 300mm waferů. Společná účast bude i na vývoji nových technologií. Zdroj: xbitlabs, elpida

Společnost Elpida začala dodávat vzorky 512Mbit XDR pamětí, tento druh pamětí zaznamenal slušný zájem a 90nm výrobní proces by měl zajistit přijatelnější ceny čipů i jejich snadnou masovou produkci. XDR paměti jsou jako stvořené pro HD televize, hrací konzole (PlayStation 3) a další produkty vyžadující vysokou přenosovou rychlost. Právě vysoká přenosová rychlost je totiž hlavní devizou těchto pamětí. Při organizaci 4M × 16-bit × 8 bank operují na neuvěřitelné efektivní frekvenci 4GHz, což má za následek přenosovou rychlost 8GB/s. Za takto vysokou efektivní frekvenci může ODR (Octal Data Rate, tedy přenos osmi bitů za takt). To je čtyřnásobek DDR (Double Data Rate), které za jeden takt přenesou pouze dva bity. Paměti jsou dodávány v balení 104-ball FBGA. XDR paměti jsou počinem společnosti Rambus. Zdroj: www.elpida.com

Společnost Elpida opět vylepšuje své DDR3 SDRAM paměti novými obvodovými technologiemi. Díky těmto novým technologiím mohl být počet vodičů signálů snížen na polovinu, což umožnilo rovněž snížit parazitních kapacit. Přístupová doba k cílové buňce v daném sloupci (Column Access Time) činí pouhých 8,75ns. Přitom je třeba napětí pouze 1,5V (DDR2 1,8V a DDR dokonce 2,5V). Dalším vylepšením jsou nové generátory signálů s dvěma typy čítačů. Jeden pro liché cykly, druhý pro sudé. Při vstupní frekvenci 800MHz dosahuje přenosové rychlosti 1,6Gbps (tedy jako 1600MHz). 512Mbit DDR3 SDRAM čipy Elpidy jsou vyráběny 90nm procesem, masová produkce začne s ohledem na požadavky trhu. Zdroj: www.elpida.com

Společnost Elpida Memory oznámila, že začíná dodávat své 2Gbitové DDR2 paměti. Ty jsou vyráběny 80nm procesem a očekává se použití ve výkonných sestavách a serverech. Paměti této japonské firmy budou vyráběny na 300mm wafer v E300 Fab v Hirošimě. Elpida nabídne paměti s frekvencemi 533, 667 a 800 Mhz a logickou organizaci 64M x 4bit x 8banks či 32M x 8bit x 8banks. Napájeny budou 1,8V a teplotní rozsah je 0 až 85°C. Co se pouzdra těchto DIMM paměťových čipů týče, jedná se o 68pinové FBGA. Zatím jde o distribuci vzorků, plná výroba začne v prvním čtvrtletí příštího roku, kde vyráběné kapacity modulů budou až 8GB. Přesné datum vydání a cena bude záležet na poptávce na trhu. Zdroj: XBit Labs

Společnost Elpida Memory začala nedávno dodávat první vzorky DDR3 pamětí společnosti Intel. Nejedná se o čipy pro grafické karty, ale klasické operační paměti. Je to výrazný krok vzhledem ke konkurenci, neboť ta údajně většinou pracuje s prototypy. Navíc je na počátek příštího roku naplánována hromadná distribuce vzorků i pro ostatní partnery společnosti Elpida. Intel tak zatím dostává vzorky 512MB a 1GB DDR DIMM modulů s frekvencí 1066Mhz (u DDR3 pamětí se plánuje rozsah od 800Mhz do 1600Mhz). Napájení je 1.5V a paměti budou určeny pro přípravu základních desek. Datum komerčního vstupu na trh není známo. Zdroje: TGDaily, Digitimes

Japonská společnost Elpida Memory Inc. uvedla na trh 512Mbit paměťové čipy pro elektroniku typu digitální televize, set-top boxy či DVD rekordéry. Poptávka po pamětech do těchto zařízení s jejich rostoucí oblibou stoupá. Vyspělá 90nm výrobní technologie umožňuje snížení spotřeby o slušných 30%. Během příštího roku se právě očekává obrovská poptávka po rychlých 512Mbit čipech. Vyrábí se ve dvou verzích, EDD5116AFTA (32M×16bit) a EDD5108AFTA (64M×8bit). Přenosová rychlost čipu činí při časování CL3 400Mbps. V konfiguraci x16 tak dvojice čipů může dosáhnout přenosové rychlosti 1,6GB/s. Takto vysoké přenosové rychlosti dovolují použití čipů v oblastech, kde se pracuje s grafikou vysokého rozlišení. Paměti splňují normu RoHS, jsou dodávány v 66 pinovém pouzdře TSOP II. Pro navigační systémy automobilů plánuje společnost Elpida vývoj 512Mbit čipů schopných pracovat při teplotách -40°C až +85°C. Zdroj: www.elpida.com

Jen co se DDR2 čipy konečně začaly ve velké míře prodávat, už Elpida vyvíjí jejich nástupce, 512Mbit čipy DDR3. Tyto čipy mají být stejně jako předchůdci používány v noteboocích, klasických PC i serverech. Navíc mají přinést v základu neuvěřitelné přenosové rychlosti 1333Mbit/s (tedy DDR3-1333 čipy). To je dvojnásobek dnes masově vyráběných čipů. Existují však i DDR2 čipy s frekvencemi nad 1GHz. Elpida používá "dual-gate" tranzistory, které mají zamezit vzniku zbytkového proudu, což je vedlejší efekt snahy běžet s nižším napětím při vyšším výkonu. Dual-gate tranzistory se používají u výkonných procesorů, ale použití v produktech DRAM je premiérové. Přestože DDR3 paměti budou nabízet mnohem vyšší přenosové rychlosti, mohou se pyšnit nižším provozním napětím 1,5V v porovnání s 1,8V pamětí DDR2. To přinese opět o něco sníženou spotřebu (ovšem pokud příliš nevzroste proudový odběr). Automatická kalibrace výstupního bufferu pak přináší lepší kontrolu nad

Elpida uvedla na trh nové vysokokapacitní paměťové moduly FB-DIMM (Fully Buffered Dual In-Line Memory Module) o neuvěřitelné kapacitě 4GB. Servery tak mohou být zase o něco výkonnější, když přináší vylepšené časování, podporu vysokorychlostních sběrnic. 4GB modul se skládá z 32 1Gbit paměťových čipů DDR2 SDRAM. Jsou k dostání v provedeních PC2-4200F a PC2-5300F. Moduly PC2-4200F (DDR2-533) disponují latencemi CL 4-4-4, moduly PC2-5300F (DDR2-667) pak CL 5-5-5. U rychlejších modulů tak činí propustnost 5,3GB/s, při čtyřkanálovém zapojení to pak může činit teoreticky maximálních 21,2GB/s a to je na paměťový subsystém opravdu hodně. Při základních deskách s osmi paměťovými sloty tedy můžete osadit server 32GB paměti. Moduly se dále vyznačují velmi úzkou stavbou. Jejich šířka činí 6,7mm, přičemž standardy JEDEC vyžadují maximálně 9,8mm. To umožňuje zlepšit proudění vzduchu mezi moduly a tím i jejich chlazení a v neposlední řadě je to dobré i pro jejich životnost. 4GB moduly jsou zatím dodávány v m

90nm výrobní proces se stal u pamětí již standardem a většina výrobců pokračuje k další miniaturizaci. Pozadu nezůstává ani Elpida Memory, která nyní přinesla zmínky o výrobě 2Gb pamětí DDR2 pomocí 80nm výroby. Díky pokroku bude moct Elpida na začátku roku 2006 uvést 4GB a 8GB paměťové moduly DDR2. Jen dodejme, že Samsung vyrobil první vzorky na 80nm již před téměř rokem, i nyní ale stále vyrábí na 90nm. Elpida prozatím nezveřejnila bližší podorobnosti o plánovaných rychlostech, ale připustila že noé paměti budou určeny do nejvytíženějšího segmentu pamětí DDR2 s frekvencí 800MHz. Paměťové moduly samozřejmě podléhají standardům JEDEC a jsou vyráběny v 68-pinovém provedení. Výška čipů činí 30 mm a díky tomu je možné vyrábět malé 30.35 mm vysoké paměťové moduly. Hromadná výroba je plánována až na konec května 2006. Do té doby bude Elpida využívat 90nm výrobní proces. Zdroj: http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20050626184742.html

Společnost Elpida, japonský to producent pamětí typu Dynamic Random Access Memory (DRAM), oznámila 4 GB DDR2 Registered Dual In-Line moduly s propustností až 8,4 GB určené především pro nasazení v serverech. Firma se také dušuje, že díky vlastní technologii "stacked FBGA" bylo možno vyrobit moduly o 30 % hubenější, nežli vyžaduje nynější JEDEC standard. Nynější generace DDR2 nabízí CAS latency (CL) 3-4-5, burst length 4 nebo 8 a pracovní napětí 1,8 V. Masová produkce začíná v červenci 2005.

Podobně jako za Vánocemi či Velikonocemi, i za svátkem svatého Valentýna, vidí ryzí obchodník především vyšší obrat, což je hlavní důvod, proč se v tato období objevují nejrůznější předměty vybavené patřičnou symbolikou. Kombinaci Valentýn a paměti jsme tu ale ještě opravdu neměli: Nakonec, co dát své drahé polovičce lepšího než nějaký kus hardware? Výše zobrazený kus je 512 MB DDR modul určený pro 400 MHz FSB s CL 2,5 a cenou 66 USD za kus. Už i samo balení pamětí nepřipomíná příliš technický obsah, ale evokuje spíše krabici bonbónů. Tato modifikace stojí 87 USD, jedná se o 512 MB DDR modul s čipy Elpida, opět podporující 400 MHz FSB, tentokrát s CL=3.

Japonský výrobce pamětí, firma Elpida, sdělila veřejnosti, že její nová technologie zvýší výdrž baterií u přenosné elektroniky - PDA, notebooků, Tablet PC a podobných zařízení. Znamenat to může 2 věci - jednak, že zařízení budou moci být lehčí, protože s menší baterií vydrží stejnou dobu nebo naopak budou mít při stejné váze delší výdrž, tak jako tak na tom uživatel netratí. Běžné SDRAM paměti používají funkci self refresh, Elpida však tvrdí, že vyvinula vylepšený postup "super self refresh," který za pomoci tepelného senzoru sám automaticky upravuje časování obnovovacích cyklů, což je dle firmy údajně až o 95 % efektivnější. V porovnání se zlepšovákem Elpidie tedy dnešní paměti spotřebují klidně i 20x více proudu. Paměti s touto technologií by se měly objevit v masové produkci již v průběhu letošního března.

Společnost Elpida Memory včera oznámila, že se jí podařilo dokončit přípravu výroby pomocí 90nm výrobního procesu. Od počátku příštího roku se touto technologií budou vyrábět komponenty 512 Mb a 1Gb DDR2 SDRAM. Výrobce očekává, že přechodem k modernější výrobě zvýší o 20 % svou efektivitu práce, litografický proces na výrobních linkách se přitom nějak zásadně neliší oproti starší výrobě.

Japonská společnost Elpida Memory ohlásila dokončení vývoje vůbec první paměti 1Gb DDR2 SDRAM, která je schopná provozu na frekvenci 800 MHz. Současná maximální rychlost používaná v high-end serverech, která je zároveň zahrnuta ve standardu JEDEC je 667 MHz a i při této rychlosti lze pochopitelně novou paměť používat. Čipy jsou vyráběny 100nm technologií a jsou navrženy tak, aby byla eliminována všechna úzká hrdla na cestě signálu i dat.

Jeden z velkých výrobců paměťových modulů, firma Elpida, dnes oznámil zahájení produkce DDR2 pamětí. Jedná se o moduly s kapacitou od 512 Megabitů až po 2 Gigabyte. Všechny moduly pak jsou beleny pomocí BGA technologie, přičemž tloušťka 2 Gigabytového modulu činí pouze 4,8 milimetrů a přenosová rychlost 4,3 Gigabytů. Z přenosové rychlosti také vychází označení PC2-4300. Zdroj: Elpida

Jeden z největších výrobců pamětí, společnost Elpida, začal vyrábět první 0,11mikronové vzorky modulů DDR2-533, jejichž kapacita je celkem 2GB! Tyto 240-pinové modely obsahují 36 čipů o kapacitě 512Mbit a jejich reálná frekvence je 266MHz (tedy 533MHz efektivně). V dvoukanálovém uspořádání mohou dosahovat propustnosti až 8,6GB/s. Hromadná výroba by měla začít koncem letošního roku, ale trh se po DDR2 začne shánět až s příchodem určitých čipsetů, tedy od druhého kvartálu 2004. Zdroj: Digit-Life

Společnost Elpida představila paměťové moduly DDR 2 typu registered o kapacitách 512 MB a 1 GB. Moduly nesou označení EBE10RD4ABFA a EBE51RD8ABFA. Nabízejí datovou propustnost 3,2 GB/s nebo 6,4 GB/s při dvoukanálové konfiguraci. Napájecí napětí je 1,8 V. Moduly se skládají z osmnácti 512 Mbit čipů typu DDR 2 ve standardním 240-pinovém FBGA balení, které odpovídá specifikaci sdružení JEDEC. S jejich podporou se počítá v následující generaci čipových sad společnosti Intel, která nese kódové označení Lindenhurst. Jsou určeny k použití na serverové platformě, kde zajistí vysoký výkon při nízké spotřebě energie a malé míře vyzařovaného tepla. Jedná se o výrobky nabízející v současné době největší paměťovou propustnost pro serverovou platformu. Zdroj: http://www.digit-life.com

Společnosti Kingston a Elpida oznámily, že 512Mbit DDR-2 paměťové čipy od Elpidy vyhověly testům společnosti Kingston. Výrobce bude na základě těchto čipů vyrábět paměťové moduly typu unbuffered s kapacitou 512 MB, které budou intenzivně testovány pro dosažení shody se specifikací standardu DDR-2 vydaného sdružením JEDEC. Tento druh paměťových modulů by měl být klíčový pro nasazení ve výkonných pracovních stanicích v roce 2004. Paměťové moduly budou typu PC2-4300 a budou podporovat maximální datovou propustnost 4.3 GB/s, neboli 8.6 GB/s v duálním konfiguraci. Pro výrobu čipů Elpida využívá 110 nm výrobní proces, který přináší 50% úsporu spotřebované energie oproti předchozím čipům DDR. První vzorky modulů by měly být dostupné ke konci roku 2003. Zdroj: http://www.digit-life.com

Společně s uvedením 512Mb paměťových čipů typu PC3200 DRAM představila společnost Elpida také své nové 1GB unbuffered paměťové moduly. 512Mb PC3200 paměťové čipy Jsou vyráběny 110nm výrobním procesem a pro balení se využívá technologie TSOP. Čipy pracují na frekvenci 400MHz a mají možnost nastavení následujících dvou časování: 3-3-3 a 3-4-4. Vyráběny jsou ve městě Hirošima v Japonsku. Výrobky odpovídají specifikaci sdružení JEDEC. 1GB unbuffered PC3200 paměťové moduly Tyto nové moduly jsou postaveny na základě výše uvedených 512Mb paměťových čipů. Jedná se o 184-pinové moduly typu PC3200 (DDR 400) s kapacitou 1GB, které nesou kódová označení EBD11UD8ADFB a EBD11ED8ADFB. Výrobky jsou vybaveny nízkým napájecím napětím VDD 2.6V a podporují maximální propustnost 3.2GB/s. Jejich časování je CL3 a jsou dostupné v provedení unbuffered. K dispozici bude také unbuffered verze podporující Error Correction Code (ECC). Zdroj: X-bit labs

Společnost Elpida uvede na trh paměťové moduly typu PC3200 (DDR 400) o kapacitě 1GB. Pro výrobu budou použity 512 Mbit paměťové čipy typu DDR 400 vyráběné 110 nm procesem. K dispozici budou jak verze s technologií ECC, tak bez ní. Moduly budou vybaveny časováním CAS3 a s jejich prodejem by se mělo začít v prosinci 2003.

Společnost Elpida uvedla na trh nové paměťové čipy 256Mbit x 32 SDRAM s nízkou spotřebou určené pro použití v noteboocích. Jedná se o čtyři modely s označením EDS2532AA, EDS2532CA, EDS2732AA, EDS2732CA, které jsou organizovány jako 2M x 32bit x 4 a pracují na frekvenci 166MHz. Pro výrobu se používá technologie 110nm a čipy jsou dodávány ve standardním 90-pinovém FBGA provedení, které je schváleno sdružením JEDEC. Pro napájení vyžadují 3.3/2.5V VDD. Do prodeje by měly jít v září 2003.

Elpida oznámila uvedení prvního DDR SDRAM paměťového modulu s kapacitou 256MB pro mobilní zařízení. Modul nese označení EDL2516CBBH, je vyráběn 110 nm procesem a pracuje na frekvenci 400 MHz. Oproti klasickým modelům přináší 90% úsporu ve spotřebě a 10% úsporu ve velikosti. Pro napájení je použito napětí 1.8V +/- 0.15V a velikost modulu je 9x13mm. Vestavěna je funkce automatického tepelně kompenzovaného samostatného obnovování ATCSR, která pracuje s taktem 8192 obnovovacích cyklů za 64ms a způsobuje nižší energetickou spotřebu. Nyní jsou již k dispozici testovací vzorky, s hromadnou výrobou se začne v červnu.