Články s výrobcem Hynix (strana 7 z 8)

Včera odpoledne místního času měl v čínské továrně firmy SK Hynix vypuknout velký požár, jehož fotografie začaly plnit sociální sítě. Jedná se o továrnu ve městě Wuxi, které leží u východního pobřeží v provincii Jiangsu. Prozatím nejsou k dispozici oficiální informace, neboť čínské orgány ani samotná firma SK Hynix ještě nepodaly žádné vyjádření. Tato firma mimochodem byla postižena podobnou událostí v únoru roku 2008, kdy vzplanula její továrna v Koreji. Co se týče továrny ve Wuxi, pak v té probíhá kompletace čipů, čili jejich umisťování do keramických nebo plastových pouzder, která následně dostanou popisek. A že jde o firmu SK Hynix, pak se to týká paměťových čipů DRAM a/nebo NAND Flash, které tato společnost začala nedávno vyrábět ve velkém právě na úkor DRAM. Prozatím se tedy pochopitelně neví, jaký bude mít tento požár dopad, ale pokud nějaký bude, pak se dotkne především cen paměťových čipů. Zdroj: TZ Chiphell

Společnost Hynix si připravila SSD prodávané pod její vlastní značkou. Určené je podnikům i běžným zákazníkům a konkrétně míří do ultrabooků díky své tloušťce 7 mm. Dostalo označení SH910 a také firemní paměti NAND Flash H27QDG8VEBIR-BCB. Ty jsou vyráběny 25nm procesem a spojuje je kontroler SandForce SF-2281 od LSI, tedy dnešní klasika. Hynix nejdříve nabídne dva modely s kapacitou 128 GB a 256 GB a slibuje, že díky upravené technice overprovisioning nám z dostupné kapacity neukrojí tolik, co jiné modely. Výkon je na použitý kontroler celkem standardní, a to 520 MB/s při čtení, 500 MB/s při zápisu a 600000 IOPS při náhodném 4K čtení a 35000 IOPS při zápisu. SSD také podporuje 128bitové AES šifrování (ještě před pár dny by to bylo 256bitové), příkaz TRIM, NCQ a S.M.A.R.T. Zdroj: Hermitage Akihabara

Známé společnosti Hynix a IBM dnes oznámily, že podepsaly dohodu o spolupráci na vývoji technologie Phase Change Random Access Memory (PCRAM). Na těch pracoval již dříve také Samsung a v minulém roce samotné IBM oznámilo pokroky v jejich vývoji. IBM tedy do spolupráce přinese své dlouholeté zkušenosti s PCRAM a také s technologií MLC (Multi-Level Cell), s níž je vyráběna většina spotřebitelských SSD. Hynix má zase za sebou již prototyp 1Gb čipu PCRAM vyrobeného 40nm procesem, a tato firma by tak měla poskytnout výrobní kapacity pro nově vyvinuté paměti. PCRAM mají oproti klasickým DRAM výhodu, že nepotřebují být pod napětím, aby si udržely informaci a ve srovnání s NAND Flash jsou zase výkonnější a mají o mnoho vyšší počet možných mazacích a zapisovacích cyklů. To je ostatně u operačních pamětí velmi důležitá vlastnost. Počítač nebo jiné zařízení s takovými paměťmi by se tak mohlo hibernovat a následně se ihned zapnout bez bootování do svého původního stavu. Výkon PCRA

Společnost Elpida jsme opustili na konci února, kdy poslední zprávy hovořily o tom, že ji čeká restrukturalizace pod přísným dohledem přiděleného správce. Od té doby o tohoto posledního japonského výrobce pamětí DRAM projevily zájem firmy Micron, Toshiba a SK Hynix. A nyní se zdá, že Elpidu nejspíše získá americký Micron, neboť ten zvýšil svou předchozí nabídku, přičemž firmy Toshiba a SK Hynix se prý v reakci na to z jednání stáhly. Micron je prý připraven za Elpidu zaplatit 2,5 miliardy USD a přitom slibuje, že ponechá japonské továrny otevřené a ani nebude propouštět. Tato nabídka celkem pochopitelně oslovila Yukio Sakamota (CEO Elpidy), který je připraven dále jednat. Pokud celá věc klapne, pak Micron předhoní firmu Hynix co se týče podílu na trhu DRAM a zaujme druhé místo hned za neohroženým Samsungem. To by byla jistě dobrá zpráva už jen proto, že by se trošku otřásla pozice obou zmíněných korejských firem. Ale nezapomínejme, že to, co dostalo Elpidu až před toto kr

Společnosti Toshiba a Hynix oznámily, že jsou připraveny spolupracovat na budoucím vývoji a výrobě pamětí typu Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM). Jedná se o paměti, o jejichž výrobu se společnosti snaží již delší dobu. Paměti MRAM mají tu výhodu, že jsou stálé, takže nepotřebují být napájeny k tomu, aby si uchovali informaci. To činí pomocí přepólování tenké magnetické vrstvy, což je způsob, který je ve srovnání s klasickými DRAM energeticky efektivnější, takže se jejich využití předpokládá u budoucích mobilních zařízení. Výkonnostně by na tom také měly být dobře, a tak by se mohly dočkat i klasické PC, u nichž by to znamenalo také úspory energie a rychlou hibernaci a zotavení se z ní. Kiyoshi Kobayashi z firmy Toshiba uvedl, že vidí v MRAM velký potenciál jako náhradu za RAM a nejen za ty. Prý budou silně prosazovat integraci úložných zařízení založených na MRAM, NAND i HDD. Prozatím ale Toshiba s Hynixem neuvádí, kdy bychom se mohli dočka

Hynix v pondělí oznámil, že vyvinul 2GB DDR4 DRAM ECC-SODIMM. Vyráběné jsou 30nm výrobní technologií, splňují standard JEDEC a jsou určené především pro malé servery. DDR4 DRAM jsou paměti příští generace, které spotřebují méně energie, zatímco dosahují vyšších rychlostí než DDR3 DRAM. Tyto nové paměti pracují rychlostí 2400 Mbps (o 80% rychleji než DDR3 1333 Mbps) při nízkém napětí 1,2 V. Dle průzkumu trhu vzroste podíl DDR4 pamětí z 5% v roce 2013 na více než 50% v roce 2015, kdy by se měly stát mainstreamem. Přitom DDR3 by měly dosáhnout svého maxima v roce 2012 se zastoupením 71 % (s odhadovaným poklesem na 49 % v roce 2014). Hynix má v plánu tyto paměti začít prodávat v druhé polovině příštího roku. Zdroj: techpowerup.com; hynix.com

Společnost HP oznámila, že ve spolupráci s Hynixem se chystá uvést na trh nový prvek paměťových obvodů, který vyvinula ve svých HP Labs a nazývá jej memristor. Ten se objeví v nových rezistivních pamětech s libovolným přístupem, čili Resistive Random Access Memory (ReRAM). fotografie memristoru Memristor neboli „paměťový odpor“ postuloval jako čtvrtý základní prvek obvodů profesor Leon Chua z University of California v Berkeley v roce 1971 a poprvé jej experimentálně prokázali vědci z HP Labs v roce 2006. Takové paměti slibují nižší spotřebu energie a především stálost, tedy schopnost uchovat informace i bez nepřetržitého napájení. V porovnání se současnými paměťmi mají být ReRAM také rychlejší a mají ještě jednu výhodu. Memristor může řešit i logické funkce, takže je možné aby paměti prováděly i výpočty. K takovým produktům ale musí obě firmy urazit ještě kus cesty, a tak se zatím nedá říci, že by hotové ReRAM klepaly na dveře. Zdroj: TZ HP

Hynix oznámil, že začal s masovou produkcí 64gigabitových (8GB) pamětí typu NAND Flash, které jsou tvořeny 2Xnm výrobním procesem, což znamená, že jde o 20 - 29 nm, což nebylo více upřesněno. Děje se tak v továrně M11 v Cheo Ngju, která používá 300mm wafery. Před 3Xnm technologiemi má nový proces dle výrobce výhodu ve 60procentním zvýšení produktivity, takže je možné tvořit levnější čipy s větší kapacitou, které se budou hodit pro chytré telefony, SSD a další zařízení. Hynix nakonec oznámil, že první produkty vyrobené tzv. "20nm class" technologií přijdou na trh ještě tento rok. Zdroj: TCM

Společnost Hynix se zaměřila na nízkonapěťové paměti typu DDR2 s kapacitou 2 Gb. Ty přicházejí asi třičtvrtě roku po 1Gb čipech vyráběných 54nm technologií a jedná se o vůbec první 2Gb paměti označované jako Low Power DDR2 DRAM. Vyráběny jsou pomocí 40nm technologie, pracují na napětí 1,2 V a dosahují propustnosti 4,26 GB/s. Využití si pak mají najít v zařízeních, jako jsou smartphony, tablety nebo smartbooky, přičemž mají vstoupit do produkce ještě v této polovině roku. Zdroj: TCMagazine

Společnost Hynix oznámila, že se jí podařilo vyrobit vůbec první paměťový čip GDDR5 DRAM s kapacitou 2 Gb, jenž přišel na svět 40nm technologií. Jeho použití je zřejmé - uplatní se v grafických kartách a herních konzolích. Nové čipy GDDR5 pracují na napětí 1,35 V a spotřebují o 20 procent méně energie než podobné čipy vyráběné 50nm procesem. Jejich maximálním taktem je hodnota 7000 MHz s 32bit I/O. Do výroby se dostane v druhé polovině roku 2010, takže se uplatní pravděpodobně až v dalších generacích grafických karet ATI a NVIDIA. Zdroj: TCM

Společnosti Hynix Semiconductor, Samsung, LGE a Silicon Image se sloučily se záměrem vyvinout nové specifikace pro paměti DRAM s označením SPMT (Serial Port Memory Technology). Ta si má najít cestu do mobilních zařízení, jimž poskytne vysokou datovou propustnost a také nízké nároky na energii. Počet potřebných pinů se má v porovnání s dnešními typy DRAM zredukovat alespoň o 40 procent a co se týče propustnosti, ta bude dle vyjádření firem škálovat od 200 MB/s do 12,6 GB/s a následně i více. Zmíněné firmy tak utvořily sdružení SPMT a chystají se propagovat vlastní technologii především v oblasti mobilních zařízení zaměřených na multimédia. Pro lepší prosazení na trhu pak toto sdružení nebude chtít od ostatních licenční poplatky, ale pouze roční příspěvky pro další financování vývoje SPMT. Na trh se má tato technologie dostat asi v roce 2012. Zdroj: TC Magazine

Společnosti Hynix, Numonyx a Phison se dohodly na tom, že budou společně vyvíjet kontrolery pro paměťová zařízení využívající NAND flash. Ty budou splňovat specifikace JEDEC eMMC 4.4, které byly nedávno představeny. Zmíněné tři strany doufají, že si tímto upevní vedoucí pozici ve svém oboru a Hynixu to napomůže i k rozšíření svého podílu na trhu s produkty pro NAND flash, přesněji oblast microSD, eMMC a SSD. Zařízení eMMC jsou určeny pro mobilní platformy generace 3G+ a standard V4.4 počítá s mnoha vylepšeními včetně dvojnásobení výkonu přenosového rozhraní, flexibilní management oddílů a také zvyšenou bezpečností. Reální produkty vyvinuté firmami Hynix, Numonyx a Phison mají být na světě ještě tento rok. Zdroj: X-bit labs

Společnost Hynix je bezesporu jedním z největších výrobců paměťových čipů, což dokazuje i svými pokroky. Nedávno tato společnost oznámila, že chystá své 1Gb (tedy 128MB) paměťové čipy typu DDR3, jež budou vyráběny 40nm technologií, na třetí čtvrtletí tohoto roku. Zhruba v tu dobu budou také reálně k dispozici firemním partnerům. Jde o modely H5TQ1G83CFR s maximální rychlostí 2133 Mbps a schopností pracovat při široké škále napětí. Firma také říká, že oproti 50nm procesu výroby DRAM její nová "trojrozměrná technologie" a 40nm proces umožnil zvýšení produktivity o více než 50 procent. Pokročilejší proces pak má samozřejmě také snížit spotřebu a produkci odpadního tepla a nyní nové paměti již čekají pouze certifikační procedury a ladění. A my se můžeme těšit na další snižování cen modulů DDR3 a jejich zrychlování. Zdroj: DigiTimes

Příznivce rychlých grafických karet jistě potěší, že společnost Hynix představila nové 7GHz paměťové čipy typu GDDR5. Jedná se o 1Gb čipy vyráběné firemním 54nm procesem, které jsou napájeny napětím 1,35 V. Předchozí generace GDDR5 čipů přitom pracuje "pouze" na 4,5 GHz a vyžaduje 1,5V napětí. Hynix se však nezmínil o tom, zda tyto čipy již testují jeho hlavní partneři - AMD a NVIDIA. Ty by je mohly využít ve svých příštích generacích grafických karet Radeon a GeForce. AMD má přitom se svými Radeony HD 4870 před NVIDIÍ náskok, protože ta stále využívá GDDR3 a rozdíl dohání větší šířkou paměťové sběrnice. To však neznamená, že tento náskok NVIDIA nemůže v další generaci stáhnout. Jestliže se takové paměti u příštích karet objeví, mohou jim na 256bitové sběrnici přinést propustnost 224 GB/s a na 512bitové ještě dvojnásobně více. To pokud srovnáme s dnešními GDDR5 u Radeonů HD 4870, jež pracují na 3,6 GHz, jedná se o dvojnásobek, respektive čtyřnásobek pro

Společnost Hynix Semiconductor, jeden z největších světových dodavatelů pamětí DRAM, má uzavřít svou továrnu v oregonském Eugene. Stojí za tím fakt, že ceny těchto produktů šly v poslední době velmi strmě dolů, což dále zvyšuje konkurenční tlak, a výrobci proto chtějí své náklady na výrobu minimalizovat. Hynix k tomuto důvodu přidává ještě to, že v dnešní době se také přechází na novější paměťové technologie a kvůli těmto dvěma důvodům se produkce v oregonské továrně zastaví s koncem září. Firma již také přemýšlí, jak se svou továrnou naloží dále. Uvažuje se o jejím využití pro jiné výrobní účely, prodání celé továrny i s vybavením další firmě a prodej budov s pozemky zvlášť a přemístění vybavení. Dalšími "ohroženými" továrnami pak jsou Icheon a Cheongju, Korea, které využívají 200mm wafery. Ty buď budou pokračovat s produkcí, nebo se jejich vybavení rozprodá. Zdroj: X-bit labs

Podle DRAMeXchange budou ceny DRAM pamětí v následujících dvou týdnech růst. Může za to výpadek proudu v čínské továrně Wuxi společnosti Hynix, který nastal 19. května. Dodávky pamětí budou zpožděny, případně jich bude o něco méně. Tento nárůst však nebude příliš velký. Původně se očekávalo výraznější zdražení, nicméně to vypadá na zvýšení cen o 5 - 10 % v první polovině června. Navýšení cen očekává i společnost Elpida. Zájem o paměti by měl pak vzrůst s letošním červnovým Computexem, kde se jistě dočkáme mnoha zajímavostí. Zdroj: www.digitimes.com

Snad všechny průzkumy v poslední době hlásí to samé, včetně toho od společnosti Isuppli. Velcí výrobci NAND Flash čipů, jako Hynix Semiconductor, Micron či Intel hromadně zvyšují své zisky. Například příjmy Hynixu se zvýšily ve třetím čtvrtletí o 79,1 % na 806 milionů amerických dolarů. U Micronu to bylo 285,4 milionu dolarů, o 75,5 % více; u Intelu byl nárůst nejnižší, 47,9 % na 132 milionů. Zisky Samsungu byly 1,7 miliardy, firma tak ztratila více jak 5 % trhu, nicméně stále je největším výrobcem. Na druhou stranu však výrobcům klesají zisky z výroby DRAM čipů, někteří jsou i v miliardových ztrátách. Co z toho plyne? Někteří již ohlásili snížení výroby DRAM čipů, jelikož k současné situaci vedla právě čím dál tím větší výroba a tím pádem i nutně nižší ceny. Stejný trend je nyní u Flash, které se zlevňují, kupují se více, a tím ještě více zlevňují. Nicméně jednou narazí na určitou hranici, podobně jako DRAM. Ty se zřejmě zdraží v prvním čtvrtletí rok

Společnost Hynix Semiconductor představila první 1Gbit GDDR5 paměťové čipy. Jsou vyráběny 66nm procesem a jejich masová produkce je naplánována na první polovinu roku 2008. Předpokládá se, že přijetí GDDR5 čipů bude velmi pozitivní a už v druhé polovině roku 2008 budou dominovat trhu grafických karet na úkor starších typů pamětí. Nové paměti Hynixu pracují s efektivní frekvencí 5 GHz, což znamená při 32-bitovém výstupu přenosovou rychlost 20 GB/s. Pokud budou tyto paměti ve 256-bitovém zapojení (tedy 8 čipů), bude mít grafická karta kapacitu pamětí 1 GB a přenosovou rychlost 160 GB/s. V případě 512-bitového zapojení (16 čipů) by šlo dokonce o 2 GB a 320 GB/s. Ale takových karet s GDDR5 čipy se patrně jen tak nedočkáme. Výhodou GDDR5 pamětí jsou také kromě jejich velmi vysokých frekvencí také poměrně malé rozměry a nízká spotřeba daná mimo jiného také mnoha spořícími technologiemi. K dispozici je také korekce chyb ECC. Zdroj: www.digitimes.com

Společnost Hynix Semiconductor si od společnosti Innovative Silicon licencovala paměťovou technologii Z-RAM pro použití ve svých pamětech DRAM. Paměti DRAM založené na Z-RAM budou využívat jednotranzistorové buňky (single transistor bitcell), ne kombinaci tranzistorů a kondenzátorů. Hynix tak do rukou dostává zajímavou technologii, která by mohla podstatně zlepšit jeho postavení na trhu díky předpokládané levné výrobě, protože mají menší rozměry při stejné kapacitě. Technologii Z-RAM si již v minulosti licencovala firma AMD, která ji chtěla využít u svých 65nm procesorů pro cache. Nakonec z toho ale sešlo a ani IBM se pro Z-RAM nerozhodlo a radši zůstalo u eDRAM. AMD si ale licenci samozřejmě ponechá a možná ji využije pro jiné účely. Společnost Innovative Silicon hodlá s Hynixem dle slov jejího CEO Mark-Erica Jonese na vývoji Z-RAM spolupracovat. Oproti SRAM má Z-RAM nabídnou pětkrát větší hustotu a ve srovnání s DRAM dvakrát větší. Co se týče spotřeby, pak si techno

Ceny paměťových modulů dlouhodobě zaznamenávají trvalý pokles, čímž se zisky všech výrobců neustále a drasticky krátí. Jen ten, kdo přijde s něčím novým, si může krátkodobě ponechat ceny vyšší. Podle DRAMeXchange statistik DDR2 DRAM 512MB moduly ve druhém kvartále klesly o více jak 40%. Nicméně výrobci přešli na 300mm křemíkové desky, 70nm výrobní proces a výsledkem byl celkový nárůst prodejů o 23 % ve srovnání s prvním kvartálem tohoto roku. Výsledky jsou sestaveny v tabulce. Vývoj na prvních deseti místech za uplynulé období je sestaven do grafů, kde je vidět, že Samsung se vrátil na první pozici, naopak Hynix ji ztratil. Omnia zaznamenala další ztrátu podílu na trhu, jinak byl vývoj vcelku poklidný. Zdroj: Mydrivers

V uplynulých dnech byly zveřejněny dodávky polovodičů na rychle se rozvíjející čínský trh. Ten zaznamenal za minulý rok nárůst prodeje ve výši 11,8 % oproti roku 2005, čímž dosáhl celkové hodnoty 66,3 mld USD. Hodnocení je provedeno ve třech regionech, centrální Čína, Hong-Kong a Taiwan. V tabulkách naleznete po deseti předních prodejcích v každém s regionů, rovněž je zde hodnota jejich prodejů s meziročním vývojem v prodejnosti. O postavení nejsledovanějších firem v oblasti procesorů, jako jsou Intel a AMD, si každý může udělat svůj obraz. Za povšimnutí však stojí i další společnosti jako jsou TI, Samsung, Hynix a další. Další podrobnosti naleznete ve zdroji. Zdroj: Tech ON

Jižní Korea byla a stále je lídrem ve výrobě DRAM pamětí. Velkými tahouny jsou zde společnosti Samsung a Hynix. V roce 2006 měla Jižní Korea zastoupení 46%, čínští/taiwanští výrobci jen 17%. Podle předpokladů iSuppli se začne podíl čínských a taiwanských výrobců výrazněji zvyšovat. Pro rok 2007 se předpokládá, že Jižní Korea zaujme opět první místo se 47%, Čína s Taiwanem by si však měla polepšit na 31%. Zbytek světa se spokojí s cca 22% zastoupením. Pro rok 2008 se hovoří o dalším navýšení z 31% na 35%, u jihokorejských výrobců pak k mírnému poklesu na 46%. Ti tak sice budou i nadále vést v produkci, ale rozdíl se opět výrazně zmenší. Jihokorejští výrobci v poslední době navyšovali výrobu, ceny klesaly a nyní jsou pro mnoho z nich už pod výrobními náklady, aby bylo tolik čipů vůbec prodejných. Z tohoto důvodu se očekává pro příští rok snížení výroby a nejspíš i nárůst cen. Čínští a taiwanští výrobci naopak začínají svou výrobu zvyšovat a předpokládá se, ž

Na čínských serverech HKEPC Hardware se v uplynulých dnech objevila zpráva o standardu DDR3 pro rok 2009 a zároveň na serveru Tech-On! zase informace, že Hynix Semiconductor jako první získal atest pro použití DDR3 paměťových modulů pro platformu Intel. Jak jsme informovali, jsou již vyráběny základní desky s čipovými sadami Intel P35 'Bearlake', u nichž se počítá s podporou pamětí DDR3. Pojďme se tedy podívat na uvedená fakta. Čipovou sadu Intel P35 a G33 'Bearlake' by měl Intel v nejbližších dnech oficiálně představit. Hromadná výroba 1Gb a 2Gb čipů DDR3 na 80nm lince začne ve třetí čtvrtině tohoto roku. Hynix v té době plánuje současně přechod na 66nm technologii. Nové 1Gb a 2Gb DDR3 SDRAM čipy jsou zatím zkušebně vyráběny na firemních 80nm linkách. Vlastnosti jednotlivých čipů jsou tyto: Dalším charakteristickým rysem těchto DDR3 paměťových čipů je redukovaná spotřeba proudu o téměř 25% ve srovnání s moduly DDR2. Trojrozměrná tranzistorová architektura minima

Ceny za 8Gb NAND flash pamětí od společností Samsung Electronics a Hynix se zřejmě zvýší. Důvodem jsou nedostačující kapacity společností a velké objednávky od společnosti Apple (pro iPhone a iPody). Jedná se však pouze o odhady, takže skutečnost může být zcela jiná. Nicméně se na tom shoduje mnoho analytiků. Jednalo by se tak o první větší růst cen, v současné době totiž ceny za flash NAND paměti spíše klesaly. Zdroj: tgdaily