Články s výrobcem Hynix (strana 7 z 8)

Společnosti Hynix, Numonyx a Phison se dohodly na tom, že budou společně vyvíjet kontrolery pro paměťová zařízení využívající NAND flash. Ty budou splňovat specifikace JEDEC eMMC 4.4, které byly nedávno představeny. Zmíněné tři strany doufají, že si tímto upevní vedoucí pozici ve svém oboru a Hynixu to napomůže i k rozšíření svého podílu na trhu s produkty pro NAND flash, přesněji oblast microSD, eMMC a SSD. Zařízení eMMC jsou určeny pro mobilní platformy generace 3G+ a standard V4.4 počítá s mnoha vylepšeními včetně dvojnásobení výkonu přenosového rozhraní, flexibilní management oddílů a také zvyšenou bezpečností. Reální produkty vyvinuté firmami Hynix, Numonyx a Phison mají být na světě ještě tento rok. Zdroj: X-bit labs

Společnost Hynix je bezesporu jedním z největších výrobců paměťových čipů, což dokazuje i svými pokroky. Nedávno tato společnost oznámila, že chystá své 1Gb (tedy 128MB) paměťové čipy typu DDR3, jež budou vyráběny 40nm technologií, na třetí čtvrtletí tohoto roku. Zhruba v tu dobu budou také reálně k dispozici firemním partnerům. Jde o modely H5TQ1G83CFR s maximální rychlostí 2133 Mbps a schopností pracovat při široké škále napětí. Firma také říká, že oproti 50nm procesu výroby DRAM její nová "trojrozměrná technologie" a 40nm proces umožnil zvýšení produktivity o více než 50 procent. Pokročilejší proces pak má samozřejmě také snížit spotřebu a produkci odpadního tepla a nyní nové paměti již čekají pouze certifikační procedury a ladění. A my se můžeme těšit na další snižování cen modulů DDR3 a jejich zrychlování. Zdroj: DigiTimes

Příznivce rychlých grafických karet jistě potěší, že společnost Hynix představila nové 7GHz paměťové čipy typu GDDR5. Jedná se o 1Gb čipy vyráběné firemním 54nm procesem, které jsou napájeny napětím 1,35 V. Předchozí generace GDDR5 čipů přitom pracuje "pouze" na 4,5 GHz a vyžaduje 1,5V napětí. Hynix se však nezmínil o tom, zda tyto čipy již testují jeho hlavní partneři - AMD a NVIDIA. Ty by je mohly využít ve svých příštích generacích grafických karet Radeon a GeForce. AMD má přitom se svými Radeony HD 4870 před NVIDIÍ náskok, protože ta stále využívá GDDR3 a rozdíl dohání větší šířkou paměťové sběrnice. To však neznamená, že tento náskok NVIDIA nemůže v další generaci stáhnout. Jestliže se takové paměti u příštích karet objeví, mohou jim na 256bitové sběrnici přinést propustnost 224 GB/s a na 512bitové ještě dvojnásobně více. To pokud srovnáme s dnešními GDDR5 u Radeonů HD 4870, jež pracují na 3,6 GHz, jedná se o dvojnásobek, respektive čtyřnásobek pro

Společnost Hynix Semiconductor, jeden z největších světových dodavatelů pamětí DRAM, má uzavřít svou továrnu v oregonském Eugene. Stojí za tím fakt, že ceny těchto produktů šly v poslední době velmi strmě dolů, což dále zvyšuje konkurenční tlak, a výrobci proto chtějí své náklady na výrobu minimalizovat. Hynix k tomuto důvodu přidává ještě to, že v dnešní době se také přechází na novější paměťové technologie a kvůli těmto dvěma důvodům se produkce v oregonské továrně zastaví s koncem září. Firma již také přemýšlí, jak se svou továrnou naloží dále. Uvažuje se o jejím využití pro jiné výrobní účely, prodání celé továrny i s vybavením další firmě a prodej budov s pozemky zvlášť a přemístění vybavení. Dalšími "ohroženými" továrnami pak jsou Icheon a Cheongju, Korea, které využívají 200mm wafery. Ty buď budou pokračovat s produkcí, nebo se jejich vybavení rozprodá. Zdroj: X-bit labs

Podle DRAMeXchange budou ceny DRAM pamětí v následujících dvou týdnech růst. Může za to výpadek proudu v čínské továrně Wuxi společnosti Hynix, který nastal 19. května. Dodávky pamětí budou zpožděny, případně jich bude o něco méně. Tento nárůst však nebude příliš velký. Původně se očekávalo výraznější zdražení, nicméně to vypadá na zvýšení cen o 5 - 10 % v první polovině června. Navýšení cen očekává i společnost Elpida. Zájem o paměti by měl pak vzrůst s letošním červnovým Computexem, kde se jistě dočkáme mnoha zajímavostí. Zdroj: www.digitimes.com

Snad všechny průzkumy v poslední době hlásí to samé, včetně toho od společnosti Isuppli. Velcí výrobci NAND Flash čipů, jako Hynix Semiconductor, Micron či Intel hromadně zvyšují své zisky. Například příjmy Hynixu se zvýšily ve třetím čtvrtletí o 79,1 % na 806 milionů amerických dolarů. U Micronu to bylo 285,4 milionu dolarů, o 75,5 % více; u Intelu byl nárůst nejnižší, 47,9 % na 132 milionů. Zisky Samsungu byly 1,7 miliardy, firma tak ztratila více jak 5 % trhu, nicméně stále je největším výrobcem. Na druhou stranu však výrobcům klesají zisky z výroby DRAM čipů, někteří jsou i v miliardových ztrátách. Co z toho plyne? Někteří již ohlásili snížení výroby DRAM čipů, jelikož k současné situaci vedla právě čím dál tím větší výroba a tím pádem i nutně nižší ceny. Stejný trend je nyní u Flash, které se zlevňují, kupují se více, a tím ještě více zlevňují. Nicméně jednou narazí na určitou hranici, podobně jako DRAM. Ty se zřejmě zdraží v prvním čtvrtletí rok

Společnost Hynix Semiconductor představila první 1Gbit GDDR5 paměťové čipy. Jsou vyráběny 66nm procesem a jejich masová produkce je naplánována na první polovinu roku 2008. Předpokládá se, že přijetí GDDR5 čipů bude velmi pozitivní a už v druhé polovině roku 2008 budou dominovat trhu grafických karet na úkor starších typů pamětí. Nové paměti Hynixu pracují s efektivní frekvencí 5 GHz, což znamená při 32-bitovém výstupu přenosovou rychlost 20 GB/s. Pokud budou tyto paměti ve 256-bitovém zapojení (tedy 8 čipů), bude mít grafická karta kapacitu pamětí 1 GB a přenosovou rychlost 160 GB/s. V případě 512-bitového zapojení (16 čipů) by šlo dokonce o 2 GB a 320 GB/s. Ale takových karet s GDDR5 čipy se patrně jen tak nedočkáme. Výhodou GDDR5 pamětí jsou také kromě jejich velmi vysokých frekvencí také poměrně malé rozměry a nízká spotřeba daná mimo jiného také mnoha spořícími technologiemi. K dispozici je také korekce chyb ECC. Zdroj: www.digitimes.com

Společnost Hynix Semiconductor si od společnosti Innovative Silicon licencovala paměťovou technologii Z-RAM pro použití ve svých pamětech DRAM. Paměti DRAM založené na Z-RAM budou využívat jednotranzistorové buňky (single transistor bitcell), ne kombinaci tranzistorů a kondenzátorů. Hynix tak do rukou dostává zajímavou technologii, která by mohla podstatně zlepšit jeho postavení na trhu díky předpokládané levné výrobě, protože mají menší rozměry při stejné kapacitě. Technologii Z-RAM si již v minulosti licencovala firma AMD, která ji chtěla využít u svých 65nm procesorů pro cache. Nakonec z toho ale sešlo a ani IBM se pro Z-RAM nerozhodlo a radši zůstalo u eDRAM. AMD si ale licenci samozřejmě ponechá a možná ji využije pro jiné účely. Společnost Innovative Silicon hodlá s Hynixem dle slov jejího CEO Mark-Erica Jonese na vývoji Z-RAM spolupracovat. Oproti SRAM má Z-RAM nabídnou pětkrát větší hustotu a ve srovnání s DRAM dvakrát větší. Co se týče spotřeby, pak si techno

Ceny paměťových modulů dlouhodobě zaznamenávají trvalý pokles, čímž se zisky všech výrobců neustále a drasticky krátí. Jen ten, kdo přijde s něčím novým, si může krátkodobě ponechat ceny vyšší. Podle DRAMeXchange statistik DDR2 DRAM 512MB moduly ve druhém kvartále klesly o více jak 40%. Nicméně výrobci přešli na 300mm křemíkové desky, 70nm výrobní proces a výsledkem byl celkový nárůst prodejů o 23 % ve srovnání s prvním kvartálem tohoto roku. Výsledky jsou sestaveny v tabulce. Vývoj na prvních deseti místech za uplynulé období je sestaven do grafů, kde je vidět, že Samsung se vrátil na první pozici, naopak Hynix ji ztratil. Omnia zaznamenala další ztrátu podílu na trhu, jinak byl vývoj vcelku poklidný. Zdroj: Mydrivers

V uplynulých dnech byly zveřejněny dodávky polovodičů na rychle se rozvíjející čínský trh. Ten zaznamenal za minulý rok nárůst prodeje ve výši 11,8 % oproti roku 2005, čímž dosáhl celkové hodnoty 66,3 mld USD. Hodnocení je provedeno ve třech regionech, centrální Čína, Hong-Kong a Taiwan. V tabulkách naleznete po deseti předních prodejcích v každém s regionů, rovněž je zde hodnota jejich prodejů s meziročním vývojem v prodejnosti. O postavení nejsledovanějších firem v oblasti procesorů, jako jsou Intel a AMD, si každý může udělat svůj obraz. Za povšimnutí však stojí i další společnosti jako jsou TI, Samsung, Hynix a další. Další podrobnosti naleznete ve zdroji. Zdroj: Tech ON

Jižní Korea byla a stále je lídrem ve výrobě DRAM pamětí. Velkými tahouny jsou zde společnosti Samsung a Hynix. V roce 2006 měla Jižní Korea zastoupení 46%, čínští/taiwanští výrobci jen 17%. Podle předpokladů iSuppli se začne podíl čínských a taiwanských výrobců výrazněji zvyšovat. Pro rok 2007 se předpokládá, že Jižní Korea zaujme opět první místo se 47%, Čína s Taiwanem by si však měla polepšit na 31%. Zbytek světa se spokojí s cca 22% zastoupením. Pro rok 2008 se hovoří o dalším navýšení z 31% na 35%, u jihokorejských výrobců pak k mírnému poklesu na 46%. Ti tak sice budou i nadále vést v produkci, ale rozdíl se opět výrazně zmenší. Jihokorejští výrobci v poslední době navyšovali výrobu, ceny klesaly a nyní jsou pro mnoho z nich už pod výrobními náklady, aby bylo tolik čipů vůbec prodejných. Z tohoto důvodu se očekává pro příští rok snížení výroby a nejspíš i nárůst cen. Čínští a taiwanští výrobci naopak začínají svou výrobu zvyšovat a předpokládá se, ž

Na čínských serverech HKEPC Hardware se v uplynulých dnech objevila zpráva o standardu DDR3 pro rok 2009 a zároveň na serveru Tech-On! zase informace, že Hynix Semiconductor jako první získal atest pro použití DDR3 paměťových modulů pro platformu Intel. Jak jsme informovali, jsou již vyráběny základní desky s čipovými sadami Intel P35 'Bearlake', u nichž se počítá s podporou pamětí DDR3. Pojďme se tedy podívat na uvedená fakta. Čipovou sadu Intel P35 a G33 'Bearlake' by měl Intel v nejbližších dnech oficiálně představit. Hromadná výroba 1Gb a 2Gb čipů DDR3 na 80nm lince začne ve třetí čtvrtině tohoto roku. Hynix v té době plánuje současně přechod na 66nm technologii. Nové 1Gb a 2Gb DDR3 SDRAM čipy jsou zatím zkušebně vyráběny na firemních 80nm linkách. Vlastnosti jednotlivých čipů jsou tyto: Dalším charakteristickým rysem těchto DDR3 paměťových čipů je redukovaná spotřeba proudu o téměř 25% ve srovnání s moduly DDR2. Trojrozměrná tranzistorová architektura minima

Ceny za 8Gb NAND flash pamětí od společností Samsung Electronics a Hynix se zřejmě zvýší. Důvodem jsou nedostačující kapacity společností a velké objednávky od společnosti Apple (pro iPhone a iPody). Jedná se však pouze o odhady, takže skutečnost může být zcela jiná. Nicméně se na tom shoduje mnoho analytiků. Jednalo by se tak o první větší růst cen, v současné době totiž ceny za flash NAND paměti spíše klesaly. Zdroj: tgdaily

Společnosti Hynix Semiconductor a Sandisk Corporation oznámily, že se dohodly na vzájemném využívání licencovaných technologí dotýkajících se flash pamětí. Bude tak vytvořen podnik se společnou majetkovou účastí, do nějž obě strany vloží kapitál v podobě výrobní kapacity jejich jihokorejských továren. Tím byly odvráceny případné právní spory dotýkající se duševního vlastnictví firem, což by jistě ani jedné nepřineslo nic dobrého. Dále Hynix se SanDiskem oznámily další práce na paměťové technologii X4. Ta dovolí každé buňce, aby podržela 4 bity informace. To má mít za následek především snížení nákladů na výrobu. Hynix na této technologii pracoval se společností M-Systems. Tu však na konci minulého roku koupil za 1,5 mld USD právě SanDisk. Hynix také s firmou Toshiba ve společné tiskové zprávě oznámil, že obě strany ukončují více než dvouletý spor kolem pamětí NAND flash a DRAM dohodou, že budou sdílet technologie a patenty. Součástí dohody také je, že Hynix bude Toshibě platit licenční popla

Na Taiwanu se včera stala loupež jako z akčního filmu. Trojice neznámých pachatelů ozbrojených mačetou a omračovacím zařízením způsobila dopravní nehodu a následně přepadla a vykradla nákladní automobil převážející paměťové čipy společnosti Hynix. Jednalo se o DDR DRAM čipy, ukradeno jich bylo 20 beden. Vzniklá škoda přesahuje 300 000 amerických dolarů. Jedná se o 400MHz čipy, které byly na cestě k odběrateli. Server DRAMeXchange však dodává, že celá nehoda nemá mít větší vliv na ceny pamětí. Zdroj : inquirer, digitimes

Společnost Hynix Semiconductor včera představila své nové paměťové čipy. Tyto 1Gb čipy jsou vyrobené 60nm výrobním procesem a použity jsou následně v DDR2 paměťových DIMM modulech s kapacitou 1GB a 2GB. Společnost Hynix oznámila, že nový výrobní proces přinese snížení výrobních nákladů až o 50% (současné čipy jsou vyráběny 80nm technologií). To by mělo také údajně vést ke snížení ceny 4GB Registred DIMM a Fully Buffered DIMM pamětí. Paměti se začnou hromadně vyrábět v první polovině příštího roku. Zdroj: dailytech

Firma Hynix Semiconductor oznámila, že od 2. prosince jsou k mání nové paměťové čipy - 512MBitové GDDR4 DRAM - určené do grafického sektoru. V nejbližší době začne posílat vzorky renomovaným výrobcům grafických čipů a poté po Novém roce odstartuje výroba ve velkém. GDDR4 je již čtvrtou generací pamětí a dle výrobců se jejich rychlost blíží dvojnásobku GDDR3. 16Mx32 512Mbit GDDR4 tak dokáže protlačit až 11.6GB dat za sekundu. Ve chvostu Hynixu se zatím drží Samsung, jenž oznámil svoje rozhodnutí vyrábět GDDR4 čipy o velikosti 256Mbit, ovšem s masovou výrobou má začít až půl roku po Hynixu. Zdroje: TheInquirer, DigiTimes

Společnost Hynix včera oznámila dostupnost svých pamětí 1Gbit DDR-2 na modulech s kapacitou 2GB a podporou technologie Registred dual in-line memory module (RDIMM) pro vysoký výkon pracovních stanic i domácích počítačů. Hynix tyto paměti 2GB DDR-2 RDIMM dodával významným výrobcům serverů již v dubnu, ale hromadnou výrobu plánuje na červen. Toto datum se shoduje s vydáním nových čipsetů společnosti Intel, které budou paměti DDR-2 podporovat. Paměti jsou založené na komponentech 1Gbit DDR-2 a můžeme je najít s frekvencemi 400Mhz a 533Mhz. Paměťové moduly 2GB DDR-2 jsou vyrobeny 0.11mikronovou technologií.

Společnost Hynix Semiconductor poskytla Intelu vzorky svých 512 Mb DDR 2 paměťových čipů k posouzení. Ty by měly by se měly používat s plánovanou čipovou sadou nesoucí kódové označení Lindenhurst, jež je určena pro serverovou platformu. Pro výrobu se používá 110 nm golden chip technologie. Maximální datová rychlost je 667 Mbps, přičemž napájecí napětí je pouhých 1,8V. Pro balení se využívá technologie FBGA. Čipy budou dostupné v následujících konfiguracích: 128M x 4 bity 64M x 8 bitů 32M x 16 bitů Produkty odpovídají specifikaci sdružení JEDEC a s jejich masovou výrobou se začne v roce 2004. Zdroj: http://www.digit-life.com

Společnost Hynix oznámila, že její Pseudo SRAM produkty určené pro následující generaci mobilních zařízení prošly validací pro širší spektrum odběratelů. Z toho důvodu společnost očekává nárůst příjmů z prodeje Pseudo SRAM produktů v letošním roce a pro rok 2004 plánuje příjmy 100 milionů $ z tohoto tržního segmentu. V současné době výrobce produkuje velké množství 16M a 32M Pseudo SRAM zařízení, pro jejichž výrobu se používá 150 nm výrobní proces. Společnost oznámila, že v prvním čtvrtletí roku 2004 hodlá začít s výrobou 64M Pseudo SRAM zařízení. Tyto  produkty jsou vybaveny následujícími parametry: Napájecí napětí: 1.8-3.0 V Přístupová doba: 75-85 ns Spotřeba proudu: může klesnout až na 2 mA v úsporném režimu Zdroj: http://www.digit-life.com

Korejský výrobce paměťových produktů Hynix uvedl na trh paměťové čipy typu DDR-II o kapacitě 1024 Mbit. Pro jejich výrobu byla použita technologie 110 nm. Společnost poskytla pro testování výrobky o kapacitě 512 Mbit pracující s takty 533-667 MHz. Dostupné budou moduly o kapacitách 512 Mbit a 1024 Mbit, které budou vyráběny v 60-ball, 68-ball a 84-ball FBGA provedení. Čipy budou splňovat specifikaci sdružení JEDEC.

Společnost Intel certifikovala paměťový modul o velikosti 512MB vyráběný korporací Hynix Semiconductor, přičemž předchozí model o velikosti 256MB obdržel certifikaci v únoru.. Jedná se o paměť typu PC3200 DDR SDRAM (DDR 400), Podpora PC3200 paměťových čipů od Hynixu je vestavěna do čipsetů Springdale a Canterwood. Marketingový prezident Hynixu Farhard Tabrizi oznámil, že by společnost měla na konci roku 2003 kontrolovat 35% trhu s pamětmi DDR 400. Za tímto účelem bude zvýšena produkce o 60 až 90%. V současnosti se zájem společnosti orientuje především na paměti DDR 400, DDR2 a GDDR 2/3.

Společnost Hynix oznámila paměťový čip 128Mbit DDR-I SDRAM (4Mx32 – HY5DU283222) pracující na frekvenci 500 MHz určený pro grafické karty a síťová zařízení. Čip se dodává ve 144 pinovém FBGA balení. V současnosti jsou tyto čipy dodávány partnerům společnosti Hynix V první čtvrtině roku 2003 se očekává uvedení 500 MHz 4Mx32 DDR-II SDRAM čipů.

Společnost Hynix Semiconductor plánuje koncem letošního roku spustit výrobu 512Mbit DDR paměťových čipů vyráběných 0,10mikronovým procesem. Tyto čipy, stejně jako 256Mbit a 1Gbit čipy plánované na první polovinu příštího roku, jsou kompatibilní se standardy PC2700 a PC2100 DDR SDRAM, stejně jako s DDR400, které ještě nebyly oficiálně uznány. Nový výrobní proces pomůže společnosti zvýšit výtěžnost a tím snížit výrobní náklady. Zdroj: X-Bit Labs